发明公开
CN101219896A 一种Zr掺杂CeO2过渡层薄膜及其制备方法
失效 - 权利终止
- 专利标题: 一种Zr掺杂CeO2过渡层薄膜及其制备方法
- 专利标题(英): Zr doping CeO2 buffer layer thin film and method for producing the same
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申请号: CN200810056823.0申请日: 2008-01-25
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公开(公告)号: CN101219896A公开(公告)日: 2008-07-16
- 发明人: 赵跃 , 索红莉 , 刘敏 , 何东 , 高忙忙 , 曹玲柱 , 马麟 , 周美玲
- 申请人: 北京工业大学
- 申请人地址: 北京市朝阳区平乐园100号
- 专利权人: 北京工业大学
- 当前专利权人: 北京工业大学
- 当前专利权人地址: 北京市朝阳区平乐园100号
- 代理机构: 北京思海天达知识产权代理有限公司
- 代理商 张燕慧
- 主分类号: C04B35/48
- IPC分类号: C04B35/48 ; C04B35/50 ; C04B41/52
摘要:
一种Zr掺杂CeO2过渡层薄膜及其制备方法,属于高温涂层超导材料制备技术领域。本发明所提供的Ce1-xZrxO2(0.1≤x≤0.5)薄膜通过以下方法获得:首先,将有机Ce盐和有机Zr盐按照阳离子摩尔比1-x∶x,其中0.1≤x≤0.5,溶解到正丙酸和甲醇或乙酰丙酮的溶液中得到前驱溶液;然后将前驱液用旋涂或者浸涂的方法沉积到NiW合金基带或单晶基板上,在通有保护气的条件下,于950~1200℃烧结15~120分钟,获得Ce1-xZrxO2薄膜。本发明的厚度可以达到30~250nm,膜表面致密平整,没有微观裂纹和孔洞,具有较高的织构,制备工艺简单,成本低廉。
公开/授权文献
- CN101219896B 一种Zr掺杂CeO2过渡层薄膜及其制备方法 公开/授权日:2011-01-05
IPC分类: