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公开(公告)号：CN101208798B
公开(公告)日：2012-06-13
申请号：CN200680022867.0
申请日：2006-06-29
申请人： 英特尔公司
IPC分类号： H01L23/48 , H01L21/768
CPC分类号： H01L21/76898 , H01L21/2885 , H01L23/481 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L2224/0401 , H01L2224/0557 , H01L2224/06181 , H01L2224/11 , H01L2224/11424 , H01L2224/11462 , H01L2224/1147 , H01L2224/13009 , H01L2224/13216 , H01L2224/13224 , H01L2224/13239 , H01L2224/13244 , H01L2224/13247 , H01L2224/13284 , H01L2224/13384 , H01L2224/13386 , H01L2924/00014 , H01L2924/0002 , H01L2924/01322 , H01L2924/12033 , H01L2924/14 , H01L2924/0105 , H01L2224/05552 , H01L2924/00
摘要： 本发明公开了利用复合材料导电通孔通路的方法、设备和系统，复合材料具有形成连续相的基质和嵌入粒子，嵌入粒子具有与基质不同的材料特性，形成分散相，导致复合材料具有与基质不同的材料特性。
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公开(公告)号：CN115799207A
公开(公告)日：2023-03-14
申请号：CN202210966785.2
申请日：2022-08-12
申请人： 英特尔公司
发明人： J·D·埃克顿 , B·C·马林 , A·阿列克索夫 , S·V·皮耶塔姆巴拉姆 , L·阿拉纳
IPC分类号： H01L23/498 , H01L21/48
摘要： 本文公开的实施例包括封装衬底。在实施例中，封装衬底包括具有第一表面和第二表面的核心，其中，所述核心包括玻璃。在实施例中，第一过孔穿过所述核心，其中，第一过孔包括导电材料，并且膜位于核心的第一表面之上，其中，膜是粘合剂。在实施例中，第二过孔穿过膜，其中，第二过孔包括导电材料，其中，第二过孔接触第一过孔。在实施例中，第二过孔的中心线与第一过孔的中心线对准。在实施例中，构建层位于膜之上。
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公开(公告)号：CN102280422B
公开(公告)日：2015-09-23
申请号：CN201110224384.1
申请日：2006-06-29
申请人： 英特尔公司
IPC分类号： H01L23/48 , H01L21/768
CPC分类号： H01L21/76898 , H01L21/2885 , H01L23/481 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L2224/0401 , H01L2224/0557 , H01L2224/06181 , H01L2224/11 , H01L2224/11424 , H01L2224/11462 , H01L2224/1147 , H01L2224/13009 , H01L2224/13216 , H01L2224/13224 , H01L2224/13239 , H01L2224/13244 , H01L2224/13247 , H01L2224/13284 , H01L2224/13384 , H01L2224/13386 , H01L2924/00014 , H01L2924/0002 , H01L2924/01322 , H01L2924/12033 , H01L2924/14 , H01L2924/0105 , H01L2224/05552 , H01L2924/00
摘要： 本发明的名称是“包含金属和粒子填充的硅片直通通路的集成电路芯片”。本发明公开了利用复合材料导电通孔通路的方法、设备和系统，复合材料具有形成连续相的基质和嵌入粒子，嵌入粒子具有与基质不同的材料特性，形成分散相，导致复合材料具有与基质不同的材料特性。
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公开(公告)号：CN115863301A
公开(公告)日：2023-03-28
申请号：CN202211019453.X
申请日：2022-08-24
申请人： 英特尔公司
IPC分类号： H01L23/498 , H01L23/538 , H01L21/48 , H01L21/60 , H01L21/768
摘要： 公开了用于减少半导体管芯和封装衬底之间的互连中的缺陷的方法和设备。一种设备包括衬底和安装到所述衬底的半导体管芯。所述设备进一步包括用于将所述管芯电耦合到所述衬底的凸块。所述凸块中的一些凸块具有对应的基部。所述基部具有非圆形的形状。
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公开(公告)号：CN103376185B
公开(公告)日：2016-08-24
申请号：CN201310268050.3
申请日：2005-03-18
申请人： 英特尔公司
IPC分类号： G01L21/12
CPC分类号： G01L11/002 , G01L21/12 , G01M3/186 , G01M3/3272 , H01L2224/48091 , H01L2924/1461 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
摘要： 可使用半导体集成电路工艺形成微制造真空传感器。所述传感器可与微制造元件一并形成在外壳内。随后就可使用该传感器测量外壳内的压力。
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公开(公告)号：CN115810600A
公开(公告)日：2023-03-17
申请号：CN202210890269.6
申请日：2022-07-27
申请人： 英特尔公司
发明人： J·D·埃克顿 , B·C·马林 , S·V·皮耶塔姆巴拉姆 , S·纳德 , L·阿拉纳
IPC分类号： H01L23/488 , H01L23/48 , H01L21/60
摘要： 本文公开的实施例包括电子封装和组装这种电子封装的方法。在实施例中，电子封装包括包含玻璃的第一层。在实施例中，穿过第一层形成导电柱，并且内建层堆叠体在在第一层上。在实施例中，穿过内建层堆叠体提供导电布线。在实施例中，第二层在内建层堆叠体的与玻璃层相反的表面上方。本公开内容涉及包含倒置玻璃中介层的精细凸块间距管芯到管芯平铺。
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公开(公告)号：CN101208798A
公开(公告)日：2008-06-25
申请号：CN200680022867.0
申请日：2006-06-29
申请人： 英特尔公司
IPC分类号： H01L23/48 , H01L21/768
CPC分类号： H01L21/76898 , H01L21/2885 , H01L23/481 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L2224/0401 , H01L2224/0557 , H01L2224/06181 , H01L2224/11 , H01L2224/11424 , H01L2224/11462 , H01L2224/1147 , H01L2224/13009 , H01L2224/13216 , H01L2224/13224 , H01L2224/13239 , H01L2224/13244 , H01L2224/13247 , H01L2224/13284 , H01L2224/13384 , H01L2224/13386 , H01L2924/00014 , H01L2924/0002 , H01L2924/01322 , H01L2924/12033 , H01L2924/14 , H01L2924/0105 , H01L2224/05552 , H01L2924/00
摘要： 本发明公开了利用复合材料导电通孔通路的方法、设备和系统，复合材料具有形成连续相的基质和嵌入粒子，嵌入粒子具有与基质不同的材料特性，形成分散相，导致复合材料具有与基质不同的材料特性。
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公开(公告)号：CN101199049A
公开(公告)日：2008-06-11
申请号：CN200680021348.2
申请日：2006-06-28
申请人： 英特尔公司
IPC分类号： H01L21/768
CPC分类号： H01L21/76898 , H01L2224/13 , H01L2924/1461 , H01L2924/00
摘要： 一种具有应力缓冲圈(250)的过孔(230)的形成方法，其中所述应力缓冲圈可以吸收由周围材料的热膨胀系数的失配所引起的应力。介绍了其他的实施例并要求其权利。
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公开(公告)号：CN117642854A
公开(公告)日：2024-03-01
申请号：CN202280046903.6
申请日：2022-07-20
申请人： 英特尔公司
发明人： J·D·埃克顿 , S·V·皮耶塔姆巴拉姆 , B·C·马林 , 陈昊博 , L·阿拉纳
IPC分类号： H01L23/498 , H01L23/14 , H01L21/48 , H01L23/00 , H01L23/15
摘要： 各实施例包括电子封装和形成此类封装的方法。在实施例中，一种电子封装包括第一衬底和耦接至所述第一衬底的第二衬底。在实施例中，所述第二衬底包括芯，并且所述芯包括有机材料。在实施例中，第三衬底耦接至所述第二衬底，并且所述第三衬底包括玻璃层。
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公开(公告)号：CN117121182A
公开(公告)日：2023-11-24
申请号：CN202280023668.0
申请日：2022-02-18
申请人： 英特尔公司
IPC分类号： H01L23/00
摘要： 本文公开的实施例包括具有嵌入式桥和减薄的表面的多管芯封装。在示例中，多管芯互连结构包括：封装衬底，所述封装衬底具有腔。桥管芯在所述封装衬底的所述腔中，所述桥管芯包括硅。电介质材料在所述封装衬底之上，在所述桥管芯之上，并且在所述腔中。多个导电接合焊盘在所述电介质材料上。所述多管芯互连结构还包括多个导电柱，所述多个导电柱中的单独的导电柱在所述多个导电接合焊盘中的对应的导电接合焊盘上。阻焊剂材料在所述电介质材料上，在所述多个导电接合焊盘的暴露的部分上，并且横向围绕所述多个导电柱。所述多个导电柱具有在所述阻焊剂材料的顶表面上方的顶表面。
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