发明公开
- 专利标题: 半导体集成电路器件及高频功率放大器模块
- 专利标题(英): Semiconductor integrated circuit device and high-frequency power amplifier module
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申请号: CN200810003404.0申请日: 2008-01-11
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公开(公告)号: CN101252352A公开(公告)日: 2008-08-27
- 发明人: 中岛秋重 , 重野靖 , 石川知之
- 申请人: 株式会社瑞萨科技
- 申请人地址: 日本东京都
- 专利权人: 株式会社瑞萨科技
- 当前专利权人: 株式会社村田制作所
- 当前专利权人地址: 日本东京都
- 代理机构: 北京市金杜律师事务所
- 代理商 王茂华
- 优先权: 2007-039317 2007.02.20 JP
- 主分类号: H03K17/06
- IPC分类号: H03K17/06 ; H03K17/687 ; H03K17/693 ; H04B1/00 ; H03F3/20 ; H03F1/26
摘要:
通过防止插入损耗的减少,减少了天线开关的谐波失真,同时确保了足够的升压电压。在向控制端子施加导通状态的电压时,导通了设置在天线端子和发射端子之间的天线开关,PCS/DCS系统的发射信号从发射端子通过天线端子传送。这时,由于二极管的整流,供给一部分发射信号的升压器电路在输出端子处生成比从控制器输出的控制电压高的升压电压,并将该升压电压施加到天线开关的晶体管电路的栅极。由于在升压器电路中电阻器耦合到输出端子,RF信号路径中的输入发射功率所经过的电阻器只有一个电阻器,由此减少了发射信号的衰减并提供了优良的插入损耗特性。
公开/授权文献
- CN101252352B 半导体集成电路器件及高频功率放大器模块 公开/授权日:2012-07-25