发明授权
CN101115865B 用于钯层沉积的方法和用于该目的的钯镀浴
失效 - 权利终止
- 专利标题: 用于钯层沉积的方法和用于该目的的钯镀浴
- 专利标题(英): Method for depositing palladium layers and palladium bath therefor
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申请号: CN200680004393.7申请日: 2006-01-11
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公开(公告)号: CN101115865B公开(公告)日: 2010-09-15
- 发明人: A·格罗斯 , A·蒂芬巴赫尔
- 申请人: 尤米科尔电镀技术有限公司
- 申请人地址: 德国格蒙德
- 专利权人: 尤米科尔电镀技术有限公司
- 当前专利权人: 尤米科尔电镀技术有限公司
- 当前专利权人地址: 德国格蒙德
- 代理机构: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
- 代理商 刘明海
- 优先权: 102005001388.0 2005.01.12 DE
- 国际申请: PCT/EP2006/000164 2006.01.11
- 国际公布: WO2006/074902 DE 2006.07.20
- 进入国家日期: 2007-08-08
- 主分类号: C23C18/16
- IPC分类号: C23C18/16 ; C23C18/54 ; C23C18/18 ; C23C18/42 ; H01L21/288 ; H05K3/24
摘要:
电路板的铜印制导线需要一种具有良好的抗腐蚀性并且适合于多重可焊性与结合性的涂层,使得可向它们装配电子元件。通过具有自催化沉积镍的中间层的层体系实现了这些性能,其中在该中间层上已通过电荷交换沉积了钯层。为了确保可靠的粘附强度、低空隙度和良好的均匀性,用于钯层沉积的镀浴包含铜化合物。为了使钯层钝化,可向该层体系提供通过电荷交换和/或自催化地沉积的最后金层。
公开/授权文献
- CN101115865A 用于钯层沉积的方法和用于该目的的钯镀浴 公开/授权日:2008-01-30
IPC分类: