公开(公告)号：CN118782688A

公开(公告)日：2024-10-15

申请号：CN202411266731.0

申请日：2024-09-11

申请人： 横店集团东磁股份有限公司

发明人： 吴成坤 ,  任勇 ,  陈德爽

IPC分类号： H01L31/18 ,  H01L31/042 ,  H01L31/075

摘要： 本发明涉及太阳能电池领域，公开了一种TBC太阳能电池的制备方法。本发明采用单层i‑poly‑Si层结合紫外激光氧化形成掩膜进行掺杂扩散得到TBC太阳能电池，全制备过程仅需一次i‑poly‑Si沉积及一次激光开槽，可避免多次i‑poly‑Si沉积引起的热应力分布不均匀导致产品性能和良品率降低等方面问题；同时一次激光开槽可减少对硅片的损伤，提升Voc；此外采用一次i‑poly‑Si沉积还可以大幅减少特气用量，降低生产成本。此外，本发明方法制得的TBC太阳能电池中，硅片背面的i‑poly‑Si层形成n+‑poly‑Si层高度基本一致，有助于后续电极层的制备，可进一步提高产品性能和良品率。

公开(公告)号：CN118738169A

公开(公告)日：2024-10-01

申请号：CN202410802975.X

申请日：2024-06-20

申请人： 北京工业大学

发明人： 宋雪梅 ,  赖小燕 ,  郑子龙 ,  蔡宏波 ,  杨熙其 ,  严辉

IPC分类号： H01L31/032 ,  H01L31/075 ,  H01L31/20

摘要： 一种提升硅化合物异质结太阳电池效率的方法，属于太阳能电池领域。将V:MoOX作为硅化合物异质结太阳电池入光面的空穴传输层，得到的器件从上到下依次设置为：金属Ag电极、ITO透明电极层、V:MoOX空穴传输层、i‑a‑Si:H层、n‑c‑Si层、i‑a‑Si:H层、n‑a‑Si:H层、ITO透明电极层、金属Ag电极。由于V:MoOX的宽带隙、高功函，可以减小太阳电池的寄生吸收和光损耗，并增大空穴传输层对空穴的选择性抽取能力，最终使得太阳电池的短路电流密度(JSC)、填充系数(FF)、开路电压(VOC)、转化效率(PCE)均有所提高。

公开(公告)号：CN117727807B

公开(公告)日：2024-09-24

申请号：CN202311748852.4

申请日：2023-12-19

申请人： 天合光能股份有限公司

发明人： 胡匀匀 ,  柳伟 ,  陈达明

IPC分类号： H01L31/0216 ,  H01L31/075 ,  H01L31/18 ,  H01L31/0224

摘要： 本公开实施例涉及一种异质结太阳能电池及其制备方法和光伏组件。该异质结太阳能电池包括：基底，具有第一导电类型；隧穿层，位于基底的受光面上；多晶硅掺杂层，位于所述隧穿层的顶表面，具有第一导电类型。受光面的隧穿层和多晶硅掺杂层降低了紫外线辐射对异质结太阳能电池的受光面的破坏，降低了异质结太阳能电池光电转换效率的衰减，提高了异质结太阳能电池的效率。

公开(公告)号：CN118588789A

公开(公告)日：2024-09-03

申请号：CN202410657199.9

申请日：2024-05-25

申请人： 山西中来光能电池科技有限公司

发明人： 张耕 ,  郭飞 ,  郭晨璐 ,  邱建羽 ,  邹金圩 ,  乔晓琴 ,  熊大明 ,  林建伟

IPC分类号： H01L31/075 ,  H01L31/18

摘要： 本发明提供了一种异质钝化隧穿氧化接触电池及其制备方法，其结构包括硅片衬底、正面金属电极以及背面金属电极，其特征在于，所述硅片衬底的正面由内至外依次设置有本征非晶硅层、硼掺杂非晶硅层和透明导电氧化物薄膜；所述硅片衬底的背面由内至外依次设置有隧穿氧化层、n型多晶硅层和氮化硅层。本发明采用TOPCon背面接触钝化方式与异质结方式相结合的电池结构，使制得的电池能够兼具两种电池的优势，最终背面氮化硅钝化膜并未因高/低温烧结导致钝化膜性能变差，最终通过更好的钝化方式使得电池Voc有所提升，电池的最终效率提升0.15～0.2％左右。

公开(公告)号：CN115548170B

公开(公告)日：2024-07-05

申请号：CN202211330345.4

申请日：2022-10-27

申请人： 隆基绿能科技股份有限公司

发明人： 沐俊应 ,  曹玉甲 ,  方亮 ,  叶枫 ,  吴华 ,  汪根顺 ,  李嘉伟

IPC分类号： H01L31/20 ,  H01L31/0747 ,  H01L31/075 ,  H01L31/0216

摘要： 本发明公开了HBC太阳能电池及其制备方法，其中，制备方法包括：提供具有第一表面和第二表面的半导体基底，第一表面包括相邻的第一区域、隔离区域和第二区域；在第一表面形成第一保护层；使第一区域裸露，在第一区域上依次形成第二本征非晶硅层和P型非晶硅层；使第二区域裸露，在第二区域上依次形成第三本征非晶硅层和N型非晶硅层。本发明通过在半导体基底的第一表面上增加保护层，由此避免了后续进行第一区域或者第二区域相应非晶硅层的制备过程中使用的强碱溶液、强酸溶液等对第一表面产生损伤，从而有利于后续在电极区进行非晶硅制备的步骤中，非晶硅层与半导体基底表面能够很好的结合。

公开(公告)号：CN117637882A

公开(公告)日：2024-03-01

申请号：CN202311647043.4

申请日：2023-12-04

申请人： 电子科技大学长三角研究院(湖州)

发明人： 李严波 ,  刘欣 ,  刘栋梁

IPC分类号： H01L31/032 ,  H01L31/075 ,  H01L31/18

摘要： 本发明属于光伏器件技术领域，公开了一种提高钙钛矿器件性能的方法。所述钙钛矿太阳能电池器件及其制备方法包括依次层叠的衬底、阳极(ITO)、电子束蒸镀空穴传输层(NiOx)、钙钛矿光吸收层(CsPbI2Br)、电子束蒸镀电子传输层(Nb2O5)和电子束蒸镀阴极(Ag)；对制备好的器件进行退火处理进而提高器件的性能。每一个对应的功能层都是由能够充当相应功能的材料。本发明的一种提高钙钛矿器件性能的方法获得了较高的能量转化效率，此钙钛矿电池器件具备较低的加工成本和能够实现大面积加工，因而在太阳能电池领域具有良好的应用前景。

公开(公告)号：CN116230799B

公开(公告)日：2024-01-26

申请号：CN202310220251.X

申请日：2023-03-09

申请人： 南开大学

发明人： 张晓丹 ,  齐珊珊 ,  王三龙 ,  王鹏阳 ,  赵颖

IPC分类号： H01L31/075 ,  H01L31/18 ,  H10K30/40 ,  H01L27/142 ,  H10K39/10 ,  H10K30/50 ,  H10K71/00 ,  H10K71/40

摘要： 本发明提供了一种3‑氨基‑5‑溴吡啶‑2‑甲酰胺材料钝化无机钙钛矿基太阳电池及制备方法，涉及无机钙钛矿太阳能电池技术领域。该种3‑氨基‑5‑溴吡啶‑2‑甲酰胺材料钝化无机钙钛矿基太阳电池为PIN型结构，包括钙钛矿吸光层以及钝化层。制备方法主要包括钝化层的制备，通过采用溶液动态旋涂的方式，用3‑氨基‑5‑溴吡啶‑2‑甲酰胺甲醇溶液对CsPbI3‑xBrx型的无机钙钛矿薄膜进行钝化处理，得到厚度为1nm‑10nm的钝化层。本发明的太阳电池降低了无机钙钛矿薄膜的表面缺陷、通过钝化的方式改善了无机钙钛矿薄膜的质量、促进其载流子输运、抑制非辐射复合，提高了无机钙钛矿基太阳电池的光电转换效率。

公开(公告)号：CN116247116B

公开(公告)日：2023-09-05

申请号：CN202310219861.8

申请日：2023-03-09

申请人： 南开大学

发明人： 张晓丹 ,  王三龙 ,  齐珊珊 ,  王鹏阳 ,  赵颖

IPC分类号： H01L31/075 ,  H01L31/18 ,  H10K30/40 ,  H01L27/142 ,  H10K39/10 ,  H10K30/50 ,  H10K71/00 ,  H10K71/40

摘要： 本发明提供了一种2‑氨基‑5‑溴苯甲酰胺材料钝化无机钙钛矿基太阳电池及制备方法，涉及无机钙钛矿太阳能电池技术领域。该种2‑氨基‑5‑溴苯甲酰胺材料钝化无机钙钛矿基太阳电池为PIN型结构，包括从下至上依次堆叠的透明导电衬底、空穴传输层、钙钛矿吸光层、钝化层、电子传输层和电极。制备方法包括钝化层的制备，通过采用溶液动态旋涂的方式，用2‑氨基‑5‑溴苯甲酰胺甲醇溶液对CsPbI3‑xBrx型的无机钙钛矿薄膜进行钝化处理，得到厚度为1nm‑10nm的钝化层。本发明的2‑氨基‑5‑溴苯甲酰胺材料钝化无机钙钛矿基太阳电池降低了无机钙钛矿薄膜的表面缺陷、通过钝化的方式改善了无机钙钛矿薄膜的质量、提高了无机钙钛矿基太阳电池的光电转换效率。

公开(公告)号：CN116613223A

公开(公告)日：2023-08-18

申请号：CN202310730135.2

申请日：2023-06-19

申请人： 隆基绿能科技股份有限公司

发明人： 何永才 ,  刘江 ,  丁蕾 ,  张富 ,  吴小勇 ,  何博 ,  徐希翔

IPC分类号： H01L31/0236 ,  H01L31/06 ,  H01L31/075 ,  H01L31/076 ,  H01L31/18 ,  H10K39/15 ,  H10K30/50 ,  H10K30/40 ,  H10K71/00

摘要： 本发明提供了一种叠层太阳能电池及其制备方法，涉及光伏技术领域。叠层太阳能电池包括：晶硅太阳能电池和钙钛矿太阳能电池；晶硅太阳能电池包括：硅基底；硅基底包括：靠近钙钛矿太阳能电池的第一表面，以及和第一表面相对分布的第二表面；第一表面和所述第二表面均为绒面结构，第一表面上的第一绒面结构的尺寸，小于第二表面上的第二绒面结构的尺寸。本发明中，第一绒面结构的尺寸较小，对于钙钛矿膜层的制备可以有更多的方式选择，可以提升钙钛矿膜层的成膜质量，可以提升叠层太阳能电池的开路电压和填充因子。第二绒面结构的尺寸较大，可以增加晶硅太阳能电池对长波的反射，可以提升叠层太阳能电池对光线的利用率。

公开(公告)号：CN116507144A

公开(公告)日：2023-07-28

申请号：CN202310519283.X

申请日：2023-05-10

申请人： 莆田市威特电子有限公司

发明人： 佘剑平 ,  戴国清 ,  佘金荣

IPC分类号： H10K39/10 ,  H10K30/30 ,  H10K71/20 ,  H10K71/10 ,  H01L31/075 ,  H10K85/50

摘要： 本发明属于太阳能电池制备技术领域，具体涉及一种非晶硅薄膜和钙钛矿叠层的新型太阳能电池及其制备方法。本发明提供的太阳能电池的制备方法，包括如下步骤：在玻璃基片上形成第一透明电极层，然后依次在第一透明电极层上形成P型非晶硅层、I型非晶硅层、N型非晶硅层、第二透明电极层和空穴传输层；在空穴传输层上利用激光划刻若干凹槽；将二烯丙基醚、1‑H‑5‑氨基吡唑和有机溶剂混合，调节溶液pH值；将混合溶液旋涂于空穴传输层表面以形成超支化聚合物层；在超支化聚合物层上依次形成钙钛矿层、电子传输层、第三透明电极层和背电极层，得到太阳能电池。本发明的方法可有效提高电池的开路电压和光电转换效率。