用于阻抗匹配的反馈控制系统

    公开(公告)号:CN118922908A

    公开(公告)日:2024-11-08

    申请号:CN202280093801.X

    申请日:2022-05-20

    IPC分类号: H01J37/32 H03H7/38

    摘要: 描述了用于阻抗匹配的反馈控制系统的方法、系统和介质。公开了一种阻抗匹配和功率分配网络用的计算机程序产品。该计算机程序产品可包含计算机可执行的指令,该计算机可执行的指令可获得现在时间处与处理室的站相关的可变电抗的现在值,其中该可变电抗与用于针对该处理室进行阻抗匹配的第一反馈控制系统相关,其中在与用于针对该处理室进行阻抗匹配的第二反馈控制系统相关的该处理室的RF产生器上进行频率调谐。该计算机可执行的指令可至少部分基于与该第二反馈控制系统相关的误差,确定待与该第一反馈控制系统关联使用的针对该站的该可变电抗的更新的值。

    用于中央频率调谐的系统和方法
    2.
    发明公开

    公开(公告)号:CN118872023A

    公开(公告)日:2024-10-29

    申请号:CN202280092007.3

    申请日:2022-12-21

    IPC分类号: H01J37/32

    摘要: 描述了用于中央频率调谐的系统和方法。方法中的一种包括接收来自耦合到低频(LF)射频(RF)发生器和高频(HF)RF发生器的匹配器的输出的电压信号。该方法还包括针对由LF RF发生器产生的LF RF信号的每个周期将电压信号分成多个区间。该方法还包括从多个区间中识别发生过零点的第一区间,访问针对预定数量的多个区间的出现的参数测量值,并基于参数测量值计算第一区间的HF RF发生器的操作频率。该方法包括控制HF RF发生器在第一区间的出现期间以操作频率操作。

    等离子体辅助的半导体处理方法及其装置以及一种用于等离子体辅助的半导体沉积的装置

    公开(公告)号:CN118866640A

    公开(公告)日:2024-10-29

    申请号:CN202410707506.X

    申请日:2019-02-22

    IPC分类号: H01J37/32 H01L21/3065

    摘要: 提供了一种在处理室中的多个站中进行等离子体辅助的半导体处理的方法。该方法包括:a)在所述多个站中的每个站处提供衬底;b)将RF功率分配给多个站,从而在所述站内产生等离子体,其中,根据被调节以减小站与站之间的变化的RF功率参数来分配所述RF功率;c)调谐所述RF功率的频率,其中,调谐所述频率包括:i)测量所述等离子体的电流,ii)根据(i)中所测得的所述电流确定所述RF功率的所述频率的变化,以及iii)调节所述RF功率的所述频率;以及d)在每个站处在所述衬底上执行半导体处理操作。

    从衬底处理系统的ESC中检测衬底的部分松开

    公开(公告)号:CN111684578B

    公开(公告)日:2024-09-27

    申请号:CN201980012049.X

    申请日:2019-01-28

    摘要: 提供一种部分松开检测系统并且其包括发光电路、分光计和系统控制器。所述发光电路被配置为在将衬底静电地夹紧在衬底处理系统的静电卡盘上的同时朝所述衬底的区域发射光。所述分光计被配置为检测从所述衬底反射的光并基于所检测到的光产生第一输出信号。所述系统控制器被配置为检测所述第一输出信号的变化,检测供应到所述衬底的背面的气体的流率的变化,以及基于所述第一输出信号的变化和所述流率的变化两者,确定是否已经发生了所述衬底的部分松开事件。

    晶片边缘倾斜和蚀刻速率均匀性
    8.
    发明公开

    公开(公告)号:CN118679562A

    公开(公告)日:2024-09-20

    申请号:CN202280091422.7

    申请日:2022-12-19

    摘要: 用于等离子体室中的边缘环包括第一对边缘环段,第一对边缘环段中的每一者具有第一厚度,以及第二对边缘环段,第二对边缘环段中的每一者具有第二厚度。第一对边缘环段中的每一者定向为邻近第二对边缘环段中的每一者,而第二对边缘环段中的每一者定向为邻近第一对边缘环段中的每一者。

    有源喷头
    9.
    发明公开
    有源喷头 审中-实审

    公开(公告)号:CN118675968A

    公开(公告)日:2024-09-20

    申请号:CN202410385153.6

    申请日:2017-10-25

    摘要: 描述了一种用于等离子体反应器的有源喷头。有源喷头包括多个基板层。基板层包括至少一个致动器和传送部件。致动器和传送部件通过气体通道耦合到气体管线。有源喷头还包括位于基板层下方的电极层。电极层与致动器和传送部件两者共用开口。致动器和传送部件使得从气体管线和气体通道接收的一种或多种工艺气体能流通进入开口,而不需要传统的气箱。