Invention Grant
CN101238556B 多孔质二氧化硅的制造方法及制造装置
失效 - 权利终止
- Patent Title: 多孔质二氧化硅的制造方法及制造装置
- Patent Title (English): Method and apparatus for producing porous silica
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Application No.: CN200680028669.5Application Date: 2006-08-10
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Publication No.: CN101238556BPublication Date: 2010-11-24
- Inventor: 村上雅美 , 大池俊辅 , 藏野义人 , 在塚真 , 和知浩子
- Applicant: 三井化学株式会社
- Applicant Address: 日本东京都
- Assignee: 三井化学株式会社
- Current Assignee: 三井化学株式会社
- Current Assignee Address: 日本东京都
- Agency: 北京银龙知识产权代理有限公司
- Agent 钟晶
- Priority: 234460/2005 2005.08.12 JP
- International Application: PCT/JP2006/315869 2006.08.10
- International Announcement: WO2007/020878 JA 2007.02.22
- Date entered country: 2008-02-03
- Main IPC: H01L21/316
- IPC: H01L21/316 ; H01L21/768 ; H01L23/522

Abstract:
本发明提供兼有低介电常数和高机械强度、可适用于光机能材料、电子机能材料等的多孔质二氧化硅和多孔质二氧化硅薄膜的制造方法、使用该多孔质二氧化硅薄膜的层间绝缘膜、半导体用材料、半导体装置的制造方法以及用于制造这些的制造装置。将包含烷氧基硅烷类的水解缩合物和表面活性剂的溶液进行干燥获得复合体,依次对该复合体进行紫外线照射处理以及用含有烷基的有机硅化合物进行疏水化处理。如果将上述溶液在基板上干燥形成复合体,则可得到多孔质二氧化硅薄膜。
Public/Granted literature
- CN101238556A 多孔质二氧化硅的制造方法及制造装置 Public/Granted day:2008-08-06
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