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公开(公告)号：CN112234000B
公开(公告)日：2024-06-11
申请号：CN202011109040.1
申请日：2016-03-01
申请人： 瓦里安半导体设备公司
发明人： 孙大伟 , D·杰弗里·里斯查尔 , 史蒂芬·M·恩尔拉 , 岱尔·K·史东 , 留德米拉·史东
IPC分类号： H01L21/67
摘要： 本申请揭露一种工件固持加热设备，其可用于在处理期间增进工件的温度均匀性。所述设备包含具有分开控制的边缘加热器的压板，边缘加热器能够独立地加热压板的外边缘。以此方式，可在压板的外边缘供应额外热量，从而帮助维持在全部压板上的恒定温度。此边缘加热器可安置于压板的外表面上，或在某些实施例中，可嵌入于压板中。在某些实施例中，将边缘加热器以及主要加热元件安置在两个不同平面中，其中边缘加热器比主要加热元件安置得更靠近压板的顶表面。
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公开(公告)号：CN112185785B
公开(公告)日：2024-01-23
申请号：CN202011058388.2
申请日：2016-06-02
申请人： 瓦里安半导体设备公司
IPC分类号： H01J37/317 , H01L21/67
摘要： 本文提供离子植入系统以及去除离子植入系统的射束线构件上沉积物的方法。所述离子植入系统，包括：离子源，被配置为形成离子束；射束线构件；以及气体源，被配置为向所述射束线构件供应气体，其中所述气体源被配置成通过沉积物与所述气体的反应来刻蚀沉积在所述射束线构件的表面上的所述沉积物。所述去除离子植入系统的射束线构件上沉积物的方法，所述去除离子植入系统的射束线构件上沉积物的方法包括：在对所述射束线构件进行离子轰击期间通过离子束向与所述射束线构件相关联的一或多个区域供应所述气体，其中所述离子轰击加热所述射束线构件的表面，以辅助所述气体与所述射束线构件的所述表面上的所述沉积物之间的化学反应。
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公开(公告)号：CN112689882B
公开(公告)日：2023-11-28
申请号：CN201980059434.X
申请日：2019-08-12
申请人： 瓦里安半导体设备公司
发明人： 科斯特尔·拜洛 , 乔·波鲁 , 詹姆士·P·布诺德诺
IPC分类号： H01J37/147 , H01J37/08 , H01J37/317
摘要： 提供一种用于萃取多个离子束的离子萃取光学器件以及离子萃取处理装置。所述离子萃取光学器件可包括萃取板，所述萃取板界定切口区域，所述切口区域沿第一方向伸长。所述离子萃取光学器件可包括可滑动插入件，所述可滑动插入件被设置成与所述切口区域重叠，且能够相对于所述萃取板沿所述第一方向可滑动地移动，其中所述可滑动插入件及所述切口区域界定第一开孔及第二开孔。
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公开(公告)号：CN111788684B
公开(公告)日：2023-10-27
申请号：CN201880078139.4
申请日：2018-11-27
申请人： 瓦里安半导体设备公司
IPC分类号： H10B12/00
摘要： 本公开提供一种存储器元件、制作半导体元件的方法及元件结构。存储器元件可包括至少部分地设置在第一水平中的有源元件区。存储器元件可包括至少部分地设置在高于第一水平的第二水平中的存储电容器，其中第一水平及第二水平平行于衬底平面。存储器元件还可包括接触通孔，接触通孔在存储电容器与有源元件区之间延伸，且相对于衬底平面的垂线界定非零度的倾斜角。
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公开(公告)号：CN111902906B
公开(公告)日：2023-09-19
申请号：CN201980021401.6
申请日：2019-02-21
申请人： 瓦里安半导体设备公司
发明人： 亚当·莫里茨·卡尔金斯 , 小尼斯特·E·艾伦
IPC分类号： H01J37/32 , H01J37/317 , H01L21/67 , H01L21/265
摘要： 本发明提供一种抽取板、抽取组及工件加工系统。所述抽取组，其包括抽取板、阻挡器及用于阻挡器的固持机构。所述抽取组包括抽取板，所述抽取板能够由涂布有陶瓷材料的钛构造而成。抽取板使用销附装到离子源。抽取板还包括位于其内表面中的隆起轮廓，所述隆起轮廓用于将阻挡器固定到抽取板的内表面。阻挡器的端部通过设置在抽取开孔的相对两侧上的两个固持器而固定。用于将抽取板附装到离子源的机构还改善抽取板的温度均匀性。
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公开(公告)号：CN112534562B
公开(公告)日：2023-08-11
申请号：CN201980051802.6
申请日：2019-07-23
申请人： 瓦里安半导体设备公司
IPC分类号： H01L21/67
摘要： 本发明公开一种用于减少馈入气体在进入离子源腔室的气体管上的堵塞及沉积的系统，特别是公开一种用于向离子源递送馈入气体的系统。为降低气体管的整体温度，在离子源腔室与气体管之间设置由隔热材料制成的气体衬套。气体衬套由例如钛、石英、氮化硼、氧化锆或陶瓷等隔热材料制成。气体衬套具有与离子源腔室及气体管进行流体连通的内通道，以容许馈入气体流向离子源腔室。气体衬套可具有对称的形状，从而容许其被翻转以延长其使用寿命。在一些实施例中，气体管可与散热器连通以保持气体管的温度。
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公开(公告)号：CN111742388B
公开(公告)日：2023-07-11
申请号：CN201980013322.0
申请日：2019-01-22
申请人： 瓦里安半导体设备公司
发明人： 常胜武 , 法兰克·辛克莱 , 亚历山大·利坎斯奇 , 克里斯多夫·坎贝尔 , 罗伯特·C·林德柏格
IPC分类号： H01J37/147 , H01J37/317
摘要： 本文提供减少离子植入机中粒子的方法，具体而言，提供一种能量纯度模块、离子植入系统及减少其中粒子的方法。静电过滤器可包括壳体及位于壳体内的多个导电束光学器件。导电束光学器件围绕朝晶片引导的离子束线排列，且可包括靠近壳体的入口孔的入口孔电极。导电束光学器件还可包括沿着离子束线位于入口孔电极的下游的高能电极以及位于高能电极的下游的接地电极。高能电极被定位成比入口电极及接地电极更远离离子束线，从而使得高能电极在物理上被阻挡以免受从晶片返回的背溅射材料的包络撞击。静电过滤器还可包括用于独立地向导电束光学器件中的每一者递送电压及电流的电气系统。
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公开(公告)号：CN111937130B
公开(公告)日：2023-07-07
申请号：CN201980024138.6
申请日：2019-03-28
申请人： 瓦里安半导体设备公司
发明人： 保罗·E·佩尔甘德 , 詹姆斯·D·史瑞斯奈
IPC分类号： H01L21/67 , H01L21/687
摘要： 本文中提供用于冷却处理腔室窗的方式，具体而言，公开一种腔室窗冷却用系统及冷却装置。在一些实施例中，一种处理腔室窗冷却用系统可包括用于处理晶片的处理腔室，其中所述处理腔室包括窗。在一些实施例中，所述窗容许来自灯总成的光被递送到晶片。所述系统还包括能够与所述处理腔室一起操作的冷却装置，所述冷却装置用于将气体递送到所述窗。所述冷却装置包括用于支撑所述窗的支撑环。所述支撑环包括周边壁、以及透过所述周边壁形成的多个狭槽。所述多个狭槽可穿过所述窗递送气体(例如，空气)。
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公开(公告)号：CN112400132B
公开(公告)日：2022-12-20
申请号：CN201980044880.3
申请日：2019-06-27
申请人： 瓦里安半导体设备公司
发明人： 摩根·艾文斯 , 鲁格·迈尔提摩曼提森 , 约瑟·欧尔森 , 彼得·F·库鲁尼西
摘要： 提供了光栅构件及形成方法。在一些实施例中，一种方法包括提供透光衬底以及在所述衬底上形成光栅层。所述方法包括在所述光栅层中形成光栅，其中所述光栅包括多个成角构件，所述多个成角构件相对于所述衬底的平面的垂直线以非零倾斜角设置。所述光栅的第一侧壁可具有第一角度，且所述光栅的第二侧壁具有不同于所述第一角度的第二角度。改变包括选择性及束角度扩展在内的工艺参数具有改变所述多个成角构件的形状或尺寸的效果。
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公开(公告)号：CN110268505B
公开(公告)日：2022-12-06
申请号：CN201780084679.9
申请日：2017-11-16
申请人： 瓦里安半导体设备公司
发明人： 詹姆士·P·布诺德诺
IPC分类号： H01L21/265 , H01J37/317 , H01L21/67
摘要： 本发明公开一种用于控制抑制电极的热变形及一种用于控制离子束的均匀度的装置。装置包含加热位于离抑制孔口最远处的抑制电极的边缘的加热元件。在操作中，最接近抑制电极的抑制电极的边缘可通过离子束加热。这一加热可导致抑制电极变形，从而影响离子束的均匀度。通过加热抑制电极的远端边缘，可控制抑制电极的热变形。在其它实施例中，加热抑制电极的远端边缘以产生更均匀的离子束。通过监测抑制电极下游处的离子束的均匀度，如通过使用射束均匀度测绘仪，控制器可调节施加到远端边缘的热量以实现期望的离子束均匀度。
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