利索-全球专利检索

  1. 登录
  2. 注册
发明授权
CN101319311B 淀积氧化硅于大面积基板上的方法及设备 失效 - 权利终止

淀积氧化硅于大面积基板上的方法及设备
摘要：
本发明揭示了淀积氧化硅于大面积基板上的方法及设备，本发明提供一种用来以至少每分钟3000埃()的速率将一电介质淀积到一至少约0.35平方米的大面积基板上的方法及设备。在一实施例中，该电介质为氧化硅。也提供一种大面积基板，其具有一层电介质被淀积于其上，该电介质层是利用一可达到每分钟超过3000埃的淀积速率来进行淀积，也提供一种制造该大面积基板的反应腔。
摘要（英）：

A method and apparatus for depositing a dielectric material at a rate of at least 3000 Angstroms per minute on a large area substrate that has a surface area of at least about 0.35 square meters is provided. In one embodiment, the dielectric material is silicon oxide. Also provided is a large area substrate having a layer of dielectric material deposited by a process yielding a deposition rate inexcess of about 3000 Angstroms per minute and a processing chamber for fabricating the same.

公开/授权文献
0/0