发明公开
- 专利标题： 半导体激光器件
- 专利标题（英）： Semiconductor laser device
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申请号： CN200680010188.1申请日： 2006-03-30
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公开(公告)号： CN101151776A公开(公告)日： 2008-03-26
- 发明人: 藤本毅
- 申请人： 奥普拓能量株式会社
- 申请人地址： 日本千叶县
- 专利权人： 奥普拓能量株式会社
- 当前专利权人： 奥普拓能量株式会社
- 当前专利权人地址： 日本千叶县
- 代理机构： 永新专利商标代理有限公司
- 代理商 胡建新
- 优先权： 100209/2005 2005.03.30 JP
- 国际申请： PCT/JP2006/306759 2006.03.30
- 国际公布： WO2006/106886 JA 2006.10.12
- 进入国家日期： 2007-09-28
- 主分类号： H01S5/24
- IPC分类号： H01S5/24 ; H01S5/323
摘要：
本发明的目的是提供一种高输出增益波导型半导体激光器件，通过抑制(100)DLD生成，而具有高可靠性。半导体激光器件具备增益波导型的半导体激光构造部，该半导体激光构造部形成在形成了沿振荡方向延伸的2个沟槽的半导体基板上，电流注入条设置为被该沟槽夹着。优选半导体激光器件的特征为，构成所述半导体激光器件的活性层的量子阱由GaAs形成。
公开/授权文献
- CN101151776B 半导体激光器件 公开/授权日：2010-07-21