发明授权
CN101186827B 无铬刻蚀溶液及揭示缺陷的方法和处理衬底的工艺
失效 - 权利终止
- 专利标题： 无铬刻蚀溶液及揭示缺陷的方法和处理衬底的工艺
- 专利标题（英）： Chromeless etching solution, method for disclosing defect and technology for processing underlay
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申请号： CN200710187095.2申请日： 2007-11-23
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公开(公告)号： CN101186827B公开(公告)日： 2011-01-05
- 发明人: A·阿巴迪
- 申请人： S.O.I.TEC绝缘体上硅技术公司
- 申请人地址： 法国贝尔尼
- 专利权人： S.O.I.TEC绝缘体上硅技术公司
- 当前专利权人： S.O.I.TEC绝缘体上硅技术公司
- 当前专利权人地址： 法国贝尔尼
- 代理机构： 北京戈程知识产权代理有限公司
- 代理商 程伟; 靳强
- 优先权： 06291823 2006.11.23 EP
- 主分类号： C09K13/04
- IPC分类号： C09K13/04 ; H01L21/306
摘要：
本发明涉及一种新颖的适用于表征半导体表面(包括硅-锗表面)缺陷的刻蚀溶液，以及使用在这里公开的刻蚀溶液处理半导体表面的方法。这种新刻蚀溶液不含铬，而且能够提供足够高的刻蚀速度以及非常满意的刻蚀结果。
公开/授权文献
- CN101186827A 无铬刻蚀溶液及揭示缺陷的方法和处理衬底的工艺 公开/授权日：2008-05-28
