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公开(公告)号：CN107111783B
公开(公告)日：2020-04-03
申请号：CN201680005501.6
申请日：2016-01-05
申请人： 国际商业机器公司
IPC分类号： G06N3/063
摘要： 一种神经形态存储器电路，包括可编程电阻性存储器元件(108)，用于传输轴突LIF脉冲的轴突LIF线(116)和用于随时间建立树突LIF电荷的树突LIF线(110)。当轴突LIF线(116)传输轴突LIF脉冲时，第一晶体管(104)提供通过可编程电阻性存储器元件(108)的用于树突LIF电荷的放电路径。轴突STDP线(122)传输轴突STDP脉冲。轴突STDP脉冲长于轴突LIF脉冲。树突STDP线(118)被配置以在树突LIF线(110)处的电压Vpost低于阈值电压(120)之后传输树突STDP脉冲。第二晶体管(106)耦合到轴突STDP线(122)和可编程电阻性存储器元件(108)。当轴突STDP线(122)传输轴突STDP脉冲时，第二晶体管(106)提供用于通过可编程电阻性存储器元件(108)的用于树突STDP脉冲的电路径。
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公开(公告)号：CN104036822A
公开(公告)日：2014-09-10
申请号：CN201410064481.2
申请日：2014-02-25
申请人： 国际商业机器公司
IPC分类号： G11C13/00
CPC分类号： G11C7/00 , G11C11/24 , G11C13/0002 , G11C13/003 , G11C13/004 , G11C13/0061 , G11C13/0069 , G11C2013/0052 , G11C2013/0054 , G11C2013/0071 , G11C2213/18 , G11C2213/35 , G11C2213/73
摘要： 本发明涉及一种基于基元电容的存储基元和用于操作存储基元的方法。一种存储基元和用于操作存储基元的方法包括：在电气上串联耦合的双向存取器件和存储元件。所述双向存取器件包括隧穿电容。所述存储元件可通过施加极性彼此相反的第一和第二写入电压而编程为第一和第二状态。所述存储元件在所述第一状态的电容低于在所述第二状态的电容。读取单元读出由于施加读取电压时的压降所导致的瞬时读取电流。基于所述读取电流是大于还是小于读出阈值，判定所述存储元件是所述第一还是第二状态。所述读出阈值基于所述第一和第二状态之间的电容比率。
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公开(公告)号：CN103779376A
公开(公告)日：2014-05-07
申请号：CN201310484752.5
申请日：2013-10-16
申请人： 国际商业机器公司
IPC分类号： H01L27/24 , H01L27/142 , H01L21/82
CPC分类号： H01L27/2472 , H01L23/576 , H01L27/24 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/142 , H01L45/144 , H01L2924/0002 , Y10T29/49155 , H01L2924/00
摘要： 本发明涉及具有篡改检测和响应装置的集成电路以及用于制造这种集成电路的方法。一种具有篡改检测和响应装置的集成电路包括至少一种反应材料和耦合到所述至少一种反应材料的至少一个存储单元。所述至少一种反应材料中的放热反应引起所述至少一个存储单元的存储状态的改变。另一种具有篡改检测和响应装置的集成电路包括衬底、所述衬底上的至少一个门以及位于所述至少一个门的第一阱和第二阱之间的反应材料。所述反应材料中的反应引起所述门中的短路。
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公开(公告)号：CN101217057B
公开(公告)日：2010-06-16
申请号：CN200810001976.5
申请日：2008-01-04
申请人： 国际商业机器公司
发明人： 林仲汉
CPC分类号： G11C11/5628 , G11C7/16 , G11C11/56 , G11C11/5642 , G11C16/3418 , G11C16/3431 , G11C27/005 , G11C2211/5641
摘要： 本发明涉及存储器控制器、存储器芯片和用于操作存储单元集合的方法。操作过程提供用于使有关存储单元的特性参数的水平的数量最大化的成本有效方法。所述过程利用统计分析以确定与特性参数值相关的最可能的二进制值。在一个实施例中，接收单元读取包含目标存储单元的存储单元集合中的各存储单元的特性参数的值。产生单元对于存储单元集合的可能的二进制值中的每一个产生特性参数的概率分布函数。产生单元使用所述概率分布函数以确定目标存储单元的特性参数的偏移值的可能值范围。目标存储单元的特性参数值被转换成概率最高的二进制值。
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公开(公告)号：CN101217057A
公开(公告)日：2008-07-09
申请号：CN200810001976.5
申请日：2008-01-04
申请人： 国际商业机器公司
发明人： 林仲汉
CPC分类号： G11C11/5628 , G11C7/16 , G11C11/56 , G11C11/5642 , G11C16/3418 , G11C16/3431 , G11C27/005 , G11C2211/5641
摘要： 本发明涉及存储器控制器、存储器芯片和用于操作存储单元集合的方法。操作过程提供用于使有关存储单元的特性参数的水平的数量最大化的成本有效方法。所述过程利用统计分析以确定与特性参数值相关的最可能的二进制值。在一个实施例中，接收单元读取包含目标存储单元的存储单元集合中的各存储单元的特性参数的值。产生单元对于存储单元集合的可能的二进制值中的每一个产生特性参数的概率分布函数。产生单元使用所述概率分布函数以确定目标存储单元的特性参数的偏移值的可能值范围。目标存储单元的特性参数值被转换成概率最高的二进制值。
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公开(公告)号：CN101140931A
公开(公告)日：2008-03-12
申请号：CN200710146550.4
申请日：2007-08-20
申请人： 国际商业机器公司
IPC分类号： H01L27/088 , H01L21/308 , H01L21/8234
CPC分类号： H01L21/823487 , H01L27/088
摘要： 垂直场效应晶体管半导体结构和制造垂直场效应晶体管半导体结构的方法提供半导体柱的阵列。半导体柱的阵列中的每个半导体柱的每个垂直部分具有大于与邻近半导体柱的分离距离的线宽。可选地，阵列包括具有不同线宽的半导体柱，可选地在上述线宽和分离距离限定的范围中。制造半导体柱的阵列的方法使用在使用作为蚀刻掩模之前环形增加至少一层隔离层的最小光刻尺寸的柱掩模层。
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公开(公告)号：CN101136453A
公开(公告)日：2008-03-05
申请号：CN200710147733.8
申请日：2007-08-27
申请人： 国际商业机器公司
CPC分类号： H01L45/04 , H01L27/2436 , H01L45/06 , H01L45/1226 , H01L45/143 , H01L45/144 , H01L45/146 , H01L45/147 , H01L45/148 , H01L45/1675 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： 一种包括半导体部件和相变材料的存储单元。所述半导体部件限定了凹槽，所述凹槽将所述半导体部件分成第一电极和第二电极。所述相变材料至少部分地填充此凹槽并用于电连接所述第一和第二电极。所述相变材料的至少一部分可用于在较低和较高电阻状态之间切换，以响应将开关信号施加到所述第一和第二电极中的至少一个电极。
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公开(公告)号：CN103714851B
公开(公告)日：2016-08-10
申请号：CN201310455246.3
申请日：2013-09-29
申请人： 国际商业机器公司
IPC分类号： G11C11/56
摘要： 本发明涉及一种多位电阻测量的方法和电路。一个实例实施例是一种用于确定存储单元的二进制值的方法，所述二进制值由所述存储单元的电阻电平表示。所述方法包括反复将具有不同电容的分路电容器充电，直到选定分路电容器导致所述电压在预定时间范围内通过所述存储单元衰减到参考电压。根据所述选定分路电容器而确定所述存储单元的最高有效位的二进制值。然后将所述选定分路电容器充电到第二电压，并根据所述选定分路电容器处的所述第二电压通过所述存储单元的衰减，确定所述存储单元的最低有效位的二进制值。
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公开(公告)号：CN100580970C
公开(公告)日：2010-01-13
申请号：CN200710186766.3
申请日：2007-11-16
申请人： 国际商业机器公司
发明人： 格哈德·I·梅杰 , 阿莱詹德罗·G·施罗特 , 西格弗里德·F·卡格 , 埃里克·A·约瑟夫 , 林仲汉 , 约翰尼斯·G·贝德诺兹
摘要： 本发明涉及一种存储单元，包括：电阻性结构；至少两个耦接至所述电阻性结构的电极；以及至少一个蓄氢结构，其中向所述至少两个电极之一施加电信号使得所述电阻性结构的电阻通过改变该电阻性结构中的氢离子浓度而被改变。
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公开(公告)号：CN101620884A
公开(公告)日：2010-01-06
申请号：CN200910150841.X
申请日：2009-06-23
申请人： 国际商业机器公司
IPC分类号： G11C15/00
CPC分类号： G11C15/02 , G11C11/16 , G11C13/0004 , G11C15/04 , G11C15/046
摘要： 本发明涉及使用相变器件的高密度内容寻址存储器。一种在存储器元件中存储存储的字的内容寻址存储器阵列。每个存储器元件存储至少两个互补的二进制位中的一个作为至少两个互补电阻中的一个。每个存储器元件被电耦合至存取器件。内容寻址存储器阵列的一个方面是使用偏置电路使存取器件在搜索操作期间偏置。在搜索操作期间，接收包含位串的搜索字。每个存取器件被偏置至在搜索字中的对应搜索位的互补电阻值。如果存储在存储器元件中的位与由存取器件中的电阻表示的位互补，则指示出搜索字与存储的字之间的匹配。
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