发明公开
- 专利标题: 利用微晶硅制造薄层太阳能电池的方法以及层序列
- 专利标题(英): Method for production of a thin-layer solar cell with microcrystalline silicon and layer sequence
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申请号: CN200580044170.9申请日: 2005-12-13
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公开(公告)号: CN101088171A公开(公告)日: 2007-12-12
- 发明人: S·克莱因 , Y·麦 , F·芬格 , R·卡里厄斯
- 申请人: 于利奇研究中心有限公司
- 申请人地址: 德国于利奇
- 专利权人: 于利奇研究中心有限公司
- 当前专利权人: 于利奇研究中心有限公司
- 当前专利权人地址: 德国于利奇
- 代理机构: 中国专利代理(香港)有限公司
- 代理商 刘春元; 魏军
- 优先权: 102004061360.5 2004.12.21 DE
- 国际申请: PCT/DE2005/002237 2005.12.13
- 国际公布: WO2006/066544 DE 2006.06.29
- 进入国家日期: 2007-06-21
- 主分类号: H01L31/18
- IPC分类号: H01L31/18 ; H01L31/075
摘要:
本发明涉及一种用于利用微晶硅制造薄层太阳能电池的方法以及一种层序列。根据本发明,在pin薄层太阳能电池或nip薄层太阳能电池中,在涂敷微晶i层之前,利用HWCVD方法将微晶硅层涂敷到下面的p层或n层上。因此,薄层太阳能电池的效率绝对地被提高了直至0.8%。
公开/授权文献
- CN101088171B 利用微晶硅制造薄层太阳能电池的方法以及层序列 公开/授权日:2013-03-20