Invention Grant
CN101145384B 半导体存储器装置及其数据掩蔽方法
失效 - 权利终止
- Patent Title: 半导体存储器装置及其数据掩蔽方法
- Patent Title (English): Semiconductor memory apparatus and data masking method of the same
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Application No.: CN200710096961.7Application Date: 2007-04-19
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Publication No.: CN101145384BPublication Date: 2010-05-26
- Inventor: 尹相植
- Applicant: 海力士半导体有限公司
- Applicant Address: 韩国京畿道利川市
- Assignee: 海力士半导体有限公司
- Current Assignee: 海力士半导体有限公司
- Current Assignee Address: 韩国京畿道利川市
- Agency: 北京集佳知识产权代理有限公司
- Agent 杨生平; 朱胜
- Priority: 10-2006-0088742 2006.09.13 KR
- Main IPC: G11C7/10
- IPC: G11C7/10

Abstract:
一种存储器装置,其包含:存储器单元块;数据输入部,其执行信号处理,以将输入至所述半导体存储器装置的一般数据与掩蔽信息传送至所述存储器单元块,并输出经处理的数据与信息;宽带数据线,其连接于所述数据输入部与所述存储器单元块之间;多个寄存器,其连接至所述宽带数据线,以写入经由所述宽带数据线传送的掩蔽信息;以及多工器,其响应于掩蔽信息选择信号,从所述多个寄存器之一中选择掩蔽信息,并输出所选择的掩蔽信息至所述存储器单元块,其中掩蔽信息被写入所有寄存器中的操作时间段等于数据被写入所述存储器单元块中的操作时间段。
Public/Granted literature
- CN101145384A 半导体存储器装置及其数据掩蔽方法 Public/Granted day:2008-03-19
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