发明授权
- 专利标题： 用于高迁移率平面和多栅极MOSFET的混合衬底技术
- 专利标题（英）： Hybrid substrate technology for high-mobility planar and multiple-gate mosfets
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申请号： CN200580015351.9申请日： 2005-06-20
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公开(公告)号： CN101310386B公开(公告)日： 2013-03-06
- 发明人: B·B·多里斯 , M·艾昂 , E·J·诺瓦克 , 杨敏
- 申请人： 微软公司
- 申请人地址： 美国华盛顿州
- 专利权人： 微软公司
- 当前专利权人： 微软公司
- 当前专利权人地址： 美国华盛顿州
- 代理机构： 上海专利商标事务所有限公司
- 代理商 张欣
- 优先权： 10/872,605 2004.06.21 US
- 国际申请： PCT/US2005/021674 2005.06.20
- 国际公布： WO2005/124871 EN 2005.12.29
- 进入国家日期： 2006-11-13
- 主分类号： H01L27/01
- IPC分类号： H01L27/01 ; H01L27/12
摘要：
一种混合衬底，其具有高迁移率表面以用于平面和/或多栅极金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。混合衬底具有优选用于n-型器件的第一表面部分，和优选用于p-型器件的第二表面部分。由于混合衬底的每个半导体层中的适当表面和晶片平面取向，器件的所有栅极都取向在相同方向，且所有沟道都位于高迁移率表面上。本发明还提供制造混合衬底的方法以及在其上集成至少一个平面或多栅极MOSFET的方法。
公开/授权文献
- CN101310386A 用于高迁移率平面和多栅极MOSFET的混合衬底技术 公开/授权日：2008-11-19
IPC分类:
