公开(公告)号：CN101101890A

公开(公告)日：2008-01-09

申请号：CN200710137953.2

申请日：2007-06-22

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 徐奉锡 ,  慎烘縡 ,  李宣姃 ,  宣敏喆 ,  李正勋

IPC分类号： H01L21/8234 ,  H01L21/768 ,  H01L27/04 ,  H01L23/522

CPC分类号： H01L21/76846

摘要： 本发明涉及一种制造半导体器件的方法及由此制造的半导体器件。该制造半导体器件的方法包括：在半导体衬底上形成栅电极；在所述半导体衬底中形成源/漏区域使得源/漏区域位于每个所述栅电极的两侧；通过在形成有栅电极和源/漏区域的半导体衬底上蒸镀镍或镍合金且然后对镍或镍合金进行热处理，在所述栅电极和所述源/漏区域表面上形成镍硅化物层；在执行上述工艺后获得的表面上形成层间绝缘层，该层间绝缘层形成有接触孔，所述镍硅化物层的表面通过所述接触孔暴露；通过蒸镀难熔金属保形地沿着所述接触孔形成欧姆层，该难熔金属在500℃或更高的温度转化为硅化物；保形地沿着所述接触孔在所述欧姆层上形成扩散阻挡层；以及通过在所述接触孔中填埋金属材料而形成金属层。

公开(公告)号：CN101154629B

公开(公告)日：2012-01-25

申请号：CN200710153174.1

申请日：2007-09-28

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 南瑞佑 ,  文永俊 ,  慎烘縡 ,  李来寅

IPC分类号： H01L21/8238 ,  H01L21/768 ,  H01L27/092 ,  H01L23/522

CPC分类号： H01L21/823807 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76816 ,  H01L21/76829 ,  H01L21/76832 ,  H01L21/823871 ,  H01L29/7843 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： 一种半导体器件，其包括：第一应力膜，其覆盖第一晶体管区以及界面区的第三栅电极的至少一部分；第二应力膜，其覆盖第二晶体管区并与所述界面区的第三栅电极上的第一应力膜的至少一部分重叠；以及形成于所述第一和第二应力膜上的层间绝缘膜。所述半导体器件还包括：穿过所述第一晶体管区内的层间绝缘膜和第一应力膜形成的多个第一接触孔；穿过所述第二晶体管区内的层间绝缘膜和第二应力膜形成的多个第二接触孔；以及穿过所述界面区内的层间绝缘膜、第二应力膜和第一应力膜形成的第三接触孔。其中形成了所述第三接触孔的所述第三栅电极的上侧的凹陷部分的深度大于或等于其中形成了所述第一接触孔的所述第一栅电极的上侧的凹陷部分的深度。

公开(公告)号：CN1649126A

公开(公告)日：2005-08-03

申请号：CN200510005832.3

申请日：2005-01-27

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 李敬雨 ,  慎烘縡 ,  金在鹤 ,  魏荣振 ,  李承珍 ,  朴起宽

IPC分类号： H01L21/768 ,  H01L23/52

CPC分类号： H01L21/76808 ,  H01L21/76801 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/76829

摘要： 本发明公开了用于形成互连线的方法和互连线结构。该方法包括：在半导体衬底上形成层间绝缘层，其中该层间绝缘层由掺碳的低k值介电层形成；在该层间绝缘层上形成氧化阻挡层；在该氧化阻挡层上形成氧化物覆盖层；在该氧化物覆盖层、氧化阻挡层和层间绝缘层中形成通孔；在该通孔之内形成导电层图案。

公开(公告)号：CN102157381B

公开(公告)日：2015-09-16

申请号：CN201110036456.X

申请日：2011-02-10

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 张钟光 ,  池承宪 ,  慎烘縡 ,  郑龙镇 ,  吴怜默 ,  李周范

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L21/28 ,  H01L21/8238

CPC分类号： H01L21/823864 ,  H01L21/28079 ,  H01L21/28088 ,  H01L21/28123 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823814 ,  H01L21/823842 ,  H01L29/165 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/7834 ,  H01L29/7848

摘要： 本发明提供了一种制造半导体装置的方法，该方法包括以下步骤：提供半导体基板；在半导体基板上形成栅极图案，使得栅极图案包括栅极介电层和牺牲栅电极；在半导体基板和栅极图案上形成蚀刻停止层和介电层；去除介电层的一部分，以暴露蚀刻停止层；对蚀刻停止层执行回蚀工艺，以暴露牺牲栅电极；去除牺牲栅电极，以形成沟槽；在包括沟槽的半导体基板上形成金属层；去除金属层的一部分，以暴露介电层；按预定的目标对金属层执行回蚀工艺。

公开(公告)号：CN102157381A

公开(公告)日：2011-08-17

申请号：CN201110036456.X

申请日：2011-02-10

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 张钟光 ,  池承宪 ,  慎烘縡 ,  郑龙镇 ,  吴怜默 ,  李周范

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L21/28 ,  H01L21/8238

CPC分类号： H01L21/823864 ,  H01L21/28079 ,  H01L21/28088 ,  H01L21/28123 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823814 ,  H01L21/823842 ,  H01L29/165 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/7834 ,  H01L29/7848

摘要： 本发明提供了一种制造半导体装置的方法，该方法包括以下步骤：提供半导体基板；在半导体基板上形成栅极图案，使得栅极图案包括栅极介电层和牺牲栅电极；在半导体基板和栅极图案上形成蚀刻停止层和介电层；去除介电层的一部分，以暴露蚀刻停止层；对蚀刻停止层执行回蚀工艺，以暴露牺牲栅电极；去除牺牲栅电极，以形成沟槽；在包括沟槽的半导体基板上形成金属层；去除金属层的一部分，以暴露介电层；按预定的目标对金属层执行回蚀工艺。

公开(公告)号：CN100349281C

公开(公告)日：2007-11-14

申请号：CN200510005832.3

申请日：2005-01-27

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 李敬雨 ,  慎烘縡 ,  金在鹤 ,  魏荣振 ,  李承珍 ,  朴起宽

IPC分类号： H01L21/768 ,  H01L23/52

CPC分类号： H01L21/76808 ,  H01L21/76801 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/76829

摘要： 本发明公开了用于形成互连线的方法和互连线结构。该方法包括：在半导体衬底上形成层间绝缘层，其中该层间绝缘层由掺碳的低k值介电层形成；在该层间绝缘层上形成氧化阻挡层；在该氧化阻挡层上形成氧化物覆盖层；在该氧化物覆盖层、氧化阻挡层和层间绝缘层中形成通孔；在该通孔之内形成导电层图案。

公开(公告)号：CN1074557A

公开(公告)日：1993-07-21

申请号：CN92112747.2

申请日：1992-11-06

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 河定旼 ,  慎烘縡 ,  金永郁

IPC分类号： H01L23/48 ,  H01L23/488 ,  H01L23/58 ,  H01L21/28 ,  H01L21/31

CPC分类号： H01L24/02 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01011 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01042 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/05042

摘要： 本发明涉及一半导体装置，包括电连接半导体装置的金属导线至外壳引线的焊接块，以及一覆盖该焊接块和金属导线的钝化层。该焊接块或金属导线具有钝角或圆形拐角。钝化层中的裂纹的产生得到显著抑制，从而提高了半导体装置的可靠性。

公开(公告)号：CN101154629A

公开(公告)日：2008-04-02

申请号：CN200710153174.1

申请日：2007-09-28

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 南瑞佑 ,  文永俊 ,  慎烘縡 ,  李来寅

IPC分类号： H01L21/8238 ,  H01L21/768 ,  H01L27/092 ,  H01L23/522

CPC分类号： H01L21/823807 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76816 ,  H01L21/76829 ,  H01L21/76832 ,  H01L21/823871 ,  H01L29/7843 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： 一种半导体器件，其包括：第一应力膜，其覆盖第一晶体管区以及界面区的第三栅电极的至少一部分；第二应力膜，其覆盖第二晶体管区并与所述界面区的第三栅电极上的第一应力膜的至少一部分重叠；以及形成于所述第一和第二应力膜上的层间绝缘膜。所述半导体器件还包括：穿过所述第一晶体管区内的层间绝缘膜和第一应力膜形成的多个第一接触孔；穿过所述第二晶体管区内的层间绝缘膜和第二应力膜形成的多个第二接触孔；以及穿过所述界面区内的层间绝缘膜、第二应力膜和第一应力膜形成的第三接触孔。其中形成了所述第三接触孔的所述第三栅电极的上侧的凹陷部分的深度大于或等于其中形成了所述第一接触孔的所述第一栅电极的上侧的凹陷部分的深度。

公开(公告)号：CN100355069C

公开(公告)日：2007-12-12

申请号：CN200410031277.7

申请日：2004-03-26

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 慎烘縡

IPC分类号： H01L23/52 ,  H01L23/48 ,  H01L21/768 ,  H01L21/60 ,  H01L21/28

CPC分类号： H01L24/05 ,  H01L23/53295 ,  H01L24/03 ,  H01L24/48 ,  H01L2224/02166 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05093 ,  H01L2224/05567 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05684 ,  H01L2224/48463 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01007 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/30105 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/05552

摘要： 提供一种对封装时所产生的冲击具有较强的抗冲击性的半导体装置及其制造方法。在焊盘部A和电路部B的整个衬底(1)上形成低介电常数膜(11)。在低介电常数膜(11)上形成光致抗蚀剂图形(13)，将该光致抗蚀剂图形(13)作为掩膜在焊盘部A的低介电常数膜(11)内形成开口(14)。在该开口(14)内采用液相沉积法形成强度比低介电常数膜(11)还高的氧化硅膜(15)。采用镶嵌法在氧化硅膜(15)内形成焊盘通路(17)，同时在电路部B的低介电常数膜(11)内形成Cu镶嵌布线(16)。

公开(公告)号：CN1812074A

公开(公告)日：2006-08-02

申请号：CN200510129423.4

申请日：2005-12-08

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 李敬雨 ,  慎烘縡 ,  金在鹤

IPC分类号： H01L21/768

CPC分类号： H01L21/76808

摘要： 本发明公开了一种双金属镶嵌互连结构的方法和半导体器件的方法。在形成双金属镶嵌互连结构的方法中，使用了一种含生孔剂(气孔形成剂)的牺牲材料来填充层间介电层中的通孔，从而可以将牺牲材料转变为可以容易地从通孔去除而不损伤或去除层间介电层的多孔牺牲材料。