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公开(公告)号：CN119447984A
公开(公告)日：2025-02-14
申请号：CN202411567085.1
申请日：2024-11-05
Applicant: 常州纵慧芯光半导体科技有限公司
Abstract: 本发明提供一种多结面发射激光器及发光模组，通过在衬底上依次层叠的第一反射层、至少两个PN结或P‑I‑N结组成的有源区域和第二反射层，PN结或P‑I‑N结之间通过隧道结连接；其中，衬底的材料为砷化镓或者磷化铟，的晶面为{n11}晶面族，n为0或者大于1的整数，利用非(001)取向的衬底，量子阱可以在VCSEL中获得各向异性增益，从而控制量子阱平面中(有源区域)的偏振从而获得更高增益，无需增设光栅结构，简化制备工艺，降低制备成本。
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公开(公告)号：CN119384776A
公开(公告)日：2025-01-28
申请号：CN202280097098.X
申请日：2022-06-22
Applicant: 三菱电机株式会社
Inventor： 冈崎拓行
Abstract: 本公开的半导体光集成元件具备：InxGa1－xAsyP1－y(0≤x≤1，0≤y≤1)层，形成于具有高台面脊结构的半导体层叠体的最表面；第一氮化膜，通过CVD法或者ALD法形成在InxGa1－xAsyP1－y(0≤x≤1，0≤y≤1)层之上；绝缘中间膜，在第一氮化膜之上由高分子化合物层或者通过CVD法形成的绝缘膜构成，具有#imgabs0#以上的膜厚；以及第二氮化膜，是在绝缘中间膜之上使用CVD法形成的膜厚为#imgabs1#以上的氮化膜或者使用ALD法形成的膜厚为#imgabs2#以上的氮化膜。由此，能够提供具备在具有覆盖性的同时抑制了剥离以及浮起的表面保护膜的具有高台面脊结构的半导体光集成元件。
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公开(公告)号：CN115249946B
公开(公告)日：2025-01-28
申请号：CN202110461647.4
申请日：2021-04-27
Applicant: 山东华光光电子股份有限公司
Abstract: 本发明涉及一种优化腐蚀终止层的980nm半导体激光器及其制备方法。所述激光器包括由下至上依次设置的衬底、缓冲层、下限制层、下波导层、Inx3Ga1‑x3As第一量子阱、垒层、Inx5Ga1‑x5As第二量子阱、上波导层、第一上限制层、GaAs1‑x8Px8第一过渡层、Ga1‑x9Inx9P腐蚀终止层、GaAs1‑x10Px10第二过渡层、第二上限制层和帽层。本发明通过第一过渡层及第二过渡层优化腐蚀终止层与限制层生长界面，减少As/P切换引入的缺陷，导致材料生长质量变差，同时压应变GaInP与张应变GaAsP应变补偿，优化材料生长质量，提高激光器光电转换效率。
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公开(公告)号：CN112993758B
公开(公告)日：2024-09-17
申请号：CN202011410175.1
申请日：2020-12-04
Applicant: 卢米诺技术公司
Abstract: 本申请公开了用于超表面调谐的等离子体色散效应。一种提供对光的低损耗且高带宽调制控制的有源超表面包括布置在衬底上的多个晶胞。控制器动态地更改供应给所述晶胞中的每一个的电极的电压差以更改所述高指数电介质块中的每一个的折射指数，以便可控地使离开所述晶胞的光转向。
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公开(公告)号：CN118508229A
公开(公告)日：2024-08-16
申请号：CN202410491679.2
申请日：2024-04-23
Applicant: 厦门银科启瑞半导体科技有限公司
Abstract: 本发明提供了一种低串联电阻的Vcse l结构及其制备方法，包括依序GaAs衬底、GaAs缓冲层、第一N型DBR反射层、谐振腔层、第二N型DBR反射层，其中，所述第二N型DBR反射层远离GaAs的表面层生长高参杂的帽层形成金属欧姆接触层，所述谐振腔层包含从下至上依序层叠设置的限制层、MQW层、氧化层、隧穿结P型层、隧穿结N型层，本发明以N型DBR代替了传统的P型DBR，避免了P型DBR中载流子迁移率较低、空穴有效质量较大带来的电阻大的问题，降低第一N型DBR反射层和第二N型DBR反射层串联后的阻值，提高了发光效率，降低发热，进而提高Vcse l结构的整体性能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111641105B
公开(公告)日：2024-08-16
申请号：CN202010126964.6
申请日：2020-02-28
Applicant: 富士胶片商业创新有限公司 , 国立大学法人东京工业大学
Abstract: 半导体光放大元件及放大器、光输出装置及距离计测装置。半导体光放大元件具有：光源部，其形成在基板上；以及光放大部，其具有从所述光源部沿着所述基板的基板表面向预定的方向延伸而形成的导电区域以及在所述导电区域的周围形成的非导电区域，对从所述光源部向所述预定的方向进行慢光传播的传播光进行放大，并向与所述基板表面交叉的射出方向射出放大后的所述传播光。所述传播光的最大光输出大于垂直振荡模式的最大光输出。
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公开(公告)号：CN114552380B
公开(公告)日：2024-08-06
申请号：CN202011351156.6
申请日：2020-11-25
Applicant: 上海禾赛科技有限公司
Abstract: 一种谐振腔、激光单元及芯片和激光器及形成方法、激光雷达，所述谐振腔包括：有源区；第一反射镜和第二反射镜，在激光传播方向上，所述第一反射镜和所述第二反射镜位于所述有源区的两侧，其中，所述第一反射镜包括：第一反射部和位于所述第一反射部和所述有源区之间的第二反射部，所述第二反射部的材料包括第一掺杂离子，所述第二反射镜的材料包括第二掺杂离子，所述第一掺杂离子和所述第二掺杂离子的导电类型相反。所述谐振腔能够在保证导电性能的同时，降低光的吸收率，有利于减小谐振腔的损耗，有利于增强发光强度。
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公开(公告)号：CN114552385B
公开(公告)日：2024-07-19
申请号：CN202210167214.2
申请日：2022-02-23
Applicant: 安徽格恩半导体有限公司
Inventor： 丁志鹏
Abstract: 本发明提供一种GaN基激光二极管结构及制造方法，包括依次层叠设置的N电极、n型GaN衬底、N覆盖层、N波导层、发光活性层、P波导层、电子阻挡层、钝化层和界面绝缘层；P型电子阻挡层上表面凸出设有脊条，脊条包括P覆盖层、P接触层和P接触电极层；脊条一侧的钝化层纵截面呈倒Z字形，第一水平段置于脊条上表面，竖直段置于脊条的一侧面，第二水平段置于P型电子阻挡层上表面；脊条另一侧的钝化层纵截面呈Z字形，脊条两侧的钝化层对称设置；界面绝缘层设在P型电子阻挡层的上表面，位于第二水平段的侧部；在界面绝缘层的上表面设有第一金属层，在第一金属层、钝化层和脊条上还设有P电极。其在实现光学限制层的前提下进一步提高散热效果。
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公开(公告)号：CN118315935A
公开(公告)日：2024-07-09
申请号：CN202410655991.0
申请日：2024-05-24
Applicant: 香港中文大学(深圳)
Abstract: 本发明涉及一种电驱动拓扑钙钛矿激光器及其制备方法，其中激光器包括封装体热沉层；二氧化硅基底层，所述二氧化硅基底层设置在所述封装体热沉层的上方；拓扑光子晶体腔体层，所述拓扑光子晶体腔体层设置在所述二氧化硅基底层的上方；钙钛矿薄膜层，所述钙钛矿薄膜层设置在所述拓扑光子晶体腔体层的上方；其中，所述二氧化硅基底层的一侧设置有N型层结构，所述拓扑光子晶体腔体层的一侧设置有P型层结构，所述P型层结构设置在所述N型层结构的上方。通过创新的激光器激发方式，优化钙钛矿激光器的性能和应用效率。该结构提高激光输出稳定性和使用寿命，简化制备和操作流程。
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公开(公告)号：CN113490996B
公开(公告)日：2024-06-25
申请号：CN202080017652.X
申请日：2020-02-21
Applicant: 欧司朗光电半导体有限公司
Abstract: 提出一种用于发射辐射的半导体器件(10)的生长结构(1)，其包括：‑包含基于砷化物化合物半导体的材料的半导体衬底(2)，‑设置在所述半导体衬底(2)上且包含基于砷化物化合物半导体的材料的缓冲结构(3)，以及‑具有至少一个n掺杂层(5)的缓冲层(4)，其中所述n掺杂层(5)包含氧。此外，提出一种具有生长结构(1)的发射辐射的半导体器件(10)。
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