公开(公告)号：CN117080066B

公开(公告)日：2024-01-26

申请号：CN202311323947.1

申请日：2023-10-13

申请人： 深圳基本半导体有限公司

发明人： 喻双柏 ,  陈新 ,  张婷

IPC分类号： H01L21/3213 ,  H01L21/311 ,  H01L21/66 ,  C09K13/04 ,  C23F1/18 ,  C23F1/30 ,  C23F1/28

摘要： 本申请提供了一种碳化硅芯片表层的去层的方法，包括步骤：通过乙醇胺溶液去除碳化硅芯片的钝化层；通过硝酸去除所述碳化硅芯片的铜箔层、银烧结层和镍钯金层；对所述碳化硅芯片进行电性测试；通过王水对所述碳化硅芯片的铝铜层进行去除，得到表层去层后的碳化硅芯片。通过分步去除碳化硅芯片的不同金属层，解决了一次去除所有层而导致存在大量脏污影响去除效率，在去除过程中不损伤碳化硅芯片本体；同时，在去除中间进行电性测试，可明确哪一金属层对芯片电性参数造成影响，不同的芯片去层程度可满足特定失效分析需求，如电性能测试或热点定位分析。

公开(公告)号：CN116323862A

公开(公告)日：2023-06-23

申请号：CN202180034268.5

申请日：2021-10-19

申请人： 李相老 ,  五十岚克史

发明人： 李相老 ,  五十岚克史

IPC分类号： C09K13/04

摘要： 根据本公开的湿法蚀刻方法包括清洗玻璃、通过对清洗后的玻璃进行湿法蚀刻以形成纳米级图案、以及清洗并干燥纳米图案化玻璃，其中在湿法蚀刻中使用的湿法蚀刻溶液包含氢氟酸和表面活性剂。根据本公开，可以提供具有高透射率/低反射率的玻璃。该玻璃可以应用于光学设备和包括移动设备的显示器。

公开(公告)号：CN115151516A

公开(公告)日：2022-10-04

申请号：CN202180014557.9

申请日：2021-01-05

申请人： 康宁公司

发明人： 加布里埃尔·P·阿格尼欧 ,  乔伊·班纳吉 ,  李艾泽 ,  罗伯特·乔治·曼利 ,  黄鸿生 ,  西瓦·文卡塔查拉姆

IPC分类号： C03C13/00 ,  C09K13/04

摘要： 用于处理基板的设备和方法，例如纹理化基板。在一些实施例中，将掩蔽材料按预定图案施加至所述基板的表面，然后用去除所述掩蔽材料的蚀刻剂接触所述表面。用所述蚀刻剂接触所述表面产生多个共定位纹理。在其他实施例中，可消除所述掩蔽步骤，并以预定图案施加所述蚀刻剂，以产生多个共定位纹理。在又其他实施例中，所述基板具有化学组成，并且所述基板暴露在浸出剂中，所述浸出剂浸出所述化学组成中的至少一种成分，以产生在所述基板表面处具有不同化学组成的基板。

公开(公告)号：CN115083927A

公开(公告)日：2022-09-20

申请号：CN202210743971.X

申请日：2022-06-27

申请人： 安徽精卓光显技术有限责任公司

发明人： 吴模信 ,  董淑超 ,  于国华

IPC分类号： H01L21/48 ,  H01L33/62 ,  C09K13/04 ,  C09K3/32

摘要： 本发明公开了一种基板的制作方法，通过在透明基材的表面形成导电金属层，并采用除油剂对导电金属层进行除油、微蚀刻处理，最后在导电金属层的表面沉积锡层，以使锡层覆盖于所述导电金属层的表面，从而达到保护导电金属层的效果。同时，除油剂包括浓度小于2g/L的Cu2+离子，能够对导电金属层的表面进行轻微的侵蚀，以去除导电金属层的表面脏污，提高锡层与导电金属层的附着力和结合力。可见，采用本发明的一种基板的制作方法，能够在基板的表面形成可靠的保护层，防止基板被氧化，延长使用寿命。

公开(公告)号：CN112458542B

公开(公告)日：2022-08-02

申请号：CN202011239999.7

申请日：2020-11-09

申请人： 武汉理工大学

发明人： 唐新峰 ,  唐昊 ,  鄢永高 ,  张政楷 ,  苏贤礼

IPC分类号： C30B33/10 ,  C30B33/00 ,  C30B29/46 ,  C25D5/00 ,  C25D5/12 ,  C25D7/12 ,  C25D3/48 ,  C25D3/12 ,  C23C28/02 ,  C23C18/36 ,  H01L35/16 ,  H01L35/34 ,  C11D7/10 ,  C11D7/60 ,  C09K13/04

摘要： 本发明公开了一种p型碲化铋基材料的表面处理剂，包括粗化液和除灰液两部分；所述粗化液的组成按体积百分比计包括：5～50％盐酸、5～40％双氧水、5～10％硝酸、余量为水；所述除灰液的组成按体积百分比计包括：5～50％氢氟酸、5～20％盐酸、5～10％硝酸、余量为水。该表面处理剂在使用时，粗化液和除灰液配合使用，洁净的p型碲化铋基晶片先浸入粗化液中，再浸入除灰液中，即可完成预处理，后续直接通过电镀或化学镀方式进行金属化连接。本发明提出的p型碲化铋基材料的表面处理剂及方法，避免了传统喷砂‑电弧喷涂处理较薄p型碲化铋基晶片时，容易导致晶片破损的问题，同时可以减少生产环节，提高成品率及生产效率，降低生产成本。

公开(公告)号：CN114566433A

公开(公告)日：2022-05-31

申请号：CN202111653668.2

申请日：2021-12-31

申请人： 昆山弗莱吉电子科技有限公司 ,  中南大学

发明人： 阳军亮 ,  周辉 ,  周武 ,  刘波 ,  汪炼成 ,  李舀

IPC分类号： H01L21/48 ,  H01L23/495 ,  C09K13/04 ,  C09K13/08 ,  C23F1/02 ,  C23F1/20 ,  C23F1/30

摘要： 本申请涉及芯片载体制造的领域，具体公开了一种多层铝合金引线框架的制备方法以及多层铝合金引线框架。多层铝合金引线框架的制备方法，包括以下步骤：取用于制备引线框架的铝合金板带，铝合金板带包括合金面层和厚铝面层；在合金面层和厚铝面层上分别设置掩膜层；采用第一刻蚀液对合金面层进行垂直喷淋刻蚀，采用第二刻蚀液对厚铝面层进行垂直喷淋刻蚀；刻蚀后对铝合金板带抛光，之后去除铝合金板带上的掩膜层。多层铝合金引线框架，采用上述多层铝合金引线框架的制备方法制备而得。本申请所得的引线框架具有较高的加工精度，是一种高反光、小间距的引线框架；本申请采用双面喷淋刻蚀液的加工方法有利于提高多层铝合金引线框架的加工精度。

公开(公告)号：CN114436547A

公开(公告)日：2022-05-06

申请号：CN202210229542.0

申请日：2022-03-09

申请人： 长沙汇意圆科技有限公司

发明人： 刘智新 ,  潘丹

IPC分类号： C03C27/10 ,  C03C23/00 ,  C03C15/00 ,  C09K13/04 ,  C09K13/06 ,  C09K13/08 ,  B24B29/02 ,  B24B9/08 ,  C03C21/00 ,  C03B27/03

摘要： 一种柔性玻璃制品制作加工方法，包括以下步骤；步骤一；将玻璃原材通过粘接组合物贴附于载板Ⅰ上，使得玻璃原材与载板Ⅰ固定；步骤二；将固定后的玻璃原材与载板Ⅰ进行化学蚀刻减薄和/或物理研磨抛光，使得玻璃原材薄化至指定厚度，并去除其表面外观缺陷，得到由载板Ⅰ固定的柔性玻璃；步骤三；将一块或复数块由载板Ⅰ固定的柔性玻璃通过粘接组合物与载板Ⅱ层叠，再通过切割、CNC成型加工，得到由载板Ⅱ固定的柔性玻璃Ⅰ；步骤四；将由载板Ⅱ固定的柔性玻璃Ⅰ，通过紫外光照射和/或加热处理，使载板Ⅰ、载板Ⅱ与柔性玻璃分离，得到柔性玻璃Ⅰ；步骤五；将步骤四的柔性玻璃Ⅰ进行钢化处理，得到柔性玻璃制品。

公开(公告)号：CN108018558B

公开(公告)日：2022-01-07

申请号：CN201711043223.6

申请日：2017-10-31

申请人： 三星显示有限公司 ,  株式会社东进世美肯

发明人： 梁熙星 ,  朴弘植 ,  郑锺铉 ,  金奎佈 ,  申贤哲 ,  李秉雄 ,  李相赫

IPC分类号： C23F1/20 ,  C09K13/04 ,  C09K13/06 ,  H01L51/56 ,  H01L51/52

摘要： 本发明的一实施例提供一种蚀刻液组合物以及有机发光显示装置的制造方法，所述蚀刻液组合物相对于总重量包括：磷酸，50至70重量％；硝酸，0.5至5重量％；氯化物，0.1至1重量％；磺酸化合物，0.5至5重量％；以及水，20至40重量％。

公开(公告)号：CN113322072A

公开(公告)日：2021-08-31

申请号：CN202110708889.9

申请日：2021-06-25

申请人： 江阴润玛电子材料股份有限公司

发明人： 戈烨铭 ,  何珂 ,  汤晓春

IPC分类号： C09K13/08 ,  C09K13/04 ,  C09K13/06

摘要： 本发明涉及一种兼容性ITO蚀刻液及制备方法，其蚀刻液的原料按重量百分比计算，包括硝酸10%～30%、硫酸10%～20%、金属盐1%~10%、铵盐0.5%‑3%，余量为纯水；依次加入硝酸、纯水、金属盐、铵盐后充分搅拌、混合均匀，再往混合均匀的硝酸、纯水、金属盐、铵盐的混合物中缓慢加入硫酸，充分搅拌混合均匀得到兼容性ITO蚀刻液。本发明的兼容性ITO蚀刻液适用于不同厚度的ITO膜层，且反应温和稳定，蚀刻精度高。针对不同厚度的膜层，只需调整蚀刻时间即可达到蚀刻的目的，无需更换蚀刻液成分以及调整蚀刻液成分含量。

公开(公告)号：CN112592719A

公开(公告)日：2021-04-02

申请号：CN202010770895.2

申请日：2020-08-04

申请人： 中国电子科技集团公司第十一研究所

发明人： 张轶 ,  刘世光 ,  谭振 ,  刘震宇 ,  孙浩

IPC分类号： C09K13/04 ,  H01L31/18

摘要： 本发明公开了一种用于腐蚀碲镉汞表面碲化镉CdTe薄膜的腐蚀液及腐蚀方法。用于腐蚀碲镉汞表面碲化镉CdTe薄膜的腐蚀液，包括：作为溶剂的水H2O、以及溶于所述H2O的溶质，溶质包括碘化钠NaI和氯化氢HCl。采用本发明，腐蚀液可以与CdTe在常温下发生化学反应，实现对碲镉汞表面的CdTe薄膜的常温腐蚀，整个反应过程速率慢、且无发热，可以实现对腐蚀度的精确控制，腐蚀液的配置简单且成分便宜、容易获取，大大降低了腐蚀成本，而且腐蚀后也容易清洗。