-
公开(公告)号：CN105810531A
公开(公告)日：2016-07-27
申请号：CN201610162295.1
申请日：2016-03-21
申请人： 北京工业大学
IPC分类号： H01J9/04
CPC分类号： H01J9/047
摘要： 含钪扩散表面车制阴极材料制备方法，属稀土难熔金属阴极材料领域。本对阴极基体浸渍阴极发射活性盐并进行车制以及表面清洗，阴极基体为Sc2O3和W，其中Sc2O3占阴极总重量的1?10％wt，其余为钨；浸渍的阴极发射活性盐为铝酸钡钙；首先将浸渍阴极发射活性盐的阴极车制成规定尺寸阴极，并在车制后将阴极置于浓度为0.5?10％wt酸溶液中，保持10?60秒；随后分别用去离子水、无水乙醇清洗，最后将阴极在氢气气氛中加热到830?860℃，保温20?30分钟后冷却。经过二次处理的阴极脉冲电压测试电流密度在950℃可以达到116A/cm2。
-
公开(公告)号：CN103700557B
公开(公告)日：2016-03-30
申请号：CN201310723707.0
申请日：2013-12-24
申请人： 北京工业大学
摘要： 一种碳化稀土氧化镥掺杂钼阴极材料及其制备方法，属于稀土难熔金属阴极材料技术领域。阴极基体中的稀土氧化镥含量为1‐4wt%，其余为钼。制备方法为：将七钼酸铵溶液与硝酸镥和柠檬酸溶液混合，机械搅拌并水浴加热，得到凝胶。凝胶经过烘干、分解、还原得到稀土氧化镥掺杂钼粉。粉体经过压制、烧结、碳化处理获得阴极材料。该阴极热发射性能良好，满足微波炉用磁控管中阴极的使用要求。
-
公开(公告)号：CN101764006A
公开(公告)日：2010-06-30
申请号：CN201010033827.4
申请日：2010-01-08
申请人： 北京工业大学
IPC分类号： H01J9/02
摘要： 一种浸渍型钪钨扩散式阴极材料的制备方法属于难熔金属阴极材料技术领域。本发明步骤：1)将偏钨酸铵、硝酸钪分别溶于水形成溶液；然后，将硝酸钪溶液加入偏钨酸铵溶液中混合，混合溶液的浓度为20-40g/L；采用喷雾干燥制备阴极材料前驱粉末，进料速度400ml/h、鼓风速率0.4m3/min-0.6m3/min；进口温度150℃，出口温度稳定在95℃；2)将喷雾干燥法制备的前驱粉末，在500-550℃，大气气氛下分解2小时获得复合氧化物粉末。3)氢气气氛下进行还原；还原分两步进行，首先在500-600℃保温1-2小时，再将温度升至800-950℃保温1-2小时，获得前驱掺杂钨粉。这种方法简化了前驱粉末制备工艺和避免制备过程中引入杂质元素，可重复性强，工艺简单，便于规模生产，制备出的阴极材料在850℃具有优异的发射性能。
-
公开(公告)号：CN101625950A
公开(公告)日：2010-01-13
申请号：CN200910090708.X
申请日：2009-08-03
申请人： 北京工业大学
摘要： 含钇的压制型钡钨阴极及其制备方法，属稀土难熔金属阴极材料领域。现有的阴极材料无法满足大功率磁控管的使用要求。阴极中含有稀土氧化物Y 2 O 3 ，Y 2 O 3 占阴极总重量的10-20％wt，BaO、CaO和Al 2 O 3 三者的含量占阴极材料总重量的5-15％wt，其中Ba∶Ca∶Al摩尔比为4∶1∶1，其余为钨。具体制备方法：以偏钨酸铵、硝酸钇、三元硝酸盐为原料，柠檬酸为络合剂，采用溶胶-凝胶法制备复合凝胶，通过氢气气氛下两步还原：第一步还原温度为500-550℃，保温2-4h；第二步为750-950℃，保温1-2h。还原后的粉末在压制压力1-4t/cm 2 下压制，烧结温度为1400-1650℃，保温1-5min的条件下进行烧结加工成阴极。测试其次级发射系数明显高于钡钨阴极的次级发射系数，且热发射电流密度可以达到14.54A/cm 2 。
-
公开(公告)号：CN101624286A
公开(公告)日：2010-01-13
申请号：CN200910088527.3
申请日：2009-07-03
申请人： 北京工业大学
IPC分类号： C04B35/50 , C04B35/622
摘要： 一种La掺杂CeO 2 过渡层薄膜及其制备方法属于高温超导材料制备技术领域。本发明所提供的La掺杂CeO 2 过渡层薄膜由Ce 1-x La x O 2 复合氧化物固溶体组成，其中，0.1≤x≤0.3；过渡层薄膜的厚度为30～250nm。本发明通过以有机铈盐为前驱盐，以乙酰丙酮镧为镧源，采用化学溶液方法制备前驱液后，经过旋涂或者浸涂的方法将前驱液涂敷到金属基带上，再经过热处理工艺制得La掺杂CeO 2 过渡层薄膜。本发明具有制备成本低廉、Ce 1-x La x O 2 过渡层薄膜晶格常数精确可调，且能够实现多种过渡层功能的一体化，减少现有的复杂过渡层结构等优点。
-
公开(公告)号：CN100519174C
公开(公告)日：2009-07-29
申请号：CN200610066447.4
申请日：2006-03-31
申请人： 北京工业大学
IPC分类号： B32B15/01 , C22C19/03 , B22F7/02 , B21B1/28 , B21B37/00 , C22F1/10 , C21D1/26 , C21D11/00 , C21D9/52 , H01B12/06
摘要： 本发明属高温超导涂层韧性基带及超导薄膜制备领域。目前Ni合金基带制备过程复杂；结合部易分开；且只能采用两种延伸率基本相等的合金进行复合。本发明先设计复合带的结构：表面层使用含W量较低的镍钨合金，下层或中间层采用无磁性的合金：使用粒度为1～10微米的Ni粉、W粉、Cr粉和V粉为原材料，均匀混合，然后按设计的复合带的结构向模具中装入粉末，进行烧结成复合Ni合金板，烧结温度为800℃～1400℃，保温3分钟～30小时；冷轧，道次变形量为5～15%，总变形量大于96%；采用H2的体积百分比为4～7%的Ar混合H2气氛进行再结晶退火，退火温度800～1400℃，退火时间为0.5～3小时。本发明过程简单，层与层冶金结合，得到表面有很强的立方织构，磁性又较低，可用于沉积YBCO高温超导膜。
-
公开(公告)号：CN100441736C
公开(公告)日：2008-12-10
申请号：CN200510125634.0
申请日：2005-12-02
申请人： 北京工业大学
摘要： 本发明属于超导材料领域。现有方法制备YBCO薄膜临界电流密度等性能不高，不能彻底去除CuO杂质相等问题。本发明装置包括超声源、雾化室、沉积室和加热系统，雾化室(5)倒扣在超声源(14)的水槽(6)之上，通过超声震动硝酸盐溶液(13)被雾化，沉积室下部接喷嘴(10)，上部为尾气出口(7)，其内上部设样品托(1)，下部为沉积区，外部设感应加热线圈(8)，特征在于：在沉积室(9)内，样品托的正下方放置金属感应筒(3)，其直径大于或等于样品托的直径，金属感应筒上部接近样品托，下部放置在沉积室底部的支撑托(4)上。本发明解决了基底的温度波动过大问题，提高了效率及薄膜的临界电流密度，增加Y、Ba盐利用率，解决了CuO杂质问题。
-
公开(公告)号：CN100431748C
公开(公告)日：2008-11-12
申请号：CN200510087113.0
申请日：2005-07-27
申请人： 北京工业大学
IPC分类号： B22F9/14
摘要： 本发明属纳米材料制备领域。钆化学活性大，难制备成纳米颗粒；制备块体材料，需防氧化并不发生晶粒长大，难度更大。纳米颗粒制备方法：利用物理气相沉积技术，高纯钆作为阳极，钨作为阴极，在氦气气氛下，电弧电流100-300A，电弧电压10-50V，起弧时间0.5-2小时。纳米晶块体材料的制备方法：步骤1为上述纳米颗粒的制备方法；将上述的钆的纳米颗粒置入氩气体保护的预处理室，氧浓度低于0.5ppm，装入模具并预压成型，压力10-1000MPa；放电快速烧结，烧结工艺参数为：烧结温度200-400℃，保温时间0-10min，压力30-1000MPa，升温速率为30-50℃/min。本发明颗粒粒度均匀，粒径小于100纳米；晶块体材料致密度高，显微组织晶粒细小、均匀，晶粒度小于100纳米，磁热性能良好。
-
公开(公告)号：CN100429010C
公开(公告)日：2008-10-29
申请号：CN200710099089.1
申请日：2007-05-11
摘要： 多元复合稀土钨电极材料的拉丝方法属于稀土难熔功能材料领域。多元复合稀土钨电极材料加工性能差，因此目前未产业化生产，使替代钍钨进程停滞不前。本发明针对此现状提供一种多元复合稀土钨电极材料的拉丝方法，即：先将拉丝模预热到500-550℃，等炉温升至1175-1225℃时，固定加热功率，进行多元复合稀土钨电极材料的拉丝加工，依次采用Φ2.5、Φ2.0、Φ1.6、Φ1.2拉丝模加工，经过Φ1.2拉丝模加工后，调整加热炉的功率，使炉温保持在875-925℃。然后进行Φ1.0拉丝模加工，可加工制备Φ2.5-Φ1.0多种规格的多元复合稀土钨电极。该方法低能耗，加工成品率高。
-
公开(公告)号：CN101219896A
公开(公告)日：2008-07-16
申请号：CN200810056823.0
申请日：2008-01-25
申请人： 北京工业大学
摘要： 一种Zr掺杂CeO2过渡层薄膜及其制备方法，属于高温涂层超导材料制备技术领域。本发明所提供的Ce1－xZrxO2(0.1≤x≤0.5)薄膜通过以下方法获得：首先，将有机Ce盐和有机Zr盐按照阳离子摩尔比1－x∶x，其中0.1≤x≤0.5，溶解到正丙酸和甲醇或乙酰丙酮的溶液中得到前驱溶液；然后将前驱液用旋涂或者浸涂的方法沉积到NiW合金基带或单晶基板上，在通有保护气的条件下，于950～1200℃烧结15～120分钟，获得Ce1－xZrxO2薄膜。本发明的厚度可以达到30～250nm，膜表面致密平整，没有微观裂纹和孔洞，具有较高的织构，制备工艺简单，成本低廉。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
搜索结果
148 条记录 (耗时 0.031 秒)
