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公开(公告)号：CN1771579A
公开(公告)日：2006-05-10
申请号：CN200480009348.1
申请日：2004-03-31
申请人： 艾克塞利斯技术公司
IPC分类号： H01J37/317 , H01J27/24
CPC分类号： H01J37/3045 , H01J37/244 , H01J37/304 , H01J37/3171 , H01J2237/24528 , H01J2237/24578 , H01J2237/30455
摘要： 本发明通过在离子注入过程中通过入射离子束角度检测器监控和修正角度误差而有利于半导体器件的制造。此外，本发明通过在进行离子注入工艺之前相对于入射离子束校准工艺圆盘而不测量晶片上的注入结果而有利于半导体器件的制造。
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公开(公告)号：CN101310360B
公开(公告)日：2010-12-01
申请号：CN200680042530.6
申请日：2006-11-10
申请人： 艾克塞利斯技术公司
IPC分类号： H01J37/317
CPC分类号： H01J37/3171 , H01J2237/006 , H01J2237/022 , H01J2237/31705 , H01L21/26513
摘要： 在离子注入工艺中通过引入气体而减轻污染和改变表面特性的方法和系统。一种用于离子注入工艺的污染减轻或表面改变系统，包含：气体源(209)、控制器(204)、阀(210)以及处理室(111)。该气体源传送气体给该阀，该气体为大气气体或反应气体而且受控于该控制器。该阀设置在该处理室的上或附近，并且以可控制的方式来调整被传送至该处理室的气体的流速和/或组成。该处理室固定目标装置例如目标晶片，并且使该气体与离子束反应而减轻该目标晶片的污染，和/或改变该处理环境或该目标装置的既有性质以变更其物理或化学状态或特性。该控制器根据存在于该离子束内的污染物、或是不存在该污染物的情形、以及总压或分压分析来选择与调整该气体的组成以及流速。
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公开(公告)号：CN100492584C
公开(公告)日：2009-05-27
申请号：CN200480009348.1
申请日：2004-03-31
申请人： 艾克塞利斯技术公司
IPC分类号： H01J37/317 , H01J27/24
CPC分类号： H01J37/3045 , H01J37/244 , H01J37/304 , H01J37/3171 , H01J2237/24528 , H01J2237/24578 , H01J2237/30455
摘要： 本发明通过在离子注入过程中通过入射离子束角度检测器监控和修正角度误差而有利于半导体器件的制造。此外，本发明通过在进行离子注入工艺之前相对于入射离子束校准工艺圆盘而不测量晶片上的注入结果而有利于半导体器件的制造。
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公开(公告)号：CN101310360A
公开(公告)日：2008-11-19
申请号：CN200680042530.6
申请日：2006-11-10
申请人： 艾克塞利斯技术公司
IPC分类号： H01J37/317
CPC分类号： H01J37/3171 , H01J2237/006 , H01J2237/022 , H01J2237/31705 , H01L21/26513
摘要： 在离子注入工艺中通过引入气体而减轻污染和改变表面特性的方法和系统。一种用于离子注入工艺的污染减轻或表面改变系统，包含：气体源(209)、控制器(204)、阀(210)以及处理室(111)。该气体源传送气体给该阀，该气体为大气气体或反应气体而且受控于该控制器。该阀设置在该处理室的上或附近，并且以可控制的方式来调整被传送至该处理室的气体的流速和/或组成。该处理室固定目标装置例如目标晶片，并且使该气体与离子束反应而减轻该目标晶片的污染，和/或改变该处理环境或该目标装置的既有性质以变更其物理或化学状态或特性。该控制器根据存在于该离子束内的污染物、或是不存在该污染物的情形、以及总压或分压分析来选择与调整该气体的组成以及流速。
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