发明授权
- 专利标题: 离子束角度扩散控制的技术
- 专利标题(英): Technique for ion beam angle spread control
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申请号: CN200680019884.9申请日: 2006-06-07
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公开(公告)号: CN101189696B公开(公告)日: 2011-04-06
- 发明人: 阿塔尔·古普塔 , 约瑟·C·欧尔森
- 申请人: 瓦里安半导体设备公司
- 申请人地址: 美国马萨诸塞州
- 专利权人: 瓦里安半导体设备公司
- 当前专利权人: 瓦里安半导体设备公司
- 当前专利权人地址: 美国马萨诸塞州
- 代理机构: 上海专利商标事务所有限公司
- 代理商 陈亮
- 优先权: 11/145,949 2005.06.07 US
- 国际申请: PCT/US2006/022164 2006.06.07
- 国际公布: WO2006/133309 EN 2006.12.14
- 进入国家日期: 2007-12-05
- 主分类号: H01J37/147
- IPC分类号: H01J37/147 ; H01J37/317
摘要:
本发明揭示一种用于离子束角度扩散控制的技术。在一特定例示性实施例中,技术可实现为离子束角度扩散控制的方法。此方法可包括将一或多个离子束以两个或两个以上不同入射角导向一基板表面处,藉此使基板表面暴露于离子束入射角的一受控扩散中。
公开/授权文献
- CN101189696A 离子束角度扩散控制的技术 公开/授权日:2008-05-28