发明授权
CN101337171B 含硅磁性中空微球及其制备方法和应用
失效 - 权利终止
- 专利标题: 含硅磁性中空微球及其制备方法和应用
- 专利标题(英): Hollow microsphere containing silicon magnetism and preparation method and use thereof
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申请号: CN200710043507.5申请日: 2007-07-05
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公开(公告)号: CN101337171B公开(公告)日: 2011-09-28
- 发明人: 陈建定 , 张晓俊 , 宣昭峰 , 马新胜 , 吴秋芳 , 於定华
- 申请人: 上海华明高技术(集团)有限公司 , 华东理工大学
- 申请人地址: 上海市华泾路1305号18号楼
- 专利权人: 上海华明高技术(集团)有限公司,华东理工大学
- 当前专利权人: 上海华明高技术(集团)有限公司,华东理工大学
- 当前专利权人地址: 上海市华泾路1305号18号楼
- 代理机构: 上海光华专利事务所
- 代理商 余明伟
- 主分类号: B01J13/14
- IPC分类号: B01J13/14 ; H01F1/113
摘要:
本发明提供了一种含硅磁性中空微球及其制备方法和应用,本发明用聚苯乙烯/二氧化硅复合微球为核,通过层层自组装法在其外围包覆Fe3O4,形成一种PS/SiO2/Fe3O4磁性高分子复合粒子并通过高温烧结法除去聚苯乙烯,形成一种具有中空结构的磁性材料,这种中空磁性材料内层为SiO2,其稳定性好因此在高温下不易坍塌,可提高材料的比表面积,是一种单分散型的磁性中空微球材料。该方法成本较低,重复性好。得到的产品除可用于磁靶向药物载体材料外还可用于生物传感器、免疫诊断、药物传输及肿瘤靶向治疗及DNA分离等生物和医药领域。
公开/授权文献
- CN101337171A 含硅磁性中空微球及其制备方法和应用 公开/授权日:2009-01-07