发明公开
- 专利标题： 使用烧结温度低的含锡无机材料进行气密性密封
- 专利标题（英）： Low temperature sintering using sn2+ containing inorganic materials to hermetically seal a device
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申请号： CN200810081549.2申请日： 2008-02-28
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公开(公告)号： CN101256970A公开(公告)日： 2008-09-03
- 发明人: B·G·艾特肯 , M·A·奎萨达
- 申请人： 康宁股份有限公司
- 申请人地址： 美国纽约州
- 专利权人： 康宁股份有限公司
- 当前专利权人： 康宁股份有限公司
- 当前专利权人地址： 美国纽约州
- 代理机构： 上海专利商标事务所有限公司
- 代理商 沙永生
- 优先权： 60/903,983 2007.02.28 US
- 主分类号： H01L21/56
- IPC分类号： H01L21/56 ; H01L23/29 ; H01L51/00 ; H01L51/54 ; H01L51/46 ; H01L51/30 ; H01L51/56 ; H01L51/48 ; H01L51/40 ; H01L27/32 ; C09K3/10
摘要：
本文描述了一种抑制氧和湿气劣化器件(如OLED器件)的方法及由该方法制得的器件。为了抑制氧和湿气劣化器件，使用含Sn2+无机材料在该器件上形成防渗透层。该含Sn2+无机材料可以是例如SnO、混合的SnO和P2O5粉末，以及混合的SnO和BPO4粉末。
IPC分类:
