发明公开
CN101278068A SiOx:Si复合物及其制造方法
无效 - 撤回
- 专利标题: SiOx:Si复合物及其制造方法
- 专利标题(英): SIOx:Si composite articles and methods of making same
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申请号: CN200680036012.3申请日: 2006-08-11
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公开(公告)号: CN101278068A公开(公告)日: 2008-10-01
- 发明人: 戴维·E·史蒂文森 , 利·Q·周
- 申请人: 温特克光电公司
- 申请人地址: 美国密歇根州
- 专利权人: 温特克光电公司
- 当前专利权人: 温特克光电公司
- 当前专利权人地址: 美国密歇根州
- 代理机构: 上海智信专利代理有限公司
- 代理商 邓琪
- 优先权: 11/201,781 2005.08.11 US
- 国际申请: PCT/US2006/031996 2006.08.11
- 国际公布: WO2007/022277 EN 2007.02.22
- 进入国家日期: 2008-03-28
- 主分类号: C23C14/00
- IPC分类号: C23C14/00 ; C23C14/10 ; C23C14/14 ; C23C14/34 ; H01L21/31
摘要:
本发明提供一种制品,由硅氧化物和导电的掺杂的硅材料制成,两者在保护性的环境中结合以形成SiOX:Si材料的复合物,该复合物呈现出SiOX的特性,还由于Si的存在而具导电性。由这种复合材料制成的制品有很多用途,例如作为直流或交流溅射过程中用于生产硅氧化物薄膜的靶材,用于触摸屏,LCD显示屏的格栅薄膜和用在很多领域的光学薄膜。
IPC分类: