发明公开
- 专利标题： 导电微结构的低温制造
- 专利标题（英）： Low temperature fabrication of conductive micro structures
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申请号： CN200710146451.6申请日： 2007-06-28
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公开(公告)号： CN101118313A公开(公告)日： 2008-02-06
- 发明人: 潘晓和
- 申请人： 视频有限公司
- 申请人地址： 美国加利福尼亚
- 专利权人： 视频有限公司
- 当前专利权人： 视频有限公司
- 当前专利权人地址： 美国加利福尼亚
- 代理机构： 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
- 代理商 秦晨
- 优先权： 11/427,272 2006.06.28 US
- 主分类号： G02B26/08
- IPC分类号： G02B26/08 ; B81C1/00 ; B81B7/00
摘要：
一种制造微结构的方法，包括：在低于550℃的温度下在具有电路的衬底上沉积非晶硅以形成第一结构部分，其中第一结构至少设置一个从电路接收电信号的部分。
公开/授权文献
- CN101118313B 导电微结构的低温制造 公开/授权日：2011-07-20
