发明公开
- 专利标题: 用于形成CIS型薄膜太阳能电池的光吸收层的方法
- 专利标题(英): Method for forming light absorbing layer in cis-based thin film solar battery
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申请号: CN200580045337.3申请日: 2005-12-26
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公开(公告)号: CN101095240A公开(公告)日: 2007-12-26
- 发明人: 小野寺胜 , 栗谷川悟 , 田中良明
- 申请人: 昭和砚壳石油株式会社
- 申请人地址: 日本东京
- 专利权人: 昭和砚壳石油株式会社
- 当前专利权人: 太阳能先锋株式会社
- 当前专利权人地址: 日本东京
- 代理机构: 中原信达知识产权代理有限责任公司
- 代理商 梁晓广; 陆锦华
- 优先权: 378398/2004 2004.12.28 JP
- 国际申请: PCT/JP2005/023791 2005.12.26
- 国际公布: WO2006/070745 JA 2006.07.06
- 进入国家日期: 2007-06-28
- 主分类号: H01L31/04
- IPC分类号: H01L31/04 ; H01L21/365
摘要:
一种简单器件被用于使在装置中的温度均匀并被用于改进与反应气体,硒和硫的接触的状态。将作为用于气氛均匀化的器件的风扇(3)放置于装置中,并且将工件以可使反应气体平稳循环的方式放置。即,平坦的板状工件(2)在一定间距下彼此远离地放置,其平行于所述装置的长轴方向,同时保持所述板垂直,以使得所述装置在所述工件组内具有通道并且在所述工件上部和下部和在其两边有气体通道。因此,每个工件易于与在所述装置中的反应气体接触,并且在所述装置中的温度是均匀的。改进了与所述反应气体,硒和硫的接触的状态。
公开/授权文献
- CN100490184C 用于形成CIS型薄膜太阳能电池的光吸收层的方法 公开/授权日:2009-05-20
IPC分类: