发明公开
- 专利标题: 半导体器件及其制造方法
- 专利标题(英): Semiconductor device and method of fabricating the same
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申请号: CN200710153174.1申请日: 2007-09-28
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公开(公告)号: CN101154629A公开(公告)日: 2008-04-02
- 发明人: 南瑞佑 , 文永俊 , 慎烘縡 , 李来寅
- 申请人: 三星电子株式会社
- 申请人地址: 韩国京畿道
- 专利权人: 三星电子株式会社
- 当前专利权人: 三星电子株式会社
- 当前专利权人地址: 韩国京畿道
- 代理机构: 北京市柳沈律师事务所
- 代理商 张波; 陶凤波
- 优先权: 95116/06 2006.09.28 KR
- 主分类号: H01L21/8238
- IPC分类号: H01L21/8238 ; H01L21/768 ; H01L27/092 ; H01L23/522
摘要:
一种半导体器件,其包括:第一应力膜,其覆盖第一晶体管区以及界面区的第三栅电极的至少一部分;第二应力膜,其覆盖第二晶体管区并与所述界面区的第三栅电极上的第一应力膜的至少一部分重叠;以及形成于所述第一和第二应力膜上的层间绝缘膜。所述半导体器件还包括:穿过所述第一晶体管区内的层间绝缘膜和第一应力膜形成的多个第一接触孔;穿过所述第二晶体管区内的层间绝缘膜和第二应力膜形成的多个第二接触孔;以及穿过所述界面区内的层间绝缘膜、第二应力膜和第一应力膜形成的第三接触孔。其中形成了所述第三接触孔的所述第三栅电极的上侧的凹陷部分的深度大于或等于其中形成了所述第一接触孔的所述第一栅电极的上侧的凹陷部分的深度。
公开/授权文献
- CN101154629B 半导体器件及其制造方法 公开/授权日:2012-01-25