Invention Publication
CN101140931A 垂直场效应晶体管阵列及其制造方法
失效 - 权利终止
- Patent Title: 垂直场效应晶体管阵列及其制造方法
- Patent Title (English): Vertical field effect transistor arrays and methods for fabrication thereof
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Application No.: CN200710146550.4Application Date: 2007-08-20
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Publication No.: CN101140931APublication Date: 2008-03-12
- Inventor: M·J·布赖特韦什 , A·G·施罗特 , 林仲汉
- Applicant: 国际商业机器公司
- Applicant Address: 美国纽约
- Assignee: 国际商业机器公司
- Current Assignee: 台湾积体电路制造股份有限公司
- Current Assignee Address: 美国纽约
- Agency: 北京市中咨律师事务所
- Agent 于静; 刘瑞东
- Priority: 11/516,208 2006.09.06 US
- Main IPC: H01L27/088
- IPC: H01L27/088 ; H01L21/308 ; H01L21/8234
Abstract:
垂直场效应晶体管半导体结构和制造垂直场效应晶体管半导体结构的方法提供半导体柱的阵列。半导体柱的阵列中的每个半导体柱的每个垂直部分具有大于与邻近半导体柱的分离距离的线宽。可选地，阵列包括具有不同线宽的半导体柱，可选地在上述线宽和分离距离限定的范围中。制造半导体柱的阵列的方法使用在使用作为蚀刻掩模之前环形增加至少一层隔离层的最小光刻尺寸的柱掩模层。
Public/Granted literature
- CN101140931B 垂直场效应晶体管阵列及其制造方法 Public/Granted day:2011-04-06
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IPC分类:
