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公开(公告)号：CN105470305B
公开(公告)日：2019-04-26
申请号：CN201510622878.3
申请日：2015-09-25
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L29/417 , H01L21/336
Abstract: 本发明公开了一种半导体器件及其制造方法。根据本发明的一个示例实施例，该半导体器件以如下方式提供。有源鳍从衬底突起，沿着一个方向延伸。栅极结构与该有源鳍的第一区域交叉。源极/漏极布置在该有源鳍的第二区域上。该源极/漏极包括上表面及竖直侧表面。竖直侧表面实质上平行于有源鳍的侧表面。
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公开(公告)号：CN115810653A
公开(公告)日：2023-03-17
申请号：CN202211087396.9
申请日：2022-09-07
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/06 , H01L27/088 , H01L21/8234
Abstract: 提供了一种半导体装置。所述半导体装置包括：第一有源图案，在第一方向上延伸；第二有源图案，在第一方向上延伸，第一有源图案设置在第二有源图案与基底之间；栅极结构，在第二方向上延伸，第一有源图案和第二有源图案穿过栅极结构，并且第二方向与第一方向交叉；第一源/漏区，与第一有源图案连接并且设置在栅极结构的侧面上；第二源/漏区，与第二有源图案连接并且设置在第一源/漏区上；第一绝缘结构，设置在基底与第一源/漏区之间，第一绝缘结构不设置在基底与栅极结构之间；以及第二绝缘结构，设置在第一源/漏区与第二源/漏区之间。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101179050A
公开(公告)日：2008-05-14
申请号：CN200710167818.2
申请日：2007-10-26
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/768 , H01L23/522 , H01L23/532
Abstract: 提供一种制造集成电路器件的方法。该方法包括：在半导体衬底上顺序地形成下部互连层、催化剂层以及缓冲层，形成层间介电层以覆盖缓冲层，形成穿过层间介电层的接触孔以便可部分地暴露缓冲层的顶面，去除缓冲层的由接触孔暴露的部分以便可以暴露催化剂层的顶面，以及从催化剂层的由接触孔暴露的部分生长碳纳米管以便接触孔可由碳纳米管填充。
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公开(公告)号：CN115706154A
公开(公告)日：2023-02-17
申请号：CN202210484588.7
申请日：2022-05-06
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/417 , H01L29/423 , H01L27/088
Abstract: 公开了半导体装置。所述半导体装置包括：有源图案，在基底上沿第一方向延伸；第一下部源极/漏极图案和第二下部源极/漏极图案，设置在有源图案上并且在第一方向上彼此间隔开；第一上部源极/漏极图案，设置在第一下部源极/漏极图案上；第二上部源极/漏极图案，设置在第二下部源极/漏极图案上；以及栅电极，与有源图案交叉，并且在与第一方向交叉的第二方向上延伸。栅电极包括在第三方向上与有源图案重叠的重叠部分，第三方向垂直于第一方向和第二方向。所述重叠部分在第二方向上的长度小于第一下部源极/漏极图案在第二方向上的长度。
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公开(公告)号：CN102751346A
公开(公告)日：2012-10-24
申请号：CN201210120788.0
申请日：2012-04-23
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L31/0352 , H01L31/06 , H01L31/0336
CPC classification number: H01L31/043 , Y02E10/50
Abstract: 本发明提供了太阳能电池。根据示例实施例，太阳能电池包括第一单元部分、第二单元部分和绝缘层。第一和第二单元部分可以具有不同的带隙，绝缘层可以在第一单元部分与第二单元部分之间。
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公开(公告)号：CN105470305A
公开(公告)日：2016-04-06
申请号：CN201510622878.3
申请日：2015-09-25
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L29/417 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/7853 , H01L29/045 , H01L29/41791 , H01L29/66545 , H01L29/66795 , H01L29/7848 , H01L29/785
Abstract: 本发明公开了一种半导体器件及其制造方法。根据本发明的一个示例实施例，该半导体器件以如下方式提供。有源鳍从衬底突起，沿着一个方向延伸。栅极结构与该有源鳍的第一区域交叉。源极/漏极布置在该有源鳍的第二区域上。该源极/漏极包括上表面及竖直侧表面。竖直侧表面实质上平行于有源鳍的侧表面。
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公开(公告)号：CN101179050B
公开(公告)日：2011-05-18
申请号：CN200710167818.2
申请日：2007-10-26
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/768 , H01L23/522 , H01L23/532
Abstract: 提供一种制造集成电路器件的方法。该方法包括：在半导体衬底上顺序地形成下部互连层、催化剂层以及缓冲层，形成层间介电层以覆盖缓冲层，形成穿过层间介电层的接触孔以便可部分地暴露缓冲层的顶面，去除缓冲层的由接触孔暴露的部分以便可以暴露催化剂层的顶面，以及从催化剂层的由接触孔暴露的部分生长碳纳米管以便接触孔可由碳纳米管填充。
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