Invention Grant
CN101233394B 半导体装置
失效 - 权利终止
- Patent Title: 半导体装置
- Patent Title (English): Semiconductor device
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Application No.: CN200680027408.1Application Date: 2006-07-20
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Publication No.: CN101233394BPublication Date: 2014-02-26
- Inventor: 西和夫 , 荒尾达也 , 广濑笃志 , 菅原裕辅 , 楠本直人 , 山田大干 , 高桥秀和
- Applicant: 株式会社半导体能源研究所
- Applicant Address: 日本神奈川县
- Assignee: 株式会社半导体能源研究所
- Current Assignee: 株式会社半导体能源研究所
- Current Assignee Address: 日本神奈川县
- Agency: 中国专利代理(香港)有限公司
- Agent 王岳; 刘宗杰
- Priority: 217757/2005 2005.07.27 JP
- International Application: PCT/JP2006/314815 2006.07.20
- International Announcement: WO2007/013534 EN 2007.02.01
- Date entered country: 2008-01-25
- Main IPC: G01J1/44
- IPC: G01J1/44 ; H01L31/10 ; H01L27/14

Abstract:
本发明提供了一种能够探测从弱光到强光的光的光电转换器件,并且涉及一种光电转换器件,其具有:具有光电转换层的光电二极管;包括晶体管的放大器电路;以及开关,其中,当入射光的强度低于预定强度时,通过所述开关使所述光电二极管和所述放大器电路相互电连接,从而通过所述放大器电路将光电电流放大,以供输出,并且可以通过所述开关使所述光电二极管和部分或全部所述放大器电路电断开,从而按照放大系数降低光电电流,以供输出。根据这样的光电转换器件,能够探测从弱光到强光的光。
Public/Granted literature
- CN101233394A 半导体装置 Public/Granted day:2008-07-30
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