磁阻效应元件、薄膜磁头、磁头万向节组件和硬盘装置
摘要:
本发明是一种具有间隔层、夹持上述间隔层而层叠形成的磁化固定层和自由层的,在层叠方向施加读出电流的CPP(Current Perpendicularto Plane:电流垂直于平面)结构的巨磁阻效应元件(CPP-GMR元件),由于上述自由层具有使磁化方向随外部磁场变化的功能,上述间隔层具有由非磁性金属材料形成的第1非磁性金属层和第2非磁性金属层以及在所述第1非磁性金属层与第2非磁性金属层之间形成的半导体层,上述半导体层是n型的氧化物半导体,上述第1非磁性金属层是在成膜顺序比上述第2非磁性金属层先成膜的膜,在该第1非磁性金属层与上述半导体层之间,形成防氧化层,上述防氧化层由在与上述半导体层的接合中不生成肖特基势垒(Schottoky barrier)的材料形成,故在不使磁头噪声增大,得到高的MR特性的同时,得到抑制元件面电阻率(AR)的分散性,使膜特性的可靠性得到格外提高的极其优异的效果。
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