Invention Publication
CN101179050A 采用保护的催化剂层的碳纳米管集成电路器件及其制造方法
失效 - 权利终止
- Patent Title: 采用保护的催化剂层的碳纳米管集成电路器件及其制造方法
- Patent Title (English): Method of fabricating semiconductor integrated circuit device and semiconductor integrated circuit device by the same
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Application No.: CN200710167818.2Application Date: 2007-10-26
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Publication No.: CN101179050APublication Date: 2008-05-14
- Inventor: 郑丞弼 , 李善雨 , 崔永文 , 文成昊 , 尹洪植 , 崔锡宪 , 边炅来
- Applicant: 三星电子株式会社
- Applicant Address: 韩国京畿道水原市灵通区梅滩洞416番地
- Assignee: 三星电子株式会社
- Current Assignee: 三星电子株式会社
- Current Assignee Address: 韩国京畿道水原市灵通区梅滩洞416番地
- Agency: 中原信达知识产权代理有限责任公司
- Agent 黄启行; 穆德骏
- Priority: 10-2006-0104545 2006.10.26 KR; 10-2006-0123086 2006.12.06 KR
- Main IPC: H01L21/768
- IPC: H01L21/768 ; H01L23/522 ; H01L23/532
Abstract:
提供一种制造集成电路器件的方法。该方法包括：在半导体衬底上顺序地形成下部互连层、催化剂层以及缓冲层，形成层间介电层以覆盖缓冲层，形成穿过层间介电层的接触孔以便可部分地暴露缓冲层的顶面，去除缓冲层的由接触孔暴露的部分以便可以暴露催化剂层的顶面，以及从催化剂层的由接触孔暴露的部分生长碳纳米管以便接触孔可由碳纳米管填充。
Public/Granted literature
- CN101179050B 采用保护的催化剂层的碳纳米管集成电路器件及其制造方法 Public/Granted day:2011-05-18
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IPC分类:
