发明公开
CN101110264A 半导体器件
无效 - 撤回
- 专利标题: 半导体器件
- 专利标题(英): Semiconductor device
-
申请号: CN200710146406.0申请日: 2007-04-17
-
公开(公告)号: CN101110264A公开(公告)日: 2008-01-23
- 发明人: 恩田贵光
- 申请人: 尔必达存储器股份有限公司
- 申请人地址: 日本东京
- 专利权人: 尔必达存储器股份有限公司
- 当前专利权人: 尔必达存储器股份有限公司
- 当前专利权人地址: 日本东京
- 代理机构: 中科专利商标代理有限责任公司
- 代理商 孙纪泉
- 优先权: 2006-115029 2006.04.18 JP
- 主分类号: G11C11/4063
- IPC分类号: G11C11/4063 ; H01L27/108
摘要:
本发明的半导体器件包括:逻辑电路,向该逻辑电路提供电源电压、低于电源电压的子电源电压、地电压和高于地电压的子地电压;提供电源电压的主电源线;以及提供地电压的主接地线。构成逻辑电路的单元电路包括第一至第三PMOS晶体管和第一至第三NMOS晶体管。第三PMOS晶体管连接在第一和第二PMOS晶体管的源极之间,主电源线连接到其一个节点,并且在其另一个节点处产生子电源电压。第三NMOS晶体管连接到第一和第二NMOS晶体管的源极之间,主接地线连接到其一个节点,并且在其另一个节点处产生子地电压。