发明授权
- 专利标题: 钛酸铋钠-钛酸钡铁电单晶的制备方法
- 专利标题(英): Method for manufacturing bismuth sodium titanate-barium titanate ferro-electricity single crystal
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申请号: CN200710046740.9申请日: 2007-09-30
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公开(公告)号: CN101220511B公开(公告)日: 2011-06-01
- 发明人: 葛文伟 , 罗豪甦 , 刘洪 , 赵祥永 , 林迪 , 李晓兵 , 徐海清 , 潘晓明
- 申请人: 中国科学院上海硅酸盐研究所
- 申请人地址: 上海市定西路1295号
- 专利权人: 中国科学院上海硅酸盐研究所
- 当前专利权人: 中国科学院上海硅酸盐研究所,国家电网公司,上海市电力公司
- 当前专利权人地址: 上海市定西路1295号
- 主分类号: C30B29/32
- IPC分类号: C30B29/32 ; C30B15/00
摘要:
钛酸铋钠-钛酸钡铁电单晶的制备方法,属于晶体生长领域。本发明提供的制备方法,包括原料处理、升温熔化、生长和降温一系列单晶生长过程。其中籽晶杆旋转速度10~50rpm,提拉速率0.1~20mm/day,降温速率为1~20℃/day;晶体生长完成以后的降温速率为10~150℃/h。使用本发明提供的技术可以生长直径大于40mm,长度大于10mm的钛酸铋钠-钛酸钡铁电(NBBT)单晶,其压电常数d33达到280pC/N,机电耦合系数kt达到50%,其压电性能达到PZT陶瓷等含铅压电材料的水平,在实际中可以获得应用。
公开/授权文献
- CN101220511A 钛酸铋钠-钛酸钡铁电单晶的制备方法 公开/授权日:2008-07-16
IPC分类: