公开(公告)号：CN101095240A

公开(公告)日：2007-12-26

申请号：CN200580045337.3

申请日：2005-12-26

申请人： 昭和砚壳石油株式会社

发明人： 小野寺胜 ,  栗谷川悟 ,  田中良明

IPC分类号： H01L31/04 ,  H01L21/365

CPC分类号： C23C8/06 ,  C23C8/00 ,  C23C8/02 ,  C23C10/02 ,  C23C12/00 ,  C23C14/5866 ,  H01L31/0322 ,  H01L31/1864 ,  Y02E10/541 ,  Y02P70/521

摘要： 一种简单器件被用于使在装置中的温度均匀并被用于改进与反应气体，硒和硫的接触的状态。将作为用于气氛均匀化的器件的风扇(3)放置于装置中，并且将工件以可使反应气体平稳循环的方式放置。即，平坦的板状工件(2)在一定间距下彼此远离地放置，其平行于所述装置的长轴方向，同时保持所述板垂直，以使得所述装置在所述工件组内具有通道并且在所述工件上部和下部和在其两边有气体通道。因此，每个工件易于与在所述装置中的反应气体接触，并且在所述装置中的温度是均匀的。改进了与所述反应气体，硒和硫的接触的状态。

公开(公告)号：CN101094935A

公开(公告)日：2007-12-26

申请号：CN200580045339.2

申请日：2005-12-27

申请人： 昭和砚壳石油株式会社

发明人： 栗谷川悟 ,  田中良明

IPC分类号： C23C16/40 ,  H01B13/00 ,  H01L31/04

CPC分类号： H01L31/1884 ,  C23C16/407 ,  Y02E10/50

摘要： 将廉价的作为杂质包含于低纯度原料二乙基锌中的三乙基铝用作添加剂以降低膜形成的成本。将具有低纯度(99.99－98％或99.99－90％)的二乙基锌用作通过MOCVD(金属有机化学汽相淀积)法制备ZnO透明导电膜的原料。将水蒸气(H2O)用作氧化剂，和将作为杂质包含于所述原料中的三乙基铝用作添加剂(将二硼烷作为添加剂另外加入)，以使所述二乙基锌、所述水蒸气(H2O)和所述三乙基铝(以及所述二硼烷)经历汽相反应，从而制备ZnO透明导电膜。

公开(公告)号：CN101002335B

公开(公告)日：2010-04-14

申请号：CN200580026929.0

申请日：2005-08-09

申请人： 昭和砚壳石油株式会社

发明人： 栗谷川悟 ,  名古屋义则 ,  田中良明

IPC分类号： H01L31/032

CPC分类号： H01L31/0322 ,  H01L31/1864 ,  Y02E10/541 ,  Y02P70/521

摘要： 在低温下进行膜的形成以提高转换效率和生产率，且使所用衬底材料能广泛选择。本发明涉及CIS化合物半导体薄膜太阳能电池的光吸收层和形成该层的方法。该光吸收层包括由Cux(In1-yGay)(Se1-zSz)2表示的、具有黄铜矿型结构的化合物，其成分的比例满足0.86≤x≤0.98，0.05≤y≤0.25，0≤z≤0.3，x＝αT+β，α＝0.015y-0.00025，β＝-7.9y+1.105，设T (℃)为退火温度，且x的允许范围为±0.02。该层在低温(约500≤T≤550)下通过硒化方法形成。衬底采用具有低熔点的钠钙玻璃。

公开(公告)号：CN101095242A

公开(公告)日：2007-12-26

申请号：CN200580045298.7

申请日：2005-12-27

申请人： 昭和砚壳石油株式会社

发明人： 栗谷川悟 ,  田中良明 ,  名古屋义则

IPC分类号： H01L31/18 ,  H01L31/032 ,  H01L21/363

CPC分类号： H01L31/0322 ,  H01L21/02568 ,  H01L21/02614 ,  Y02E10/541

摘要： 在低成本下容易地形成具有需要的镓成分比例的前驱膜。本发明提供用于形成CIS型薄膜太阳能电池等的光吸收层的前驱膜，或形成所述膜的方法。通过利用包含具有镓成分比例为X wt％Ga的Cu－Ga合金层的前驱膜作为靶进行溅射而形成作为第一层的具有高的镓成分比例(Ga/(Ga+Cu))为X wt％Ga的Cu－Ga层(沉积步骤A)。之后，通过利用铜层作为靶进行溅射而形成作为在所述第一层上的第二层的铜层(沉积步骤B)，由此形成按所述第一层和第二层合计具有需要的镓成分比例为Y wt％Ga(X＞Y)的前驱膜。通过同时进行汽相淀积形成膜的方法也是可以的。

公开(公告)号：CN100490184C

公开(公告)日：2009-05-20

申请号：CN200580045337.3

申请日：2005-12-26

申请人： 昭和砚壳石油株式会社

发明人： 小野寺胜 ,  栗谷川悟 ,  田中良明

IPC分类号： H01L31/04 ,  H01L21/365

CPC分类号： C23C8/06 ,  C23C8/00 ,  C23C8/02 ,  C23C10/02 ,  C23C12/00 ,  C23C14/5866 ,  H01L31/0322 ,  H01L31/1864 ,  Y02E10/541 ,  Y02P70/521

摘要： 一种简单器件被用于使在装置中的温度均匀并被用于改进与反应气体，硒和硫的接触的状态。将作为用于气氛均匀化的器件的风扇(3)放置于装置中，并且将工件以可使反应气体平稳循环的方式放置。即，平坦的板状工件(2)在一定间距下彼此远离地放置，其平行于所述装置的长轴方向，同时保持所述板垂直，以使得所述装置在所述工件组内具有通道并且在所述工件上部和下部和在其两边有气体通道。因此，每个工件易于与在所述装置中的反应气体接触，并且在所述装置中的温度是均匀的。改进了与所述反应气体，硒和硫的接触的状态。

公开(公告)号：CN101432891A

公开(公告)日：2009-05-13

申请号：CN200780015771.6

申请日：2007-03-29

申请人： 昭和砚壳石油株式会社

发明人： 栉屋胜巳 ,  栗谷川悟

IPC分类号： H01L31/04 ,  H01L31/032

CPC分类号： H01L31/18 ,  H02S50/10 ,  H02S99/00 ,  Y02E10/541

摘要： 本发明适当地对CIS系薄膜太阳电池模块的通过弱光的照射而恢复变换效率等的特性进行评价。在CIS系薄膜太阳电池模块的以往的高温高湿保管试验条件(在温度85℃、相对湿度85％、在黑暗中保存1000小时)中，保持上述温度、湿度以及保存时间不变，调整光源(1E)的强度使得来自模拟太阳光照射装置(太阳模拟器)(1D)的光成为与阴天的日照射量相当的弱光的辐射照度、即100～300W/m2并在整个试验期间持续进行照射，由此能够适当地对以开路状态保管的上述模块(2’)经过1000小时后也不会出现大幅度的劣化的特性进行评价。

公开(公告)号：CN101002335A

公开(公告)日：2007-07-18

申请号：CN200580026929.0

申请日：2005-08-09

申请人： 昭和砚壳石油株式会社

发明人： 栗谷川悟 ,  名古屋义则 ,  田中良明

IPC分类号： H01L31/032

CPC分类号： H01L31/0322 ,  H01L31/1864 ,  Y02E10/541 ,  Y02P70/521

摘要： 在低温下进行膜的形成以提高转换效率和生产率，且使所用衬底材料能广泛选择。本发明涉及CIS化合物半导体薄膜太阳能电池的光吸收层和形成该层的方法。该光吸收层包括由Cux(In1－yGay)(Se1－zSz)2表示的、具有黄铜矿型结构的化合物，其成分的比例满足0.86≤x≤0.98，0.05≤y≤0.25，0≤z≤0.3，x＝αT+β，α＝0.015y－0.00025，β＝－7.9y+1.105，设T(℃)为退火温度，且x的允许范围为±0.02。该层在低温(约500≤T≤550)下通过硒化方法形成。衬底采用具有低熔点的钠钙玻璃。