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公开(公告)号：CN118610268A
公开(公告)日：2024-09-06
申请号：CN202411087837.4
申请日：2024-08-09
申请人： 杭州积海半导体有限公司
IPC分类号： H01L29/78 , H01L29/786 , H01L21/77 , H01L27/12
摘要： 本发明公开了一种半导体结构及其制备方法，属于半导体技术领域。所述半导体结构至少包括：衬底，所述衬底内包括间隔设置的第一阱区和第二阱区；第一应力层，设置在所述衬底上；浅沟槽隔离结构，设置在所述第一阱区和所述第二阱区之间，且所述浅沟槽隔离结构由所述第一应力层的表面延伸至所述衬底内；以及第二应力层，设置在所述第一阱区上的所述第一应力层上。通过本发明提供的半导体结构及其制备方法，能够在半导体结构上同时构成拉伸应力沟道和压缩应力沟道，且不对半导体结构产生损伤及应力损失，提高半导体结构的质量。
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公开(公告)号：CN112750764B
公开(公告)日：2024-09-06
申请号：CN202011615806.3
申请日：2020-12-30
申请人： 滁州惠科光电科技有限公司 , 惠科股份有限公司
IPC分类号： H01L21/77 , H01L27/12 , H01L29/423 , B82Y40/00
摘要： 本申请公开了一种阵列基板的制程方法、阵列基板和显示面板，所述阵列基板包括：衬底；第一金属层，设置在所述衬底上；第二金属层，设置在所述第一金属层的上方；其中，所述第一金属层和所述第二金属层属于不同层且相互绝缘，所述第一金属层和第二金属层中的至少一个为铜钼金属层，所述铜钼金属层包括铜金属层和钼金属层，所述钼金属层设置在所述铜金属层的下方，所述钼金属层的厚度为200埃米至300埃米，所述铜金属层的厚度为2800埃米至3600埃米。通过调整铜钼金属层中的钼金属层的厚度和铜金属层的厚度，从而防止钼残留或者倒角的情况发生。
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公开(公告)号：CN109994489B
公开(公告)日：2024-09-03
申请号：CN201811612371.X
申请日：2018-12-27
申请人： 瑞萨电子株式会社
摘要： 本公开的实施例涉及制造半导体装置的方法。提供一种具有提高的可靠性的半导体装置。首先，提供包括绝缘层、半导体层和绝缘膜的衬底，该绝缘膜堆叠在半导体衬底上、并且具有填充有元件隔离部分的沟槽。在通过第一干法蚀刻来从体区域去除绝缘膜之后，通过第二干法蚀刻来从体区域去除半导体层。然后，通过蚀刻来去除SOI区域中的绝缘膜和体区域中的绝缘层。含有碳氟化合物气体的气体被用于第一干法蚀刻。通过第一干法蚀刻的元件隔离部分的蚀刻厚度至少等于紧接在开始第一干法蚀刻之前的绝缘膜的厚度与紧接在开始第一干法蚀刻之前的半导体层的厚度的总和。在第一干法蚀刻之后并且在第二干法蚀刻之前，执行氧等离子体处理。
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公开(公告)号：CN118571951A
公开(公告)日：2024-08-30
申请号：CN202410560110.7
申请日：2024-05-08
申请人： 友达光电股份有限公司
IPC分类号： H01L29/786 , H01L21/34 , H01L29/423 , H01L29/417 , H01L27/12
摘要： 本发明公开一种半导体装置及其制造方法，其中半导体装置包括基板、底栅极、底栅介电层、第一半导体层、第二半导体层、顶栅介电层、顶栅极、源极以及漏极。底栅极位于基板上方。底栅介电层位于底栅极上。第一半导体层位于底栅介电层上。第二半导体层位于第一半导体层上，且包括本质半导体区以及重掺杂区。顶栅介电层位于第二半导体层上。顶栅极位于顶栅介电层上，且重叠于本质半导体区。源极连接本质半导体区。漏极连接重掺杂区。
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公开(公告)号：CN118571882A
公开(公告)日：2024-08-30
申请号：CN202410608741.1
申请日：2024-05-16
申请人： 厦门天马光电子有限公司
摘要： 本发明实施例公开了一种显示面板、显示装置及其制备方法、使用方法，该显示面板包括显示区和边框区，边框区围绕显示区；显示区包括数据信号线；边框区包括测试信号线和公共电压信号线，测试信号线和公共电压信号线围绕显示区延伸；测试信号线被配置为：在显示面板的测试阶段，与数据信号线电连接，通入测试信号；在显示面板的使用阶段，与公共电压信号线电连接，通入第一公共电压信号或输出公共电压信号线上的第二公共电压信号。该显示面板中的测试信号线既可以用于测试阶段，也可以用于使用阶段，改善了测试信号线在VT测试之后无用闲置的局面，提高了公共电压信号线的均一性和稳定性，有利于实现显示面板的窄边框设计。
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公开(公告)号：CN118571881A
公开(公告)日：2024-08-30
申请号：CN202410206529.2
申请日：2024-02-26
申请人： 乐金显示有限公司
摘要： 本公开的实施例涉及一种可消除时钟信号线之间的负载偏差的显示面板和显示设备。更具体而言，一种显示设备包括：基板，其包括能显示图像的显示区域和围绕显示区域设置的非显示区域，显示区域包括子像素和用于驱动该子像素的栅极线；栅极驱动面板电路，其被设置在非显示区域内并被配置成向栅极线输出栅极信号；多个时钟信号线，其被设置在非显示区域内并被定位成比栅极驱动面板电路更远离显示区域，以便向栅极驱动面板电路提供多个时钟信号；包覆层，其被设置在多个时钟信号线和栅极驱动面板电路上；以及被包括在子像素内的发光元件，其包括被设置在包覆层上并从显示区域延伸至非显示区域的阴极电极，其中阴极电极被设置成不与多个时钟信号线重叠。
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公开(公告)号：CN112335045B
公开(公告)日：2024-08-30
申请号：CN201980043639.9
申请日：2019-07-04
申请人： 三星电子株式会社
IPC分类号： H01L25/075 , H01L27/12 , H01L23/538
摘要： 提供一种显示面板。根据实施例的所述显示面板包括：薄膜晶体管玻璃基板；多个微型发光二极管(LED)，布置在所述薄膜晶体管玻璃基板的一个表面上；以及多个侧布线，形成在所述薄膜晶体管玻璃基板的边缘处，以将所述薄膜晶体管玻璃基板的所述一个表面电连接到与所述一个表面相对的表面。
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公开(公告)号：CN118556261A
公开(公告)日：2024-08-27
申请号：CN202280005256.4
申请日：2022-12-26
申请人： 京东方科技集团股份有限公司 , 北京京东方光电科技有限公司
摘要： 本公开实施例提供一种显示面板，其中，具有显示区和边框区，所述边框区围设于所述显示区外围，所述显示区的边缘线为圆弧线；所述边框区的边缘线为圆弧线；所述显示区的边缘线与所述边框区的边缘线形状相适配；所述显示面板包括外围电路和外围信号线，所述外围电路和所述外围信号线分布于所述边框区，且外围电路和外围信号线依次远离显示区分布；显示面板还包括阵列基板和彩膜基板，阵列基板与彩膜基板对盒；阵列基板与彩膜基板在第一侧边缘不交叠；在第一侧边缘所在边框区以外的边框区中，外围信号线中距离边框区外侧边缘最近的信号线与边框区外侧边缘之间的宽度范围为0.35±0.2微米；边框区的外侧边缘为边框区远离显示区的一侧边缘。
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公开(公告)号：CN118555874A
公开(公告)日：2024-08-27
申请号：CN202410718205.7
申请日：2024-06-04
申请人： 京东方科技集团股份有限公司 , 成都京东方光电科技有限公司
发明人： 颜俊
IPC分类号： H10K59/131 , H10K71/00 , H01L27/12 , H01L21/77
摘要： 本申请公开了一种显示面板，属于显示技术领域。显示面板包括：衬底基板，以及在衬底基板上依次设置的垫高结构、第一走线、第一平坦化层和第二走线。垫高结构包括在衬底基板上沿远离衬底基板的方向排布的多个垫块，第一平坦化层具有第一过孔，第一走线和第二走线通过第一过孔相连，每个垫块在衬底基板上的正投影均与第一过孔在衬底基板上的正投影存在交叠。本申请可以减小第一过孔的深度，从而减小第二走线在第一过孔处断线的风险。
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公开(公告)号：CN118555866A
公开(公告)日：2024-08-27
申请号：CN202310463215.6
申请日：2023-04-26
申请人： 京东方科技集团股份有限公司 , 成都京东方光电科技有限公司 , 北京京东方技术开发有限公司
IPC分类号： H10K59/123 , H10K59/12 , H10K59/131 , H10K59/121 , H01L27/12
摘要： 本申请提供了一种显示基板及显示面板，涉及显示技术领域，该显示基板包括多个子像素，子像素包括电连接的像素驱动电路和发光器件，像素驱动电路包括驱动模块、第一复位模块和第二复位模块、输入模块、第一发光控制模块和第二发光控制模块、补偿模块；其中，像素驱动电路包括多个晶体管，所述晶体管包括有源部；所述显示基板还包括多个导电图案，至少一个所述子像素中所有所述晶体管的有源部在所述衬底上的正投影均位于所述导电图案在所述衬底上的正投影以内；该显示基板用于制备显示面板。
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