发明授权
CN101317263B 传感器装置及其制造方法
失效 - 权利终止
- 专利标题: 传感器装置及其制造方法
- 专利标题(英): Sensor device and method for manufacturing same
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申请号: CN200680044187.9申请日: 2006-11-24
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公开(公告)号: CN101317263B公开(公告)日: 2012-03-21
- 发明人: 奥户崇史 , 铃木裕二 , 竹川宜志 , 马场彻 , 后藤浩嗣 , 宫岛久和 , 片冈万士 , 西条隆司
- 申请人: 松下电工株式会社
- 申请人地址: 日本大阪府
- 专利权人: 松下电工株式会社
- 当前专利权人: 松下电工株式会社
- 当前专利权人地址: 日本大阪府
- 代理机构: 北京集佳知识产权代理有限公司
- 代理商 蔡胜有; 刘继富
- 优先权: 341223/2005 2005.11.25 JP; 371049/2005 2005.12.22 JP; 371053/2005 2005.12.22 JP; 089558/2006 2006.03.28 JP
- 国际申请: PCT/JP2006/323455 2006.11.24
- 国际公布: WO2007/061056 JA 2007.05.31
- 进入国家日期: 2008-05-26
- 主分类号: H01L23/02
- IPC分类号: H01L23/02 ; G01C19/5769
摘要:
本发明提供一种具有小的传感器波动特性和优良抗电噪声特性的传感器装置。该传感器装置具有传感器单元,该传感器单元包括具有开口的框架、保持在开口中相对于框架可移动的可移动部和用于输出基于可移动部的位置移动的电信号的检测部。该传感器装置还具有封装基板,该基板由半导体材料形成并结合于该传感器单元的表面上。该封装基板在面对传感器单元的表面上具有电绝缘膜,并且该电绝缘膜的活化表面在室温下直接结合于传感器单元的活化表面上。因此,该封装基板结合于传感器单元上。
公开/授权文献
- CN101317263A 传感器装置及其制造方法 公开/授权日:2008-12-03