发明授权
- 专利标题: 电熔丝的制造方法和半导体结构
- 专利标题(英): Method for making electronic fuses and semiconductor structure
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申请号: CN200810082602.0申请日: 2008-02-27
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公开(公告)号: CN101256978B公开(公告)日: 2010-06-16
- 发明人: 许履尘 , J·A·曼德尔曼 , W·R·通蒂 , 杨智超
- 申请人: 国际商业机器公司
- 申请人地址: 美国纽约
- 专利权人: 国际商业机器公司
- 当前专利权人: 格芯公司
- 当前专利权人地址: 美国纽约
- 代理机构: 北京市中咨律师事务所
- 代理商 于静; 李峥
- 优先权: 11/680,131 2007.02.28 US
- 主分类号: H01L21/768
- IPC分类号: H01L21/768 ; H01L23/525
摘要:
本发明涉及一种电熔丝的制造方法和半导体结构。提供一种结构的制造方法,该方法包括提供一种结构。该结构包括(a)衬底层,(b)在衬底层中的第一熔丝电极,以及(c)在衬底层和第一熔丝电极上的熔丝电介质层。该方法还包括(i)在熔丝电介质层中形成开口,以便第一熔丝电极通过该开口暴露于周围环境,(ii)在该开口的侧壁和底壁上形成熔丝区域,以便将熔丝区域电耦合到第一熔丝电极,以及(iii)在所述形成熔丝区域之后,用电介质材料填充该开口。
公开/授权文献
- CN101256978A 电熔丝的制造方法和半导体结构 公开/授权日:2008-09-03