-
公开(公告)号：CN101034696A
公开(公告)日：2007-09-12
申请号：CN200710086005.0
申请日：2007-03-07
申请人： 国际商业机器公司
IPC分类号： H01L23/525 , H01L21/768
CPC分类号： H01L23/5256 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： 一种用于集成电路的电编程熔丝结构及其制造方法，其中电编程熔丝具有通过熔丝元件互连的第一端部和第二端部。第一端部和第二端部相对于熔丝结构的支撑面位于不同的高度，互连熔丝元件在第一端部和第二端部的不同高度之间转变。第一和第二端部取向为与支撑面平行，而熔丝元件包括取向为与支撑面垂直的部分，并且包括至少一个直角弯角，在所述弯角从第一和第二端部的至少一个转变成熔丝元件的垂直取向部分。
-
公开(公告)号：CN101013673A
公开(公告)日：2007-08-08
申请号：CN200710006995.2
申请日：2007-02-01
申请人： 国际商业机器公司
IPC分类号： H01L21/336 , H01L21/84 , H01L29/786 , H01L27/12
CPC分类号： H01L29/66772 , H01L29/78612 , H01L29/78624 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： 在第一方面，提供了制造高电压晶体管的第一方法。第一方法包括步骤(1)提供包括在绝缘体上硅(SOI)层下面的绝缘层下面的体硅层的衬底；以及(2)在SOI层中形成包括晶体管的扩散区域的晶体管节点的一个或多个部分。部分晶体管节点适于将晶体管内大于约5V的电压减小至小于约3V的电压。还提供了许多其它方面。
-
公开(公告)号：CN1113402C
公开(公告)日：2003-07-02
申请号：CN98122391.5
申请日：1998-12-04
申请人： 国际商业机器公司
IPC分类号： H01L21/3215 , H01L21/3115 , H01L21/82
CPC分类号： H01L21/28035 , H01L21/82345
摘要： 一种提供双功函数掺杂的方法通过至少各栅结构的一个侧壁，将具有各结构上的自对准绝缘层的所选数目的各栅结构掺杂为第一导电类型，从而提供栅结构阵列，由此使某些所说栅结构掺杂成第一导电类型，而另外一些栅结构掺杂成不同的第二导电类型。另外，提供一种栅结构阵列，使各栅结构含有于其上部的自对准的绝缘层，其中某些所说栅结构掺杂成第一导电类型，而另外一些栅结构掺杂成不同的第二导电类型。
-
公开(公告)号：CN1790290B
公开(公告)日：2012-02-01
申请号：CN200510114973.9
申请日：2005-11-16
申请人： 国际商业机器公司
CPC分类号： G06F12/1433 , G06F21/6245
摘要： 本发明提供了这样的技术和系统，借此在电子装置已离开制造商的控制后可控制该装置的特定功能的操作和/或对其的访问。可基于存储在非易失性存储元件例如电可编程熔丝(eFUSE)中的值来提供所述操作和/或访问。
-
公开(公告)号：CN100527407C
公开(公告)日：2009-08-12
申请号：CN200610106431.1
申请日：2006-07-24
申请人： 国际商业机器公司
IPC分类号： H01L23/525 , H01L21/768
CPC分类号： H01L27/10 , H01L23/5256 , H01L2924/0002 , H01L2924/3011 , H01L2924/00
摘要： 一种电熔丝起始于在第一绝缘层上具有单晶硅层的单晶绝缘体上硅(SOI)结构。将单晶硅层构图为带。在构图之前或之后，用一种或多种杂质掺杂单晶硅层。随后硅化单晶硅层的至少上部以形成硅化带。在一个实施例中，硅化整个单晶硅带以形成硅化物带。在硅化物带上形成第二绝缘体，以使硅化带与周围结构隔离。在形成第二绝缘体之前或之后，该方法形成穿过第二绝缘体到硅化带末端的电接触。通过利用单晶硅带，如二极管、导体、绝缘体、晶体管等的任何形式的半导体可以形成熔丝结构的下面部分。上面的硅化物材料允许熔丝在其未编程状态下用作导体。然而，与在编程状态下仅包括绝缘体的金属或多晶硅基电熔丝相反，当本发明的电熔丝被编程时(并且硅化物被移动或断开)，下面的半导体结构以有源半导体器件工作。
-
公开(公告)号：CN1909227A
公开(公告)日：2007-02-07
申请号：CN200610101306.1
申请日：2006-07-14
申请人： 国际商业机器公司
IPC分类号： H01L23/525 , H01L21/768
CPC分类号： H01L27/10 , H01L23/5256 , H01L29/66795 , H01L29/785 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： 本发明涉及可编程半导体器件，优选FinFET或三栅极结构，该器件包括第一接触元件，第二接触元件，以及连接在第一和第二接触元件之间的至少一个鳍片形熔丝链接区域。第二接触元件与第一接触元件横向隔开，并且鳍片形熔丝链接区域具有垂直切口部分。流经鳍片形熔丝链接区域的编程电流引起电阻的显著增加或在垂直切口部分中形成中断。可选地，垂直切口部分可以包括介质材料，并且在覆盖垂直切口部分的栅极电极和一个接触元件之间施加的编程电压断开介质材料并且允许电流在栅极电极和鳍片形熔丝链接区域之间流动。
-
公开(公告)号：CN1714439A
公开(公告)日：2005-12-28
申请号：CN02830046.7
申请日：2002-12-20
申请人： 国际商业机器公司
CPC分类号： H01L21/84 , H01L23/5252 , H01L27/0629 , H01L27/11807 , H01L27/1203 , H01L29/785 , H01L29/7854 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： 本发明提供了与如FINFET或平面CMOS器件的半导体器件集成的反熔断器结构(100)及其制造方法。提供覆盖设置于衬底(10)上的绝缘体(3)的半导体材料区(11)；蚀刻工艺暴露半导体材料中的多个角(111－114)。氧化暴露的角，以在角处形成拉伸尖端(111t－114t)；除去覆盖尖端的氧化物(31)。然后，在半导体材料上形成例如栅极氧化物的氧化物层(51)并覆盖角；该层在角处具有减小的厚度。形成在角处与氧化物层(51)接触的导电材料层(60)，由此，在半导体材料和导电材料层之间穿过氧化物层，形成多个可能的击穿路径。向所述结构施加如老化电压的电压，以使击穿路径的至少一个转化为导电路径(103、280)。
-
公开(公告)号：CN100541780C
公开(公告)日：2009-09-16
申请号：CN200610101306.1
申请日：2006-07-14
申请人： 国际商业机器公司
IPC分类号： H01L23/525 , H01L21/768
CPC分类号： H01L27/10 , H01L23/5256 , H01L29/66795 , H01L29/785 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： 本发明涉及可编程半导体器件，优选FinFET或三栅极结构，该器件包括第一接触元件，第二接触元件，以及连接在第一和第二接触元件之间的至少一个鳍片形熔丝链接区域。第二接触元件与第一接触元件横向隔开，并且鳍片形熔丝链接区域具有垂直切口部分。流经鳍片形熔丝链接区域的编程电流引起电阻的显著增加或在垂直切口部分中形成中断。可选地，垂直切口部分可以包括介质材料，并且在覆盖垂直切口部分的栅极电极和一个接触元件之间施加的编程电压断开介质材料并且允许电流在栅极电极和鳍片形熔丝链接区域之间流动。
-
公开(公告)号：CN101026124A
公开(公告)日：2007-08-29
申请号：CN200710005586.0
申请日：2007-02-13
申请人： 国际商业机器公司
IPC分类号： H01L21/762 , H01L21/8238 , H01L27/092
CPC分类号： H01L27/0921 , H01L21/76229 , H01L21/823878
摘要： 本发明提供了用于抑制体CMOS器件中的闭锁的半导体方法和器件结构。该方法包括在衬底的半导体材料中形成沟槽，该沟槽具有设置在也在衬底的半导体材料中限定的一对掺杂阱之间的第一侧壁。该方法还包括在沟槽中形成蚀刻掩模以部分掩蔽沟槽的底部，接着除去穿过部分掩蔽的底部暴露的衬底的半导体材料，以限定加深沟槽的变窄的第二侧壁。用介质材料填充加深沟槽以限定在掺杂阱中形成的器件的沟槽隔离区域。填充加深的沟槽延伸的介质材料增强了闭锁抑制。
-
公开(公告)号：CN1222998C
公开(公告)日：2005-10-12
申请号：CN01119790.0
申请日：2001-05-30
申请人： 国际商业机器公司
CPC分类号： H01L23/5252 , H01L27/10829 , H01L27/10897 , H01L27/1203 , H01L29/66181 , H01L2924/0002 , H01L2924/3011 , H01L2924/00
摘要： 一种能在低电压和低电流下编程的抗熔丝结构，它可能占据很少的芯片空间，并被制作在诸如绝缘体上硅之类的组合物衬底上。抗熔丝的编程或采取选择形成导体位置的方法和/或采取损伤电容器状结构的电介质的方法。一种绝缘颈圈被用来限制损伤只发生在所希望的位置。编程电流引起的热效应电压和噪声，被有效地与本底硅层隔离开来，这就允许在该器件正常工作的状态下进行编程。因此，在不中断工作的情况下得以实现自修复的潜能。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
搜索结果
27 条记录 (耗时 0.029 秒)
