公开(公告)号：CN113196662B

公开(公告)日：2024-08-23

申请号：CN201980069312.9

申请日：2019-08-28

申请人： 宜普电源转换公司

发明人： 李剑锋 ,  R·阿南思 ,  M·查普曼 ,  迈克尔·A·德·鲁伊 ,  R·比奇

IPC分类号： H03K17/06 ,  H03K19/01 ,  H02M3/07

摘要： 一种级联自举栅极驱动器，配置成提供高侧功率开关场效应晶体管的快速导通和低静态电流消耗。初级自举级包括电阻器，以减少晶体管关断期间的静态电流消耗。次级自举级包括由初级自举级驱动的具有低导通电阻的GaN FET晶体管。GaN FET晶体管的源极端子被配置为向高侧功率开关FET提供栅极驱动电压。GaN‑FET晶体管的低导通电阻提供了高侧功率开关FET的快速导通。级联自举栅极驱动器中的晶体管优选为增强模式GaN FET，并且可以集成到单个半导体芯片中。

公开(公告)号：CN118523759A

公开(公告)日：2024-08-20

申请号：CN202410577220.4

申请日：2024-05-10

申请人： 国网北京市电力公司 ,  国家电网有限公司

发明人： 何彦彬 ,  余谦 ,  苏彪 ,  晋彤阳 ,  屈恒 ,  张振亮 ,  晏思奇 ,  秦丹阳 ,  周毅斌

IPC分类号： H03K17/06 ,  H03K17/16 ,  H03K17/687

摘要： 本发明属于集成电路领域，具体涉及一种用于氮化镓功率晶体管的三电平驱电路及方法，包括第一信号输入端、二级栅极驱动器、电源端、第二信号输入端、第二栅极驱动、电阻、低侧氮化镓功率场效应管、第三信号输入端、高侧驱动器和电压输入端：二级栅极驱动器第一端为第一信号输入端；电源端连接二级栅极驱动器第二端；第二栅极驱动第一端为第二信号输入端，第二栅极驱动第二端连接电阻的一端，电阻的另一端连接低侧氮化镓功率场效应管的栅极；高侧驱动器第一端为第三信号输入端；高侧驱动器第二端为电压输入端，高侧驱动器第三端连接电感器连接端第一端，电感器连接端第二端连接低侧氮化镓功率场效应管的漏极。提出了一种基于电容的三电平栅极驱动电路，具有较高的误导通容限以及减少反向传导损耗。

公开(公告)号：CN113765508B

公开(公告)日：2024-07-09

申请号：CN202111142307.1

申请日：2018-11-02

申请人： 德州仪器公司

发明人： S·K·马诺哈尔 ,  M·J·米尔斯 ,  J·P·沃格特

IPC分类号： H03K17/687 ,  H03K17/14 ,  H03K17/0812 ,  H03K17/06 ,  G06F13/42 ,  G05F3/26 ,  G05F3/24 ,  G05F1/595

摘要： 本申请实施例涉及一种高压栅极驱动电流源。一种用于USB电力输送的电力供应系统(100)包含电流源驱动电路(110)以控制功率FET(104)以调节沿功率路径(106、108)的功率的供应。所述电流源驱动电路(110)包含共源共栅电流源(120)和由源极跟随器(124)和反馈电压分压器(126)形成的共源共栅保护电路(122)。所述源极跟随器(124)可以是晶体管，其栅极连接到所述共源共栅电流源(120)的上级晶体管和下级晶体管之间的共源共栅节点。所述电压分压器(126)的分压器节点连接到所述下级晶体管所述的栅极。

公开(公告)号：CN117879572A

公开(公告)日：2024-04-12

申请号：CN202410080142.7

申请日：2024-01-19

申请人： 北京航天广通科技有限公司

发明人： 许力文 ,  张东 ,  黄永清

IPC分类号： H03K17/74 ,  H03K17/06 ,  H03K17/14

摘要： 本发明公开了一种半导体晶体管的瞬时负压关断电路，在第一状态下，电源模块和充放电模块通过开关控制模块导通，瞬时负压关断电路输出第一电平信号至半导体晶体管，以使半导体晶体管导通。在第二状态下，充放电模块通过开关控制模块导通，瞬时负压关断电路输出第二电平信号至半导体晶体管，以使半导体晶体管关断。在第三状态下，开关控制模块导通，瞬时负压关断电路输出第三电平信号至半导体晶体管，以使半导体晶体管保持关断。其中，第一电平信号大于第三电平信号，第三电平信号大于第二电平信号。如此，瞬时负压关断电路为半导体晶体管提供短暂的第二电平信号，即采用瞬时负压关断策略，提高了半导体晶体管驱动的可靠性，减小了驱动损耗。

公开(公告)号：CN113037252B

公开(公告)日：2024-03-22

申请号：CN202110248541.6

申请日：2021-03-05

申请人： 苏州汇川技术有限公司

发明人： 吴岩松

IPC分类号： H03K17/06

摘要： 本发明属于可控硅技术领域，公开了一种可控硅驱动电路及方法。该电路包括采样模块及脉冲生成模块，采样模块采集可控硅整流电路的输入端电压，进行信号调理后发送至脉冲生成模块；脉冲生成模块根据调理后的电压信号确定允许发波区间并生成目标窄脉冲；和/或，根据调理后的电压信号确定允许发波区间，根据允许发波区间和预设脉冲序列生成目标窄脉冲，根据目标窄脉冲驱动可控硅整流电路中的可控硅。本发明中可控硅的发波方式为单个窄脉冲不受电源功率的限制，减小电源功耗节省空间，不受限于电源功耗可增大可控硅的驱动电流利于主回路大电流下可控硅开通。

公开(公告)号：CN117674786A

公开(公告)日：2024-03-08

申请号：CN202311365391.2

申请日：2023-10-19

申请人： 矽力杰半导体技术(杭州)有限公司

发明人： 宋健 ,  姚刚 ,  吴燕 ,  杨宇

IPC分类号： H03K17/06 ,  H03K17/60

摘要： 本申请提供一种传输门电路，包括传输门、第一辅助电路以及第二辅助电路。传输门包括一组P型第一晶体管和N型第二晶体管,P型第一晶体管的第一端和N型第二晶体管的第一端互连以作为输入端，P型第一晶体管的第二端和N型第二晶体管的第二端互连以作为输出端，P型第一晶体管和N型第二晶体管的控制端的信号相反。第一辅助电路与P型第一晶体管耦接并被配置为电荷吸收电路，用以吸收P型第一晶体管关断动作所产生的电荷。第二辅助电路与N型第二晶体管耦接并被配置为电荷吸收电路，用以吸收N型第二晶体管关断动作所产生的电荷。透过前述配置，吸收传输门关断动作所产生的电荷，从而避免前述电荷影响传输门电路的讯号传递。

公开(公告)号：CN108063609B

公开(公告)日：2024-01-23

申请号：CN201711455176.6

申请日：2017-12-27

申请人： 杰华特微电子股份有限公司

发明人： 陈小鹏 ,  黄必亮 ,  周逊伟

IPC分类号： H03K17/06 ,  H02M1/08

摘要： 本发明公开了一种用于开关电源的频率控制电路、控制方法及开关电路，所述开关电源包括开关功率电路，所述开关功率电路包括主功率管和同步整流管。在断续模式下，所述主功率管和所述同步整流管都关断，当计时到所述第一时间时，且补偿信号一直没有大于第一阈值，所述同步整流管导通，所述主功率管保持关断；当所述补偿信号大于所述第一阈值，则所述主功率管导通，所述同步整流管关断。当负载轻到一定程度，可以实现断续模式下的定频控制。

公开(公告)号：CN117254796A

公开(公告)日：2023-12-19

申请号：CN202310919784.7

申请日：2023-07-24

申请人： 英诺赛科(深圳)半导体有限公司

发明人： 杜发达 ,  陈海锋 ,  邹艳波 ,  陈钰林

IPC分类号： H03K17/687 ,  H03K17/081 ,  H03K17/06 ,  H02M3/00

摘要： 本申请涉及半导体技术领域，提供一种半导体器件驱动电路、方法、芯片及装置。所述电路包括：测量电阻的一端与半导体器件的源极相连接，测量电阻的另一端与第一接地点相连接；比较器的反相输入端与半导体器件的源极相连接，比较器的同相输入端与参考电压输入点相连接，比较器的输出端与光耦的输入端相连接；光耦的第一输出端与半导体器件的栅极相连接，光耦的第二输出端与直流升压转换器的输入端相连接；直流升压转换器的输出端与驱动器的输入端相连接；驱动器的输出端与半导体器件的栅极相连接。本申请实施例提供的半导体器件驱动电路可以保证驱动信号的电平电压与半导体器件的阈值电压相匹配，避免引起器件发热、性能浪费或损坏。

公开(公告)号：CN110869876B

公开(公告)日：2023-12-12

申请号：CN201880045669.9

申请日：2018-06-15

申请人： 高通股份有限公司

发明人： V·纳拉亚南 ,  D·库玛 ,  R·维兰谷迪皮查 ,  V·宝娜帕里

IPC分类号： G06F1/26 ,  G06F1/3296 ,  H03K17/00 ,  H03K17/06 ,  H03K17/687 ,  H03K17/693 ,  H03K19/173

摘要： 一种功率复用器包括：第一支路，包括与第二晶体管串联耦合在第一电源与功率输出之间的第一晶体管；第二支路，包括与第四晶体管串联耦合在第二电源与功率输出之间的第三晶体管；控制器，被配置为向第一支路和第二支路选择性地确立和解除确立控制信号；第一电压电平移位器，耦合在第二晶体管与控制器之间；以及第二电压电平移位器，耦合在第三晶体管与控制器之间。

公开(公告)号：CN117203895A

公开(公告)日：2023-12-08

申请号：CN202280028956.5

申请日：2022-02-16

申请人： 日立安斯泰莫株式会社

发明人： 北雅人 ,  小林洋一郎

IPC分类号： H03K17/06

摘要： 本发明提供一种可靠性高的负载驱动电路和使用它的电子控制装置、电子控制装置的控制方法，在具有用于选择电源电压的切换电路的负载驱动电路中，能够无需使用开关、判断电路地进行无缝的电源电压切换。其特征在于，包括：对来自电源的输出进行升压的升压电路；和切换来自所述电源的输出和来自所述升压电路的输出的电压切换电路，所述电压切换电路包括第一MOSFET、第二MOSFET和生成所述第一MOSFET和所述第二MOSFET各自的栅极电压的栅极电压生成电路，所述第一MOSFET和所述第二MOSFET各自的栅极端子与所述栅极电压生成电路连接，所述第一MOSFET和所述第二MOSFET各自的源极端子与同一节点连接，所述第一MOSFET的漏极端子与所述升压电路的输出端子连接，所述第二MOSFET的漏极端子与所述电源的输出端子连接，按照来自所述电源的输出电压，无缝地切换来自所述电源的输出和来自所述升压电路的输出。