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发明授权
CN101283122B 氧化锌晶体，它的生长方法和发光器件的生产方法 失效 - 权利终止

  • 专利标题： 氧化锌晶体，它的生长方法和发光器件的生产方法
  • 专利标题（英）： ZnO crystal, method for growing the crystal, and method for manufacture of light-emitting element
  • 申请号： CN200680037146.7
    申请日： 2006-08-08
  • 公开(公告)号： CN101283122B
    公开(公告)日： 2011-02-09
  • 发明人: 加藤裕幸 , 佐野道宏
  • 申请人： 斯坦雷电气株式会社
  • 申请人地址： 日本东京都
  • 专利权人： 斯坦雷电气株式会社
  • 当前专利权人： 斯坦雷电气株式会社
  • 当前专利权人地址： 日本东京都
  • 代理机构： 北京市柳沈律师事务所
  • 代理商 张平元
  • 优先权： 230730/2005 2005.08.09 JP; 230731/2005 2005.08.09 JP
  • 国际申请： PCT/JP2006/315675 2006.08.08
  • 国际公布： WO2007/018216 JA 2007.02.15
  • 进入国家日期： 2008-04-07
  • 主分类号： C30B23/08
  • IPC分类号： C30B23/08 ;  C23C14/08 ;  C30B29/16
氧化锌晶体，它的生长方法和发光器件的生产方法
摘要：
本发明涉及氧化锌晶体，它的生长方法和发光器件的生产方法。ZnO晶体生长方法具有下述步骤：(a)制备具有能够生长暴露Zn极性平面的ZnO晶体的表面的基质；(b)在基质表面上通过交替重复富Zn条件期间和富O条件期间供给Zn和O；和(c)在步骤(b)供给Zn和O的同时在基质表面上供给导电型确定杂质。
摘要（英）：

A method for growing a ZnO crystal comprising the steps of (a) providing a substrate having such a surface that allows a ZnO crystal to grow thereon, the ZnO crystal having a Zn polar face exposed thereon, (b) feeding Zn and O to the upper side of the surface of the substrate in such a manner that the Zn-rich period and the O-rich period are repeated in an alternating manner, and (c) feeding a conductivity-determining impurity to the upper side of the surface of the substrate during feeding Zn and O in the step (b).

公开/授权文献
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