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发明授权
CN101179178B 氮化物半导体器件及其制造方法 有权 转让

氮化物半导体器件及其制造方法
摘要：
本发明公开了一种氮化物半导体器件及其制造方法。所述器件防止裂纹产生、带有具有均匀厚度和好的生长表面平整度的氮化物半导体薄膜，且因此特性稳定，而且能以满意的成品率制造。在此氮化物半导体器件中，氮化物半导体薄膜生长于在垂直于脊表面的方向与晶体方向 之间具有倾斜角的衬底上。这有助于减小或有意加速在其整个迁移中氮化物半导体薄膜的源材料的原子或分子的扩散或移动。结果，能形成具有好的表面平整度的氮化物半导体生长层，且因此能获得具有满意特性的氮化物半导体器件。
摘要（英）：

The invention discloses a nitride semiconductor device and a manufacturing method thereof. The nitride semiconductor device is provided that prevents development of cracks, that has nitride semiconductor thin films with uniform thicknesses and good growth surface flatness, and is thus consistent in characteristics, and that can be fabricated at a satisfactory yield.

公开/授权文献
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