利索-全球专利检索

  1. 登录
  2. 注册
发明授权
CN101341582B 光源装置、基板处理装置、基板处理方法 失效 - 权利终止

光源装置、基板处理装置、基板处理方法
摘要：
本发明提供一种光源装置，该光源装置由包含等离子体的形成区域，在上述等离子体的形成区域中，通过无电极放电形成等离子体而产生发光的等离子体形成室；和划分在上述等离子体形成室中的等离子体的形成区域的下端，透过上述发光的光学窗构成，在上述等离子体形成室内，形成有用于导入生成上述等离子体的微波的微波透过窗，而且，在上述微波透过窗的外侧设置有与上述微波窗结合、导入上述微波的微波天线。
摘要（英）：

The invention provides a light source device. The light source device is formed by a plasma formation chamber including a plasma formation region where plasma is formed by electrodeless discharge to generate light and an optical window defining the lower end of the plasma region in the plasma formation chamber and transmitting the light. A micro wave transmitting window is formed in the plasma chamber for introducing a micro wave for generating the plasma. Furthermore, outside of the micro wave transmitting window, a micro wave antenna is connected to the micro wave window for introducing themicro wave.

公开/授权文献
IPC分类:
H 电学
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04 ..至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18 ...器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/30 ....用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的（在半导体材料上制作电极的入H01L21/28）
H01L21/302 .....改变半导体材料的表面物理特性或形状的，例如腐蚀、抛光、切割
H01L21/306 ......化学或电处理，例如电解腐蚀（形成绝缘层的入H01L21/31；绝缘层的后处理入H01L21/3105）
H01L21/3065 .......等离子腐蚀；活性离子腐蚀
0/0