在硬盘介质记录信息的热辅助磁记录方法

    公开(公告)号:CN102682788B

    公开(公告)日:2015-09-23

    申请号:CN201210070755.X

    申请日:2012-03-09

    CPC classification number: G11B5/65 G11B5/314 G11B5/6088 G11B5/66 G11B2005/0021

    Abstract: 热辅助磁记录方法包括第1步骤和第2步骤。在第1步骤中,将热施加至硬盘介质的一部分,在硬盘介质的磁记录层形成移动的高温区域。高温区域是温度与其周围相比较高、且为磁记录层的多个磁性粒子的顽磁力消失温度的最大值以上的温度的区域。高温区域的移动方向上的与高温区域的后端邻接的至少1个磁性粒子具有除0以外的值的顽磁力。在第2步骤中,将记录磁场施加至硬盘介质,使得施加至与高温区域的后端邻接的至少1个磁性粒子的记录磁场的大小为3kOe以下。

    包括热辅助磁性记录头的具有两个接线层的头支架组件

    公开(公告)号:CN102376313A

    公开(公告)日:2012-03-14

    申请号:CN201110240373.2

    申请日:2011-08-19

    Abstract: 本发明提供了一种头支架组件(HGA),其中,用于热辅助磁性记录头的电极通过焊料球接合(SBB)可以可靠地电连接至接线组件,所述热辅助磁性记录头包括光源、光电检测器和磁头元件。HGA包括悬挂物,所述悬挂物包括:基底;第一接线组件,用于光源和光电检测器,设置在基底的一个表面侧;以及第二接线组件,用于磁头元件,设置在基底的所述一个表面侧。第一接线组件和第二接线组件从基底向要固定的热辅助磁性记录头伸出。因此,第一和第二接线组件的端部(连接焊盘)可以分别位于与用于光源和光电检测器的电极以及用于磁头元件的电极靠近的位置。这种布置使得可以通过SBB而可靠地实现第一和第二接线组件的端部与电极的电连接。

    磁阻效应元件、薄膜磁头、磁头万向节组件和硬盘装置

    公开(公告)号:CN101174420A

    公开(公告)日:2008-05-07

    申请号:CN200710184983.9

    申请日:2007-10-31

    Abstract: 本发明是一种具有间隔层、夹持上述间隔层而层叠形成的磁化固定层和自由层的,在层叠方向施加读出电流的CPP(Current Perpendicularto Plane:电流垂直于平面)结构的巨磁阻效应元件(CPP-GMR元件),由于上述自由层具有使磁化方向随外部磁场变化的功能,上述间隔层具有由非磁性金属材料形成的第1非磁性金属层和第2非磁性金属层以及在所述第1非磁性金属层与第2非磁性金属层之间形成的半导体层,上述半导体层是n型的氧化物半导体,上述第1非磁性金属层是在成膜顺序比上述第2非磁性金属层先成膜的膜,在该第1非磁性金属层与上述半导体层之间,形成防氧化层,上述防氧化层由在与上述半导体层的接合中不生成肖特基势垒(Schottoky barrier)的材料形成,故在不使磁头噪声增大,得到高的MR特性的同时,得到抑制元件面电阻率(AR)的分散性,使膜特性的可靠性得到格外提高的极其优异的效果。

    热辅助磁头及其制造方法

    公开(公告)号:CN101471075A

    公开(公告)日:2009-07-01

    申请号:CN200810188837.8

    申请日:2008-12-26

    CPC classification number: G11B5/314 G11B2005/0021

    Abstract: 本发明涉及一种热辅助磁头,其特征在于,如果向第1及第2近场光发生部照射激光等能量线,则在两个近场光发生部的前端发生近场光。利用发生的近场光,加热与介质相对面相对的磁记录介质,使磁记录介质的矫顽力降低。由于主磁极的至少一部分位于包含第1及第2近场光发生部之间的区域的光斑区域内,因此,两个近场光发生部的前端和主磁极非常接近,可以进行高密度的记录。

    磁阻效应元件、磁存储单元及磁存储器

    公开(公告)号:CN1610000A

    公开(公告)日:2005-04-27

    申请号:CN200410087732.5

    申请日:2004-10-21

    CPC classification number: G11C11/16

    Abstract: 提供一种能够高效利用由写入线上流动的电流形成的磁场,稳定地进行信息写入,且设计上自由度高的磁存储器件。具有为围住写入字线(6)及写入位线(5)而沿环回方向环状配置的、具有隔着设于环回方向上的一部分的间隙而互相对向的一对开放端(K4)的磁轭(4)以及包含其磁化方向随外部磁场变化而变化的第二磁性层(8)且具有一对端面(K20)的层叠体(S20),层叠体(S20)配置在间隙中,使一对端面(K20)的各端面与一对开放端(K4)的每一端互相对向。从而能够高效地进行第二磁性层(8)的磁化反转,并且与层叠体和磁轭互相连接的情况相比,能够在大的范围内选择构成层叠体(S20)的材料,充分发挥层叠体的磁性能和电性能。

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