- 专利标题： 包含金属和粒子填充的硅片直通通路的集成电路芯片
- 专利标题（英）： Integrated circuit die containing metal- and particle-filled through-silicon vias
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申请号： CN200680022867.0申请日： 2006-06-29
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公开(公告)号： CN101208798A公开(公告)日： 2008-06-25
- 发明人: L·阿拉纳 , M·纽曼 , D·纳特卡
- 申请人： 英特尔公司
- 申请人地址： 美国加利福尼亚州
- 专利权人： 英特尔公司
- 当前专利权人： 英特尔公司
- 当前专利权人地址： 美国加利福尼亚州
- 代理机构： 中国专利代理(香港)有限公司
- 代理商 曾祥夌; 陈景峻
- 优先权： 11/174,125 2005.06.30 US
- 国际申请： PCT/US2006/025748 2006.06.29
- 国际公布： WO2007/005695 EN 2007.01.11
- 进入国家日期： 2007-12-24
- 主分类号： H01L23/48
- IPC分类号： H01L23/48 ; H01L21/768
摘要：
本发明公开了利用复合材料导电通孔通路的方法、设备和系统，复合材料具有形成连续相的基质和嵌入粒子，嵌入粒子具有与基质不同的材料特性，形成分散相，导致复合材料具有与基质不同的材料特性。
公开/授权文献
- CN101208798B 包含金属和粒子填充的硅片直通通路的集成电路芯片 公开/授权日：2012-06-13
IPC分类:
