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公开(公告)号:CN118946757A
公开(公告)日:2024-11-12
申请号:CN202380030439.6
申请日:2023-03-27
申请人: 斯坦雷电气株式会社
发明人: 高本毅
IPC分类号: F21S43/245 , F21S43/14 , F21S43/237 , F21S43/241 , F21S43/249 , F21V8/00 , G09F13/18 , F21W103/00 , F21W103/20 , F21W103/35 , F21W105/00 , F21Y115/10 , F21Y115/30
摘要: 车辆用灯具具有光源(2a、2b)和将从光源(2a、2b)射出的光(L)从一端侧引导到另一端侧的导光体(3),导光体(3)具有连接位于光源(2a、2b)前方的第一导光部(3a)和在一端侧与另一端侧之间沿一个方向延伸的第二导光部(3b)而成的形状,且第二导光部(3b)具有在一个方向上排列多个而配置,通过使光(L)扩散而发光的发光部(8);以及配置在发光部(8)彼此相邻的部分之间并使光(L)透射的透射部(10)。
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公开(公告)号:CN118830092A
公开(公告)日:2024-10-22
申请号:CN202380025532.8
申请日:2023-02-14
申请人: 斯坦雷电气株式会社
摘要: 一种半导体发光元件(10),其包括:绝缘性或半绝缘性的基板(11);发光功能层(15),其在基板(11)上依次层叠了第一极性的第一半导体层(12)、发光层(13)、第二极性的第二半导体层(14)而形成;绝缘膜(25),其覆盖发光功能层(15);设置在绝缘膜(25)上的第一焊盘电极(28B)和第二焊盘电极(28A)以及至少一个中间焊盘(29),第一焊盘电极(28B)和第二焊盘电极(28A)分别与第一半导体层(12)和第二半导体层(14)电连接,至少一个中间焊盘(29)与发光功能层(15)电绝缘;焊盘分离槽(GP),将第一焊盘电极(28B)、第二焊盘电极(28A)及中间焊盘(29)分别隔开,并且使绝缘膜(25)露出。
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公开(公告)号:CN118786471A
公开(公告)日:2024-10-15
申请号:CN202380024685.0
申请日:2023-03-03
申请人: 斯坦雷电气株式会社
摘要: 在与道路状况相应的适当的时机对行驶车辆等进行路面标识。通知系统构成为包括沿着道路设置的相互可直接通信地连接的多个路灯,各路灯包括:影像处理部,基于拍摄所述道路而得到的图像数据,检测横穿所述道路而行进的横穿者的有无和在所述道路上行驶的车辆的有无;第一信号处理部,在存在所述横穿者的情况下生成横穿者感知信号,并对其他所述路灯发送该横穿者感知信号;第二信号处理部,在存在所述车辆的情况下生成车辆感知信号,并对存在于所述车辆的行进方向上的其他所述路灯发送该车辆感知信号;以及通知执行部,在接收到从其他所述路灯发送的所述横穿者感知信号及所述车辆感知信号双方的情况下,进行用于注意提醒的通知。
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公开(公告)号:CN118778300A
公开(公告)日:2024-10-15
申请号:CN202410399092.9
申请日:2024-04-03
申请人: 斯坦雷电气株式会社
IPC分类号: G02F1/13 , G02F1/1337 , G02F1/1339 , G02F1/1341
摘要: 本发明以简单的结构得到具有多个取向畴的液晶元件、照明装置、车辆用灯具系统。包括:第一基板和第二基板、配置在第一基板和第二基板之间的液晶层以及具有注入口的密封材料,第一基板的第一取向膜和第二基板的第二取向膜的每一个,在与液晶层相接的面上具有指向一个方向的取向限制力,在第一取向膜和第二取向膜的每一个与液晶层之间的界面上,存在可通过光照射而聚合的单体或该单体聚合而成的聚合物,在具有俯视时相对于注入口相对近的第一区域和相对于注入口相对远的第二区域,第一区域与第二区域相比,聚合物的密度高,并且在与取向限制力的方向相反的方向上具有预倾角,第二区域在与取向限制力的方向相同的方向上具有预倾角。
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公开(公告)号:CN118749165A
公开(公告)日:2024-10-08
申请号:CN202380017969.7
申请日:2023-02-02
申请人: 国立大学法人京都大学 , 斯坦雷电气株式会社
IPC分类号: H01S5/11
摘要: 本发明的光子晶体面发射激光元件具有:第一半导体层,其形成有具有气孔的光子晶体层,该气孔具有二维周期性地配置在与层平行的面内;有源层,其形成在第一半导体层上;第二半导体层,其形成在有源层上;高折射率层,其形成在第二半导体层上,在中央区域具有使第二半导体层露出的开口部;透明导电体层,其覆盖露出于开口部的第二半导体层,并且与第二半导体层电连接,折射率比高折射率层低;以及光反射膜,其设置在透明导电体层和高折射率层上,反射经由开口部和第二半导体层入射的光。
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公开(公告)号:CN118742768A
公开(公告)日:2024-10-01
申请号:CN202380016014.X
申请日:2023-03-02
申请人: 斯坦雷电气株式会社
发明人: 佐藤浩二
IPC分类号: F21S43/237 , F21S43/241 , F21S43/247 , F21V8/00 , F21W103/00 , F21W103/10 , F21W103/15 , F21W103/20 , F21W103/45 , F21W103/55 , F21Y115/10 , F21Y115/30
摘要: 一种车辆用灯具(1A)具有光源(2)和导光体(3A),从光源(2)射出的光(L)从入射部(4)向导光体(3A)的内部入射,由设置在导光体(3A)的背面侧的多个反射截止部(5a)反射的光(L)从正面侧向外部射出,由此,设置在正面侧的发光部(6)发光,其特征在于,车辆用灯具(1A)具有:导光体(3A)的一部分在入射部(4)与发光部(6)之间弯曲而成的弯曲部(7);和通过将弯曲部(7)的正面侧的一部分沿轴线方向切开而从弯曲部(7)的正面侧立起的立壁(9),立壁(9)形成有对在弯曲部(7)的内部引导的光(L)进行反射的反射面。
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公开(公告)号:CN118715680A
公开(公告)日:2024-09-27
申请号:CN202380022100.1
申请日:2023-03-09
IPC分类号: H01S5/343 , C23C16/18 , C23C16/34 , C30B25/02 , C30B29/38 , H01L21/205 , H01L33/10 , H01L33/32 , H01S5/183
摘要: 提供一种品质良好的氮化物半导体发光元件的制造方法以及品质良好的氮化物半导体发光元件。一种氮化物半导体发光元件的制造方法,使用了金属有机化合物气相生长法,具有:第一层层叠工序,结晶生长出组分中包含Al以及In的n‑AlInN层(12),帽层层叠工序,在执行第一层层叠工序后,在n‑AlInN层(12)的表面结晶生长出组分中包含Ga的GaN帽层(13),以及第二层层叠工序,在执行帽层层叠工序后,在GaN帽层(13)的表面结晶生长出组分中包含Ga的GaN层(14)。该氮化物半导体发光元件的制造方法中,在执行帽层层叠工序后且执行第二层层叠工序前,还具有氢清洗工序,在氢清洗工序中,停止向反应炉内供给原料气体,且向反应炉内供给氢气,至少对GaN帽层(13)的表面进行清洗。
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公开(公告)号:CN118679082A
公开(公告)日:2024-09-20
申请号:CN202380020982.8
申请日:2023-02-09
申请人: 斯坦雷电气株式会社
发明人: 川上拓也
IPC分类号: B60Q1/24 , F21V8/00 , F21V23/00 , F21V7/04 , F21V7/06 , F21S41/148 , F21S41/24 , F21S41/30 , F21S41/663 , F21S43/14 , F21S43/243 , F21S43/30 , F21W102/17 , F21W103/45 , F21Y115/10
摘要: 车辆用灯具具有:第一发光单元(7),其一边利用反射器(6)对从第一光源(5A)射出的第一光(L1)进行反射,一边朝向车辆后方照射由反射器(6)反射的第一光(L1);以及第二发光单元(9),其一边利用导光透镜(8)对从第二光源(5B)射出的第二光(L2)进行导光,一边将由导光透镜(8)导光的第二光(L2)朝向车辆后方照射,第一发光单元(7)朝向车辆后方的照射范围照射第一光(L1),第二发光单元(9)沿车宽方向排列配置有多个,选择性地向以与照射范围重叠的方式沿车宽方向被分割的每个照射区域照射第二光(L2)。
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公开(公告)号:CN118355574A
公开(公告)日:2024-07-16
申请号:CN202280080814.3
申请日:2022-11-22
申请人: 斯坦雷电气株式会社
摘要: [问题]为提供一种垂直腔发光元件,该垂直腔发光元件被配置为防止包括有源层的半导体层的劣化,并且因此,所述元件具有高耐久性。[解决方案]该垂直腔发光元件的特征在于包括:氮化镓基半导体基板;第一多层膜镜反射体,其形成在基板上并且包括在其成分中包含铟的含铟氮化物半导体层和不包含铟的无铟氮化物半导体层,所述层被交替层压;半导体结构层,其包括由氮化物半导体组成的有源层;第二多层膜镜反射体,其形成在半导体结构层上,并且与第一多层膜镜反射体一起构成空腔;以及电流限制结构,其形成在第一多层膜镜反射体与第二多层膜镜反射体之间,并且将电流集中到有源层的一个区域。该垂直腔发光元件的特征还在于,第一多层膜镜反射体的顶层是含铟氮化物半导体层,并且沿着所述顶层(即,含铟氮化物半导体层的上表面)延伸的区域具有比其它区域高的氢杂质浓度。
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公开(公告)号:CN118266092A
公开(公告)日:2024-06-28
申请号:CN202280076604.7
申请日:2022-11-01
申请人: 国立大学法人京都大学 , 斯坦雷电气株式会社
摘要: 本发明具有:基板(11),其在表面具有周期性形成有锥形突起的蛾眼型纳米结构(11M);第一半导体层(21),其形成在蛾眼型纳米结构(11M)上,具有光子晶体层(21P);有源层(23),其形成在第一半导体层(21)上,具有发光层(23A);以及第二半导体层(25),其形成在有源层(23)上。
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