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公开(公告)号：CN106537564B
公开(公告)日：2020-02-21
申请号：CN201580038048.4
申请日：2015-08-05
Applicant: 三井化学株式会社
IPC: H01L21/312 , H01L21/768 , H01L23/532
Abstract: 本发明涉及一种密封组合物，其含有：具有阳离子性官能团且重均分子量为2000～1000000的聚合物(A)、以及苯并三唑化合物，所述聚合物(A)的含量相对于密封组合物100质量份为0.05质量份～0.20质量份，所述密封组合物中的所述苯并三唑化合物的含量为3质量ppm～200质量ppm，所述密封组合物的pH为3.0～6.5。
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公开(公告)号：CN107004599A
公开(公告)日：2017-08-01
申请号：CN201580065169.8
申请日：2015-12-14
Applicant: 三井化学株式会社
IPC: H01L21/3205 , C01B33/12 , H01L21/312 , H01L21/768 , H01L23/14 , H01L23/522 , H01L23/532
Abstract: 本发明提供一种基板中间体，其具备：在厚度方向具有配置导电体的孔的基板，以及在所述孔的壁面形成的密合层，所述密合层包含具有阳离子性官能团且重均分子量为2000以上1000000以下的聚合物(A)、与1分子中具有2个以上羧基的多元羧酸化合物(B)或其衍生物的反应物。
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公开(公告)号：CN101238556B
公开(公告)日：2010-11-24
申请号：CN200680028669.5
申请日：2006-08-10
Applicant: 三井化学株式会社
IPC: H01L21/316 , H01L21/768 , H01L23/522
Abstract: 本发明提供兼有低介电常数和高机械强度、可适用于光机能材料、电子机能材料等的多孔质二氧化硅和多孔质二氧化硅薄膜的制造方法、使用该多孔质二氧化硅薄膜的层间绝缘膜、半导体用材料、半导体装置的制造方法以及用于制造这些的制造装置。将包含烷氧基硅烷类的水解缩合物和表面活性剂的溶液进行干燥获得复合体，依次对该复合体进行紫外线照射处理以及用含有烷基的有机硅化合物进行疏水化处理。如果将上述溶液在基板上干燥形成复合体，则可得到多孔质二氧化硅薄膜。
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公开(公告)号：CN112805813A
公开(公告)日：2021-05-14
申请号：CN201980066019.7
申请日：2019-11-19
Applicant: 三井化学株式会社
IPC: H01L21/316 , C23C16/40
Abstract: 一种半导体元件中间体的制造方法，其包括下述工序：准备表面具有凹部的基板的准备工序；将上述基板的温度设为250℃以上，通过原子层沉积法，使用包含下述通式(1)所示的化合物的氧化锡前体，向上述凹部填充氧化锡的填充工序。通式(1)中，R1～R4各自独立地表示碳原子数1～6的烷基。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102482789B
公开(公告)日：2014-10-01
申请号：CN201080039759.0
申请日：2010-09-08
Applicant: 三井化学株式会社
CPC classification number: C25B1/003 , Y02E60/364 , Y02E60/368
Abstract: 本发明提供从含水电解液(12)生成氧气和/或氢气的气体生成装置，其具备阳极电极(2)、阴极电极(3)、多个贯通孔和气体收容部(21)。阳极电极(2)(光催化剂负载电极)具有含光催化剂层，该含光催化剂层含有通过光催化反应而从电解液(12)生成氧气的光催化剂。阴极电极(3)从通过含光催化剂层的光催化反应而在电解液(12)中生成的氢离子和电子来生成氢气。贯通孔设置在阳极电极(2)或者阴极电极(3)的至少一方，其不使电解液(12)通过且使所生成的氧气或者氢气通过。而且，气体收容部(21)收容通过了贯通孔的氧气或者氢气。
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公开(公告)号：CN101238556A
公开(公告)日：2008-08-06
申请号：CN200680028669.5
申请日：2006-08-10
Applicant: 三井化学株式会社
IPC: H01L21/316 , H01L21/768 , H01L23/522
Abstract: 本发明提供兼有低介电常数和高机械强度、可适用于光机能材料、电子机能材料等的多孔质二氧化硅和多孔质二氧化硅薄膜的制造方法、使用该多孔质二氧化硅薄膜的层间绝缘膜、半导体用材料、半导体装置的制造方法以及用于制造这些的制造装置。将包含烷氧基硅烷类的水解缩合物和表面活性剂的溶液进行干燥获得复合体，依次对该复合体进行紫外线照射处理以及用含有烷基的有机硅化合物进行疏水化处理。如果将上述溶液在基板上干燥形成复合体，则可得到多孔质二氧化硅薄膜。
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公开(公告)号：CN113574086B
公开(公告)日：2023-11-07
申请号：CN202080020547.1
申请日：2020-03-31
Applicant: 三井化学株式会社
IPC: C08G59/22 , C08G65/18 , H01L21/027 , B29C59/02
Abstract: 一种光固化性组合物，其用于形成凹凸结构体的树脂层，所述凹凸结构体具备基板、以及设置于该基板上且表面形成有微细凹凸的所述树脂层。该光固化性组合物的固化膜的基于Kitazaki‑Hata的理论测定得到的表面自由能为15mJ/m2～40mJ/m2，使用纳米压痕仪测定得到的硬度为0.05GPa～0.5GPa。
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公开(公告)号：CN108292604B
公开(公告)日：2023-02-21
申请号：CN201680066750.6
申请日：2016-11-16
Applicant: 三井化学株式会社
IPC: H01L21/312 , C08K5/092 , C08L101/02
Abstract: 一种用于生成半导体装置用膜的组合物，其包含：化合物(A)，具有包含伯氮原子和仲氮原子中至少一者的阳离子性官能团、且重均分子量为1万以上40万以下；交联剂(B)，在分子内具有3个以上‑C(＝O)OX基(X为氢原子或碳数1以上6以下的烷基)，3个以上‑C(＝O)OX基中，1个以上6个以下为‑C(＝O)OH基，所述交联剂(B)的重均分子量为200以上600以下；以及水(D)，所述化合物(A)为脂肪族胺。
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公开(公告)号：CN107004599B
公开(公告)日：2020-02-18
申请号：CN201580065169.8
申请日：2015-12-14
Applicant: 三井化学株式会社
IPC: H01L21/3205 , C01B33/12 , H01L21/312 , H01L21/768 , H01L23/14 , H01L23/522 , H01L23/532
Abstract: 本发明提供一种基板中间体，其具备：在厚度方向具有配置导电体的孔的基板，以及在所述孔的壁面形成的密合层，所述密合层包含具有阳离子性官能团且重均分子量为2000以上1000000以下的聚合物(A)、与1分子中具有2个以上羧基的多元羧酸化合物(B)或其衍生物的反应物。
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