发明授权
- 专利标题: 蚀刻形貌控制
- 专利标题(英): Etch profile control
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申请号: CN200680018829.8申请日: 2006-03-07
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公开(公告)号: CN101185157B公开(公告)日: 2011-02-02
- 发明人: 卡梅利娅·鲁苏 , 黄志松 , 穆昆德·斯里尼瓦桑 , 埃里克·A·赫德森 , 阿龙·埃普勒
- 申请人: 朗姆研究公司
- 申请人地址: 美国加利福尼亚州
- 专利权人: 朗姆研究公司
- 当前专利权人: 朗姆研究公司
- 当前专利权人地址: 美国加利福尼亚州
- 代理机构: 上海华晖信康知识产权代理事务所
- 代理商 樊英如
- 优先权: 11/095,932 2005.03.30 US
- 国际申请: PCT/US2006/008302 2006.03.07
- 国际公布: WO2006/107495 EN 2006.10.12
- 进入国家日期: 2007-11-29
- 主分类号: H01L21/311
- IPC分类号: H01L21/311
摘要:
提供了一种用于蚀刻位于基片上且置于掩模下的介电层的方法。基片设置于等离子体处理室中。提供包括O2和硫成分气体的蚀刻剂气体到等离子体室,该硫成分气体包括H2S和含有至少一个碳硫键的化合物中的至少一种。等离子体从蚀刻剂气体形成。利用来自于蚀刻剂气体的等离子体,穿过光刻胶掩模,特征被蚀刻到蚀刻层中。
公开/授权文献
- CN101185157A 蚀刻形貌控制 公开/授权日:2008-05-21
IPC分类: