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    半导体装置
    3.
    发明公开
    半导体装置 审中-公开

    公开(公告)号：CN118872401A

    公开(公告)日：2024-10-29

    申请号：CN202380021364.5

    申请日：2023-02-06

    申请人： 株式会社半导体能源研究所

    发明人： 山崎舜平 ,  大贯达也 ,  国武宽司 ,  方堂凉太

    IPC分类号： H10B12/00 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/06 ,  H01L27/088 ,  H01L29/786 ,  H01L29/788 ,  H01L29/792 ,  H10B41/70

    摘要： 提供一种能够实现微型化或高集成化的半导体装置。该半导体装置包括第一存储单元、第一存储单元上的第二存储单元、第一导电体、第一导电体上的第二导电体。第一存储单元及第二存储单元分别包括晶体管及电容器。晶体管的源极和漏极中的一个与电容器的下部电极电连接。第一导电体具有与第一存储单元中的晶体管的源极和漏极中的另一个接触的部分，第一导电体的顶面具有与第二导电体的底面接触的部分，第二导电体具有与第二存储单元中的晶体管的源极和漏极中的另一个接触的部分。

    半导体装置以及半导体装置的制造方法
    6.
    发明公开
    半导体装置以及半导体装置的制造方法 审中-实审

    公开(公告)号：CN118800810A

    公开(公告)日：2024-10-18

    申请号：CN202410924563.3

    申请日：2019-02-19

    申请人： 株式会社半导体能源研究所

    发明人： 山崎舜平 ,  马场晴之 ,  村山史织

    IPC分类号： H01L29/786 ,  H01L29/417

    摘要： 提供一种半导体装置以及半导体装置的制造方法。半导体装置包括晶体管，该晶体管包括：第一绝缘体、第一绝缘体上的第一氧化物、第一氧化物上的第二氧化物、第三氧化物、第二氧化物上的第一导电体及第二导电体、第二绝缘体、第三导电体、第一导电体及第二导电体上的第四绝缘体、第四绝缘体上的第三绝缘体，其中在第三绝缘体及第四绝缘体中设置到达第二氧化物的开口，以覆盖开口的内壁的方式配置第三氧化物，以隔着第三氧化物覆盖开口的内壁的方式配置第二绝缘体，以隔着第三氧化物及第二绝缘体填充开口的方式配置第三导电体，并且在晶体管的沟道长度方向上，第一绝缘体的底面和与第二导电体相对的第一导电体的侧面所形成的角度小于90度。

    半导体装置及半导体装置的制造方法
    7.
    发明公开
    半导体装置及半导体装置的制造方法 审中-实审

    公开(公告)号：CN118748210A

    公开(公告)日：2024-10-08

    申请号：CN202410756119.5

    申请日：2018-03-02

    申请人： 株式会社半导体能源研究所

    发明人： 肥冢纯一 ,  冈崎健一 ,  岛行德 ,  中泽安孝 ,  保坂泰靖 ,  山崎舜平

    IPC分类号： H01L29/786 ,  H01L29/51 ,  H01L21/34

    摘要： 本公开涉及半导体装置及半导体装置的制造方法。本发明提供一种电特性良好的半导体装置、可靠性高的半导体装置、功耗低的半导体装置。本发明是一种半导体装置，包括：栅电极；栅电极上的第一绝缘层；第一绝缘层上的金属氧化物层；金属氧化物层上的一对电极；以及一对电极上的第二绝缘层，其中，第一绝缘层包括第一区域及第二区域，第一区域与金属氧化物层接触，且包括其氧含量比第二区域多的区域，第二区域包括其氮含量比第一区域多的区域，金属氧化物层在膜厚度方向上至少具有氧的浓度梯度，并且，氧浓度在第一区域一侧及第二绝缘层一侧较高。

    半导体装置
    8.
    发明公开
    半导体装置 审中-公开

    公开(公告)号：CN118715885A

    公开(公告)日：2024-09-27

    申请号：CN202380022270.X

    申请日：2023-02-13

    申请人： 株式会社半导体能源研究所

    发明人： 国武宽司 ,  井坂史人 ,  大贯达也 ,  山崎舜平

    IPC分类号： H10B41/70 ,  G11C11/22 ,  H01L21/336 ,  H01L29/788 ,  H01L29/792

    摘要： 提供一种能够实现微型化或高集成化的半导体装置。在该半导体装置中，第一晶体管包括从下方依次层叠的第一导电体、第一绝缘体、第一金属氧化物、第二绝缘体及第二导电体以及覆盖第一金属氧化物的顶面及侧面的一部分的第三导电体及第四导电体，第二晶体管包括从下方依次层叠的第五导电体、第一绝缘体、第二金属氧化物、第三绝缘体及第六导电体以及覆盖第二金属氧化物的顶面及侧面的一部分的第七导电体及第八导电体，第三晶体管包括从下方依次层叠的第九导电体、第一绝缘体、第二金属氧化物、第四绝缘体及第十导电体、第八导电体以及覆盖第二金属氧化物的顶面及侧面的一部分的第十一导电体，包含可具有铁电性的材料的电容器的一个电极与第三导电体及第六导电体电连接。

    有机化合物、有机半导体器件、电子设备
    9.
    发明公开
    有机化合物、有机半导体器件、电子设备 审中-公开

    公开(公告)号：CN118684641A

    公开(公告)日：2024-09-24

    申请号：CN202410271936.1

    申请日：2024-03-11

    申请人： 株式会社半导体能源研究所

    发明人： 川上祥子 ,  梶山一辉

    IPC分类号： C07D307/77 ,  H10K85/60 ,  H10K50/15

    摘要： 提供一种具有高空穴传输性及高耐热性的有机化合物、有机半导体器件及电子设备。提供一种由通式(G1)表示的有机化合物。Ar1表示碳原子数为6至30的芳基或碳原子数为2至30的杂芳基，Ar2为由通式(G1‑1)表示的基，R1至R17分别独立地表示氢、碳原子数为1至6的烷基或碳原子数为3至10的环烷基，n表示0至3的整数，在通式(G1‑1)中X表示氧或硫，R21至R30中的任一个键合于通式(G1)中的氮，R21至R30中的其他分别独立地表示氢、卤素、氰基、碳原子数为1至6的烷基、碳原子数为2至6的烯基、碳原子数为2至6的炔基、碳原子数为3至10的环烷基、碳原子数为1至6的烷氧基、碳原子数为3至10的三烷基硅基、碳原子数为6至30的芳基和碳原子数为2至30的杂芳基中的任一个。#imgabs0#

    半导体装置
    10.
    发明公开
    半导体装置 审中-公开

    公开(公告)号：CN118660453A

    公开(公告)日：2024-09-17

    申请号：CN202410252549.3

    申请日：2024-03-06

    申请人： 株式会社半导体能源研究所

    发明人： 宫入秀和 ,  中岛基

    IPC分类号： H10B12/00

    摘要： 提供一种可进行微型化或高集成化的半导体装置。半导体装置包括第一晶体管、第二晶体管及电容器。第一晶体管、电容器及第二晶体管依次层叠。第一晶体管及第二晶体管都包括半导体层、半导体层上的第一导电体、第一绝缘体及第一绝缘体上的第二导电体。在第一晶体管和第二晶体管的每一个中，半导体层的侧面与第一导电体的侧面一致，半导体层及第一导电体具有开口，第一绝缘体配置在开口的内侧，第一绝缘体包括反映了开口形状的凹部，第二导电体以嵌入凹部的方式设置。第一晶体管中的第二导电体、电容器中的一对电极中的一个及第二晶体管中的半导体层连接。