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发明授权
CN101310360B 在离子注入工艺中通过引入气体而减轻污染和改变表面特性的方法和系统 有权

  • 专利标题： 在离子注入工艺中通过引入气体而减轻污染和改变表面特性的方法和系统
  • 专利标题（英）： Systems and methods that mitigate contamination and modify surface characteristics during ion implantation processes through the introduction of gases
  • 申请号： CN200680042530.6
    申请日： 2006-11-10
  • 公开(公告)号： CN101310360B
    公开(公告)日： 2010-12-01
  • 发明人: R·里斯 , S·康德拉腾科 , 乐金久 , L·万赖特 , G·蔡
  • 申请人： 艾克塞利斯技术公司
  • 申请人地址： 美国马萨诸塞州
  • 专利权人： 艾克塞利斯技术公司
  • 当前专利权人： 艾克塞利斯技术公司
  • 当前专利权人地址： 美国马萨诸塞州
  • 代理机构： 中国专利代理(香港)有限公司
  • 代理商 刘杰; 刘春元
  • 优先权： 11/273,039 2005.11.14 US
  • 国际申请： PCT/US2006/044036 2006.11.10
  • 国际公布： WO2007/059052 EN 2007.05.24
  • 进入国家日期： 2008-05-14
  • 主分类号： H01J37/317
  • IPC分类号： H01J37/317
在离子注入工艺中通过引入气体而减轻污染和改变表面特性的方法和系统
摘要：
在离子注入工艺中通过引入气体而减轻污染和改变表面特性的方法和系统。一种用于离子注入工艺的污染减轻或表面改变系统，包含：气体源(209)、控制器(204)、阀(210)以及处理室(111)。该气体源传送气体给该阀，该气体为大气气体或反应气体而且受控于该控制器。该阀设置在该处理室的上或附近，并且以可控制的方式来调整被传送至该处理室的气体的流速和/或组成。该处理室固定目标装置例如目标晶片，并且使该气体与离子束反应而减轻该目标晶片的污染，和/或改变该处理环境或该目标装置的既有性质以变更其物理或化学状态或特性。该控制器根据存在于该离子束内的污染物、或是不存在该污染物的情形、以及总压或分压分析来选择与调整该气体的组成以及流速。
摘要（英）：

The invention discloses a method and a system for mitigating contamination and modifying surface characteristic through leading in gas. A contamination mitigation or surface modification system for ion implantation processes includes a gas source (209), a controller (204), a valve (210) and a processing chamber (111). The gas source is delivered to the valve; the gas is atmospheric gas or reactive gas and is controlled by the controller. The valve is arranged on or about the processing chamber and controllably adjusts flow rate and/or composition of the gas delivered to the processing chamber. The processing chamber holds a target device such as a target wafer and permits interaction of the gas with an ion beam to mitigate contamination of the target wafer and/or to modify the existing properties of the processing environment or the target device to change a physical or chemical state or characteristic thereof. The controller selects and adjusts composition of the gas and flow rate according to contaminants present within the ion beam, or lack thereof, as well as total or partial pressure analysis.

公开/授权文献
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